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可控硅坏的原因
2022-01-04 14:43:2438

       1、电压击穿

  可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子

本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。

  2、电流损坏

  电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。

  3、电流上升率损坏

  其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。

  4、边缘损坏

  这发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安

装不慎所造成的。它导致电压击穿。

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