SPS(美国源芯)
SPS(美国源芯)
类目：
- 场效应管(MOSFET)
- 三极管(BJT)
封装：
- SOP-8
- TO-252
- DFN(5X6)
- SOT-23(SOT-23-3)
- TO-277B
- SOT-23-3
- SOT-23
- TO-247
- TO-3PI
- TO-3PL
- TO-3PN
- DFN-6L(1X1)
- DFN-8L
- DPAK
- PDFN3X3-8
- SOP-8_150MIL
- SOT-23-6
- TO-220C
- TO-220F
- TO-220F-3
- TO-247-2
- TO-247-3
- TO-252-2
- TO-3
- TO247-3
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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数量：2个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：6A复制
导通电阻(RDS(on))：26.6mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2W 40V 6A 2个N沟道复制库存：15508复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥0.568
3000+￥0.529
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合计￥0.57
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：2.8A复制
导通电阻(RDS(on))：170mΩ@1.8V复制
描述：场效应管(MOSFET) 900mW 20V 2.8A 1个P沟道 SOT-23复制库存：15000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.323
3000+￥0.286
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合计￥0.32
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：10A复制
导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 40V 10A 1个N沟道 SOP-8复制库存：6774复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥1.38
3000+￥1.31
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合计￥1.38
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：54A复制
导通电阻(RDS(on))：6.3mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 4mΩ 30V 54A 1个N沟道 PDFN-8(3x3)复制库存：5000复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥1.24
5000+￥1.18
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数量：2个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：5A复制
导通电阻(RDS(on))：51.8mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2W 30V 5A 2个P沟道 SOIC-8复制库存：3000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.389
3000+￥0.364
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合计￥0.39
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：24A复制
导通电阻(RDS(on))：19.8mΩ@4.5V复制
描述：-库存：3000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥0.84
3000+￥0.779
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数量：1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：6A复制
导通电阻(RDS(on))：44.1mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 40V 6A 1个N沟道+1个P沟道 SOIC-8复制库存：3000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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批次：26+
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