
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 直流电流增益(hFE) | 160 |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |

S-LBC807-25WT1G是乐山无线电(LRC)推出的一款小型化PNP型晶体管,针对便携电子、低功耗电路及工业控制等场景优化设计,兼具高可靠性与紧凑尺寸,是高密度PCB布局的理想选择。
乐山无线电(LRC)作为国内半导体行业的老牌厂商,在分立器件领域拥有成熟的研发与制造体系,产品覆盖晶体管、二极管、MOS管等多个品类,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。S-LBC807-25WT1G定位为中低功率PNP晶体管,聚焦于小型化、低功耗、宽温适应性需求,满足从便携设备到工业级场景的多样化应用。
该晶体管的电气参数经过优化,平衡了驱动能力、功耗与可靠性,关键参数如下:
S-LBC807-25WT1G采用SOD-323封装(表面贴装型),属于超小型2引脚封装,尺寸约为1.6mm×0.8mm×0.6mm,具有以下优势:
该晶体管的参数特性使其适配多类场景:
S-LBC807-25WT1G的核心优势可概括为:
该产品通过严格的可靠性测试(如温度循环、湿度老化),符合LRC的工业级品质标准;无铅封装避免环境危害,存储温度范围通常为-65℃~+150℃(超出工作温度范围),进一步提升长期稳定性。
综上,S-LBC807-25WT1G是一款高性价比的PNP晶体管,适合对尺寸、功耗、可靠性有要求的中低功率应用场景。