baocheng(宝乘)
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类目：
- 整流桥
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 肖特基二极管
- 场效应管(MOSFET)
- 快恢复/高效率二极管
- 稳压二极管
- 通用二极管
- 三极管(BJT)
- 开关二极管
封装：
- SOD-123
- SOD-323
- SOD-123FL
- SMC
- GBU
- GBJ
- SOT-23
- SMB(DO-214AA)
- TO-252
- SMA
- GBP
- GBL
- SMA(DO-214AC)
- TO-263
- DB
- KBJ
- TO-220
- SMC(DO-214AB)
- KBU
- SMB
- DB-S
- SOD-523
- HBS
- R6(P600)
- ABS
- KBL
- 4GBJ
- ITO-220AB
- KBP
- SMAF
- DO-27
- MSBL
- GBJ-6
- HBL
- SMD-4P
- TO-220F
- D3K
- DBS
- SGBJ
- TO-247
- BPSS
- DO-41
- ITO-220
- MD-M
- SMD-4P,7.4X6.7MM
- TO-247-3L
- TO-252-4R
- DFN1006-2L
- ITO-220AB-3
- SMD
- TO-220AB
- DFN0603-2
- DIP-4
- GBPC
- ITO-220AC
- MSB
- SOT-23-3
- UMBF
- SOT-23-6
- TSSOP-8
- WOB
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正向压降(Vf)：1.1V@25A复制
直流反向耐压 (Vr)：1kV复制
整流电流：50A复制
反向电流(Ir)：10uA@1kV复制
描述：方桥@@：直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：50A 正向压降(Vf)：1.1@25A 反向电流(Ir)：10μA@1kV 正向浪涌电流(Ifsm) 450A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)复制库存：1复制
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正向压降(Vf)：1.3V@2A复制
直流反向耐压 (Vr)：1kV复制
整流电流：2A复制
反向电流(Ir)：10uA@1kV复制
描述：整流桥 1.1V@2A 1kV 10uA@1kV 2A ABS复制库存：68241复制
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5+￥0.471679
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150+￥0.324053
500+￥0.287096
2500+￥0.257591
5000+￥0.219526
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二极管配置：1个独立式复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
整流电流：150mA复制
直流反向耐压(Vr)：75V复制
描述：直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：25nA@20V 正向浪涌电流(Ifsm)：350mA 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj)复制库存：54600复制
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50+￥0.054579
500+￥0.042596
3000+￥0.03595
6000+￥0.031922
24000+￥0.028498
51000+￥0.026585
合计￥2.73
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正向压降(Vf)：1V@0.4A复制
直流反向耐压 (Vr)：1kV复制
整流电流：800mA复制
反向电流(Ir)：5uA复制
描述：直流反向耐压(Vr)：1000V 平均整流电流(Io)：0.8A 正向压降(Vf)：1V@0.4A 反向电流(Ir)：5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm)：30A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)复制库存：53172复制
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10000+￥0.074015
20000+￥0.068677
合计￥2.95
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正向压降(Vf)：1.1V@1A复制
直流反向耐压 (Vr)：1kV复制
整流电流：1A复制
反向电流(Ir)：10uA复制
描述：普通一般通用贴片整流器GPP工艺复制库存：49882复制
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起订量 : 20复制
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20+￥0.200494
200+￥0.156991
600+￥0.132823
5000+￥0.105534
10000+￥0.093047
20000+￥0.086199
合计￥4.01
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正向压降(Vf)：1.1V@7.5A复制
直流反向耐压 (Vr)：1kV复制
整流电流：15A复制
反向电流(Ir)：10uA@1kV复制
描述：普通一般通用插件整流器复制库存：47271复制
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5+￥1.415741
50+￥1.246565
250+￥1.174061
500+￥1.083532
2500+￥1.043252
5000+￥1.019084
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正向压降(Vf)：1.1V@2A复制
直流反向耐压 (Vr)：1kV复制
整流电流：4A复制
反向电流(Ir)：5uA@1kV复制
描述：整流桥 1.1V@2A 1kV 5uA@1kV 4A复制库存：45825复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 5复制
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5+￥0.480339
50+￥0.419919
150+￥0.389709
500+￥0.367052
3000+￥0.329591
6000+￥0.320528
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二极管配置：1个独立式复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
整流电流：150mA复制
直流反向耐压(Vr)：75V复制
