SK hynix被曝拟赴美生产存储器 或与Intel合作
要点：
- 海外媒体报道称，SK hynix正就赴美生产半导体存储器与Intel等协商。
- 美国政府要求本地生产，而尖端技术海外转移可能需要韩国政府审查。
- 在日本建厂也浮出水面，但具体投资目的地和合作对象尚未决定。
多家海外媒体报道称，SK hynix正就赴美生产半导体存储器与Intel等协商。据悉，方案包括租用Intel建设延迟的俄亥俄州工厂部分设施，以及由Intel、SK hynix和美国大型云服务提供商成立合资公司。
SK hynix表示，为增强存储业务竞争力，正在研究包括增设生产基地在内的多种方案；但报道所提情景、与特定企业合作以及在美国生产一事均未确定。Intel避免就个别猜测置评，同时说明仍在继续投资俄亥俄州工厂。
美国政府施压，要求前道工序本地生产
Intel于2022年宣布，将在俄亥俄州投资最高1000亿美元，建设可容纳最多8座晶圆厂（fab）的半导体基地。但原定2025年的投产时间推迟，一期2座工厂的完工时间已延至2030年和2031年。该计划被纳入美国《芯片与科学法案》（CHIPS Act）支持范围，工厂如何利用受到关注。
美国政府从经济安全角度推进国内半导体生产扩大，并要求Samsung Electronics和SK hynix也投资存储前道工序。SK hynix正在印第安纳州投资约40亿美元，建设面向HBM等的后道工序基地，计划2029年下半年开始量产。但据称，美方除了后道工序外，还要求建设前道工序。
若在美国国内拥有前道工序基地，除了能降低进口关税等政策风险，还有望在大量采购AI用存储器的云服务商附近生产。这样更容易与客户推进联合开发，也可能迅速应对急剧的需求波动。此外还可期待强化美国国内供应链、缩短产品交期。
SK集团会长崔泰源（Chey Tae-won）也表现出积极态度，认为仅靠韩国国内增产无法满足AI用存储器需求扩大，因此有必要在美国等海外增设生产基地。
韩国政府将审查尖端技术海外转移
如果SK hynix在美国生产先进DRAM和HBM，可能需要接受韩国政府关于国家核心技术的审查。
韩国产业通商资源部表示，海外布局由企业判断，但若涉及国家核心技术，则将成为基于《产业技术保护法》的审议对象。前道工序工厂的海外拓展不仅涉及满足需求和规避关税，还伴随防止先进存储技术外流的课题。
在日本建厂也成为选项之一？
崔泰源在9月接受日本媒体采访时表示，考虑到SK hynix出资的特殊目的公司（SPV）是Kioxia Holdings的最大股东，与该公司联合生产或在日本建厂也可能成为选项。
另一方面，Kioxia的CEO太田裕雄以反垄断法方面的课题以及与Sandisk现有合资合同为由，对加强与SK hynix在制造层面的合作表达了否定看法。
经团联会长筒井义信9月16日表示，如果SK hynix在宫城县建设半导体存储器工厂，可能成为东北地区新的增长契机，对此表示期待。宫城县也表明正在推进吸引半导体企业。
崔泰源说明称，在AI热潮导致半导体短缺的背景下，正在全球各地寻找能够确保土地、电力、人才和产业基础的地区。美国和日本均被列为候选，但SK hynix尚未决定具体投资目的地或合作对象，今后判断受到关注。
