
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 接口类型 | SPI |
| 存储容量 | 512Kbit |
| 时钟频率(fc) | 16MHz |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR);硬件写保护功能;内置错误纠正码(ECC)功能;内置写使能锁存器(WEL) |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |

M95512-DRMF3TG/K是意法半导体(ST)推出的工业级串行EEPROM,针对汽车电子、工业自动化、IoT终端等对存储稳定性要求严苛的场景,主打「宽温宽压适配、小尺寸集成、高可靠性」三大核心优势。相比传统并行EEPROM,其采用SPI串行接口简化布线,同时在容量、通信速率、耐用性上均满足行业级标准,可直接替代同类产品提升系统集成度。
存储容量为512Kbit(即64KB),可存储约32000个汉字或大量配置参数(如传感器校准数据、系统初始化指令);采用标准SPI串行接口,仅需4根信号线(SCK时钟、MOSI/MISO数据、CS片选)即可实现读写,大幅减少PCB布线空间与系统复杂度,适合小型化产品设计。
支持1.7V~5.5V供电电压,覆盖三类主流系统:
数据保留时间长达100年,即使在极端存储环境(如高温、湿度波动)下,仍能确保关键信息(如设备ID、校准数据)不丢失,满足工业/汽车产品10~15年的长生命周期要求。
采用8-MLP(微引线封装),尺寸仅2mm×3mm,是传统DIP/SOIC封装的1/5左右,可轻松集成到:
适配-40℃~+125℃宽温特性,可用于:
高寿命与宽压特性适合:
小尺寸+低功耗适合:
M95512-DRMF3TG/K通过AEC-Q100汽车级可靠性测试与工业级环境测试,可承受:
其写寿命400万次、数据保留100年,可避免因存储介质老化导致的系统故障,是高可靠性存储场景的优选方案。
综上,M95512-DRMF3TG/K凭借宽温宽压、高速SPI接口、小尺寸封装与行业级可靠性,成为工业、汽车、IoT等领域的实用型存储解决方案,可有效提升系统集成度与长期稳定性。