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L6491DTR 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

L6491DTRRoHS
商品编码:
BM0264820270复制
品牌:
ST(意法半导体)复制
封装:
SO-14复制
包装:
编带复制
重量:
0.39g复制
描述:
栅极驱动IC L6491DTR SO-14复制
产品参数
产品手册
产品概述
L6491DTR参数
属性
参数值
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)4A
拉电流(IOH)4A
工作电压10V~20V
上升时间(tr)15ns
下降时间(tf)15ns
属性
参数值
传播延迟 tpLH85ns
传播延迟 tpHL85ns
特性欠压保护(UVP);过流保护(OCP);过热保护(OTP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2V~2.5V
输入低电平(VIL)950mV~1.45V
静态电流(Iq)540uA
L6491DTR手册
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无数据
L6491DTR概述

L6491DTR 栅极驱动IC 产品概述

一、产品定位与核心身份

L6491DTR由意法半导体(ST)推出,是一款半桥栅极驱动IC,采用SO-14小封装设计,专门针对MOSFET和IGBT功率器件的驱动需求开发。产品核心定位是为中高功率功率转换场景提供高可靠性、高驱动能力的栅极控制方案,兼具低功耗与多重保护功能,适配工业、新能源等多类 harsh 环境应用。

二、关键电气参数总览

L6491DTR的电气参数针对功率器件驱动做了针对性优化,核心参数如下:

  • 驱动能力:支持4A灌电流(IOL)与4A拉电流(IOH),可快速充放电功率器件栅极电容;开关速度快,上升时间(tr)与下降时间(tf)均为15ns,能有效降低功率器件的开关损耗;传播延迟(tpLH/tpHL)均为85ns,确保驱动信号与输入信号同步性。
  • 工作范围:宽电压范围10V20V,适配不同电源系统;结温(Tj)下工作温度覆盖-40℃+125℃,满足工业级宽温需求。
  • 输入与功耗:输入高电平VIH为2V2.5V、低电平VIL为950mV1.45V,兼容常见数字控制信号;静态电流仅540uA,待机功耗低,适合长期运行场景。

三、集成保护功能特性

L6491DTR内置多重保护机制,从电源、电流、温度三个维度提升系统可靠性:

  • 欠压保护(UVP):当电源电压低于阈值时,自动关断驱动输出,防止因电源不足导致功率器件驱动不足、导通损耗过大甚至烧毁;
  • 过流保护(OCP):实时监测负载电流,超过阈值时触发保护动作,避免短路或过流工况对功率器件及系统的损坏;
  • 过热保护(OPT):当芯片结温超过设定值时,关断输出,防止芯片过热失效,延长产品使用寿命。

四、封装与典型应用场景

  • 封装:采用SO-14表面贴装封装,尺寸紧凑(约5mm×5mm),适合高密度PCB设计,节省板级空间;
  • 典型应用
    1. 工业电机驱动:伺服电机驱动器、变频调速器中驱动IGBT/MOSFET,宽温与高驱动能力适配工业现场环境;
    2. 电源转换系统:DC-DC变换器、逆变器、UPS电源中,快速开关特性提升转换效率;
    3. 新能源领域:光伏并网逆变器、电动车辅助功率系统(如DC-DC转换器),宽电压范围适配电池/电网电压波动;
    4. 家电与工业控制:洗衣机、空调变频模块及工业PLC功率控制单元,适配低功耗与保护功能需求。

五、核心优势总结

L6491DTR的核心优势集中于性能与可靠性的平衡

  • 高驱动能力(4A灌/拉)满足中大功率器件需求;
  • 快速开关(15ns)降低功率损耗,提升系统效率;
  • 宽电压(10V20V)与宽温(-40℃+125℃)适配多场景;
  • 多重保护(UVP/OCP/OPT)减少故障风险;
  • 低静态电流(540uA)节能,小封装便于集成。

这些优势使产品成为工业、新能源及消费电子功率驱动领域的高性价比选择。

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