注：图像仅供参考，请参阅产品规格
GHD3440QE
- 商品编码： BM0266044271复制
- 品牌： Geehy(珠海极海)复制
- 封装： QFN24复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.072g复制
- 描述： GHD3440 是一款三相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双 N 型沟道 VDMOS 功率管或者 IGBT 而设计，适合用于电池供电的直流无刷机等应用方案。它的内嵌典型死区时间为 250ns，当单片机输出信号死区时间小于内嵌死区时间时，实际死区时间为内嵌死区时间，反之，当单片机输出信号死区时间大于内嵌死区时间时，实际死区时间为单片机输出死区时间。内嵌 VCC、VBS 欠压保护功能可以防止系统在低驱动电压开启外部功率管。通过输入信号控制高侧驱动电路输出和低侧驱动电路输出。复制
GHD3440QE参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 三相 |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 驱动通道数 | 6 |
| 工作电压 | 5.5V~18V |
| 上升时间(tr) | 90ns |
| 下降时间(tf) | 60ns |
| 传播延迟 tpLH | 200ns |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 200ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V~2.4V |
| 输入低电平(VIL) | 650mV~1.85V |
| 静态电流(Iq) | 165uA |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
GHD3440QE手册
GHD3440QE问题
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