可控硅坏的原因

       1、电压击穿

　　可控硅因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子

本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

　　2、电流损坏

　　电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。

　　3、电流上升率损坏

　　其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。

　　4、边缘损坏

　　这发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安

装不慎所造成的。它导致电压击穿。