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SPS(美国源芯)

SPS(美国源芯)

源芯半导体2004年成立于美国。本公司拥有IC设计技术与系統设计技术的研发团队,并领先同行,擁有晶圆制程和封装技术的设计能力,能提供客户效能佳、品质好以及高整合的产品。同时源芯半导体还致力于材料电子的开发与生产。目前市场跨越地区有美国、日本、韩国、新加坡、香港、台湾、大陆等地区。

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
SM3400SRL 产品实物图片
自营SM3400SRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOT-23复制
复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)5.8A复制
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道复制
库存:3067复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.246
3000+0.218
量大可议价
合计0.25
现在下单最快1小时发货
BU406DT9TL 产品实物图片
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:TO-252-2复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)7A复制
集射极击穿电压(Vceo)200V复制
耗散功率(Pd)65W复制
描述:三极管(BJT) 65W 200V 7A NPN复制
库存:1333复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+1.02
2500+0.961
量大可议价
合计1.02
现在下单最快1小时发货
SM4480PRL 产品实物图片
自营SM4480PRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOP-8复制
复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)10A复制
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 40V 10A 1个N沟道 SOP-8复制
库存:800复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+1.38
3000+1.31
量大可议价
合计1.38
现在下单最快1小时发货
SM4840PRL 产品实物图片
自营SM4840PRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOP-8复制
复制
数量2个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)6A复制
导通电阻(RDS(on))26.6mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 6A 2个N沟道复制
库存:608复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:25+
1+0.581
3000+0.54
量大可议价
合计0.58
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SM4485PRL 产品实物图片
自营SM4485PRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOP-8复制
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)10A复制
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 40V 10A 1个P沟道复制
库存:1复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:待确认
1+1.11
3000+1.05
量大可议价
合计1.11
现在下单最快1小时发货
2SC4552T2TL 产品实物图片
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:TO-220F复制
复制
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)15A复制
集射极击穿电压(Vceo)60V复制
耗散功率(Pd)30W复制
描述:三极管(BJT) 30W 60V 15A NPN TO-220F-3复制
库存:105复制
最小包 : 50复制
起订量 : 2复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+6.36115
30+6.1418
100+5.7031
500+5.2644
1000+5.04505
2000+4.8257
合计12.72
2-3 工作日内发货

数据6小时前更新

SM4840PRL 产品实物图片
SM4840PRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOP-8复制
复制
数量2个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)6A复制
导通电阻(RDS(on))26.6mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 40V 6A 2个N沟道复制
库存:50复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 12复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+0.868305
合计10.42
2-3 工作日内发货

数据20小时前更新

SM4132T9RL 产品实物图片
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:TO-252复制
复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)85A复制
导通电阻(RDS(on))4.2mΩ@4.5V复制
描述:-
库存:50复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 4复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+2.227312
合计8.91
2-3 工作日内发货

数据20小时前更新

SM2312SRL 产品实物图片
SM2312SRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOT-23-3复制
复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)6A复制
导通电阻(RDS(on))18.9mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 6A 1个N沟道 SOT-23-3复制
库存:50复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 24复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+0.418477
合计10.04
2-3 工作日内发货

数据20小时前更新

SM4405PRL 产品实物图片
SM4405PRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOP-8复制
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功率(Pd)3.1W复制
反向传输电容(Crss@Vds)77pF@15V复制
商品分类场效应管(MOSFET)复制
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)59.5mΩ@10V,6A复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 6A 1个P沟道 SOP-8复制
库存:50复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 11复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+0.873548
合计9.61
2-3 工作日内发货

数据20小时前更新

SM66406D1RL 产品实物图片
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:DFN(5x6)复制
复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)30A复制
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V,20A复制
描述:-
库存:50复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 8复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+1.286675
合计10.29
2-3 工作日内发货

数据20小时前更新

SM4616PRL 产品实物图片
SM4616PRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOP-8复制
复制
数量1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)10A复制
导通电阻(RDS(on))18mΩ复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 1.8V@250uA 30V 1个N沟道+1个P沟道 SOIC-8复制
库存:50复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 9复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+1.078025
合计9.7
2-3 工作日内发货

数据20小时前更新

SM4306PRL 产品实物图片
SM4306PRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOP-8复制
复制
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)13A复制
导通电阻(RDS(on))17.1mΩ@4.5V复制
描述:-
库存:50复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 13复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+0.771791
合计10.03
2-3 工作日内发货

数据20小时前更新

SM4614BPRL 产品实物图片
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOP-8复制
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数量1个N沟道+1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)6A复制
导通电阻(RDS(on))44.1mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 3.1W 40V 6A 1个N沟道+1个P沟道 SOIC-8复制
库存:50复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 7复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+1.464937
合计10.25
2-3 工作日内发货

数据20小时前更新

SM4842PRL 产品实物图片
SM4842PRL复制
品牌:SPS(美国源芯)复制
封装:SOP-8复制
复制
数量2个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)7.7A复制
导通电阻(RDS(on))33mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2W 30V 7.7A 2个N沟道 SOIC-8复制
库存:50复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 9复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+1.100067
合计9.9
2-3 工作日内发货

数据20小时前更新

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