
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT |
| 驱动通道数 | 2 |
| 灌电流(IOL) | 290mA |
| 拉电流(IOH) | 600mA |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 上升时间(tr) | 70ns |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 下降时间(tf) | 35ns |
| 传播延迟 tpLH | 160ns |
| 传播延迟 tpHL | 220ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 静态电流(Iq) | 220uA |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
数明半导体(Sillumin)推出的SLM2106SCA-13GTR是一款专为功率MOSFET和IGBT设计的双通道半桥栅极驱动器,核心价值在于平衡「高驱动能力」与「工业级可靠性」,适配中高压功率变换系统的多样化需求,解决功率器件开关损耗、极端环境稳定性等关键问题。
工作温度范围为**-40℃~+125℃**,符合工业级宽温标准,可稳定运行于户外光伏逆变、车载动力系统等极端环境,无需额外散热或温度补偿设计。
具备600mA拉电流(IOH) 和290mA灌电流(IOL),足够驱动大栅极电容(Cg)的功率器件(如1200V/600A级IGBT、600V/100A级MOSFET),快速充放电栅极电容,缩短开关过渡时间。
内置欠压锁定功能,当输入电压低于阈值时自动关断输出,防止因电源不足导致功率器件误开通、驱动不足,避免器件损坏或系统故障(如电机堵转时的电源波动防护)。
针对半桥驱动的共源极拓扑,采用数明半导体的噪声抑制技术,有效抵御功率回路的电磁干扰(EMI),确保驱动信号准确传输,适配高频开关场景(如20kHz以上的逆变系统)。
采用SOIC-8封装,体积紧凑(5.2mm×6.0mm),便于PCB高密度布局;引脚布局符合半桥驱动常规需求,可直接匹配功率器件的栅极、源极引脚,简化外围电路(仅需少量栅极电阻即可完成驱动)。
SLM2106SCA-13GTR通过「高驱动电流+宽电压范围+欠压保护+工业级宽温」的组合特性,成为中高压功率变换系统的理想栅极驱动方案,数明半导体的技术支持也为其应用落地提供了保障。