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PSBD2FD40V02 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PSBD2FD40V02
商品编码:
BM0265212681复制
品牌:
Prisemi(芯导)复制
封装:
DFN1006-2L复制
包装:
编带复制
重量:
0.01g复制
描述:
-
产品参数
产品手册
产品概述
PSBD2FD40V02参数
属性
参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)500mV@200mA
直流反向耐压(Vr)40V
整流电流200mA
属性
参数值
反向电流(Ir)2uA@40V
工作结温范围-55℃~+125℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)800mA
PSBD2FD40V02手册
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无数据
PSBD2FD40V02概述

PSBD2FD40V02 产品概述

PSBD2FD40V02 是 Prisemi(芯导)推出的一款小型低压降整流二极管,采用 DFN1006-2L 表面贴装封装,专为空间受限、需低功耗和稳定整流性能的应用而设计。器件在 200mA 连续整流电流下正向压降仅约 0.5V,同时具备 40V 的反向耐压和极低的反向泄漏电流,适合便携设备、信号电源及保护电路等场合使用。

一、主要性能亮点

  • 低正向压降:Vf ≈ 500mV @ If = 200mA,降低导通损耗,提高系统效率与续航。
  • 中等整流能力:额定整流电流 200mA,适用于小电流电源和信号整流。
  • 合理的反向耐压:直流反向耐压 Vr = 40V,满足常见单节锂电池或低压电源的反向保护需求。
  • 低反向泄漏:Ir = 2μA @ Vr = 40V,有利于降低待机损耗与输入反向漏电。
  • 抗冲击能力:非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 800mA,可吸收短时冲击电流,提升可靠性。
  • 宽工作温度:结温范围 -55℃ 至 +125℃,可用于工业级环境。

二、封装与外形优势

PSBD2FD40V02 采用 DFN1006-2L 小型贴片封装,具有以下优点:

  • 占板面积小,厚度低,利于便携设备和高密度 PCB 设计。
  • 封装热阻较小(相比同尺寸直立封装),在良好 PCB 散热布局下可获得更佳热性能。
  • 适合自动化贴片与回流焊流程,便于大规模生产。

三、典型应用场景

  • 电池供电设备的输入反向保护与整流(例如单节锂电池供电的便携设备)。
  • 小功率开关电源的二次侧整流、信号电源路径整流。
  • 通用信号线的方向性隔离或低压差钳位。
  • 低功耗电子设备的待机泄漏控制场景。
  • 作为保护元件使用于防反接或防反向放电电路。

四、使用与布局建议

  • 连续工作电流:器件额定整流电流为 200mA,长期使用应尽量靠近或低于该值,避免长时间超载导致温升和寿命下降。
  • 冲击电流:若系统可能出现短时浪涌,请确保峰值不超过 Ifsm = 800mA,或通过限流/保护电路限制浪涌能量。
  • PCB 散热:虽为小封装,仍建议在焊盘下和周围安排合理的铜箔过孔或散热填充,缩短热流路径,降低结温。
  • 布线与焊接:引线应尽量短,减小寄生电感与电阻。推荐采用标准回流焊工艺,注意与 PCB 上其它组件的热兼容性。
  • ESD 与机械应力:在安装与测试过程中避免强静电冲击与弯折应力,遵循一般贴片元件的防静电和防潮操作规范。

五、典型电路示例

  • 输入反向保护:将 PSBD2FD40V02 作为串联保护二极管,防止电源反接。其低 Vf 有助于降低压降与能量损耗。
  • 旁路整流:用于小电流旁路或检测回路,提供方向性导通且漏电小。
  • 保护钳位:在低压信号线上用作钳位或防反接保护,配合限流电阻或 TVS 使用以增强抗冲击能力。

六、可靠性与环境适配

器件工作结温覆盖 -55℃ 至 +125℃,具备工业级温度耐受性,适应较宽的环境温度变化。低反向漏电和合理的浪涌能力使器件在正常使用条件下表现出较高的长期稳定性。选用时应根据系统最大结温评估热余量,避免长期在高结温下工作以延长寿命。

七、订购信息

  • 品牌:Prisemi(芯导)
  • 型号:PSBD2FD40V02
  • 封装:DFN1006-2L(小型 SMD)

总结:PSBD2FD40V02 以其低正向压降、低漏电和小封装特点,适合对空间、效率和待机功耗有较高要求的低功率应用场景。合理的 PCB 散热设计与遵循额定电流/浪涌限制,能充分发挥该器件在便携与工业电子中的价值。若需进一步电气参数曲线或封装尺寸数据,可参考厂家完整技术手册或联系供应商获取。

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