描述：直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：25nA@20V 正向浪涌电流(Ifsm)：2A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)复制库存：45640复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
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50+￥0.066563
500+￥0.051357
3000+￥0.042898
6000+￥0.037863
24000+￥0.033432
51000+￥0.031016
合计￥3.33
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二极管配置：1个独立式复制
耗散功率(Pd)：400mW复制
整流电流：150mA复制
直流反向耐压(Vr)：75V复制
描述：直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：25nA@20V 正向浪涌电流(Ifsm)：2A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)复制库存：39515复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
无法确认批次
50+￥0.049343
500+￥0.038266
3000+￥0.032023
6000+￥0.028297
24000+￥0.025074
51000+￥0.023362
合计￥2.47
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二极管配置：1个独立式复制
正向压降(Vf)：1.1V@1A复制
直流反向耐压(Vr)：1kV复制
整流电流：1A复制
描述：直流反向耐压(Vr)：1000V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm)：30A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)复制库存：37170复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
无法确认批次
50+￥0.05476
500+￥0.043407
1500+￥0.037111
5000+￥0.033295
25000+￥0.030051
50000+￥0.028238
合计￥2.74
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：25V复制
耗散功率(Pd)：300mW复制
描述：集电极电流(IC)：500mA 集射极击穿电压(VCEO)：25V 耗散功率(pd)：300mW 直流电流增益（hfE）： 50@1V,500mA 特征频率(fT):150HZ 集电极截止电流(Icbo) ：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat))：600mV @500mA,50mA 射基极击穿电压(Vebo)：5V 工作温度：-55℃~+155℃@(Tj)复制库存：36610复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
无法确认批次
50+￥0.055687
500+￥0.0431
3000+￥0.036151
6000+￥0.032023
24000+￥0.028397
51000+￥0.026484
合计￥2.78
2-5 工作日内发货数据手册复制
正向压降(Vf)：1.1V@3A复制
直流反向耐压 (Vr)：1kV复制
整流电流：4A复制
反向电流(Ir)：5uA复制
描述：直流反向耐压(Vr)：1000V 平均整流电流(Io)：4A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm)：125A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)复制库存：33856复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 10复制
增量 : 10复制
RoHS
无法确认批次
10+￥0.316198
100+￥0.275918
300+￥0.255778
1000+￥0.240673
5000+￥0.228589
10000+￥0.222547
合计￥3.16
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：200mW复制
描述：集电极电流(IC)：200mA 集射极击穿电压(VCEO)：160V 耗散功率(pd)：300mW 直流电流增益（hfE）： 300@5V,10mA 特征频率(fT):300HZ 集电极截止电流(Icbo) ：50nA 集射极饱和电压(VCE(sat))：200mV @50mA,5mA 射基极击穿电压(Vebo)：6V 工作温度：-55℃~+155℃@(Tj)复制库存：30160复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 100复制
增量 : 100复制
无法确认批次
100+￥0.051861
1000+￥0.040985
3000+￥0.034943
9000+￥0.031318
51000+￥0.028095
99000+￥0.026383
合计￥5.19
2-5 工作日内发货数据手册复制
二极管配置：1个独立式复制
正向压降(Vf)：1.3V@1A复制
直流反向耐压(Vr)：1kV复制
整流电流：1A复制
描述：直流反向耐压(Vr)：1000V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm)：30A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)复制库存：28720复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 100复制
增量 : 100复制
无法确认批次
100+￥0.051458
1000+￥0.040582
3000+￥0.03454
10000+￥0.030915
50000+￥0.027693
100000+￥0.025981
合计￥5.15
2-5 工作日内发货数据手册复制
晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：1.5A复制
集射极击穿电压(Vceo)：25V复制
耗散功率(Pd)：300mW复制
描述：集电极电流(IC)：1.5A 集射极击穿电压(VCEO)：25V 耗散功率(pd)：300mW 直流电流增益（hfE）： 40@1V,800mA 特征频率(fT):150HZ 集电极截止电流(Icbo) ：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat))：500mV @800mA,80mA 射基极击穿电压(Vebo)：5V 工作温度：-55℃~+155℃@(Tj)复制库存：28520复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 50复制
增量 : 50复制
无法确认批次
50+￥0.078143
500+￥0.060219
3000+￥0.050249
6000+￥0.044207
24000+￥0.039072
51000+￥0.036252
合计￥3.91
2-5 工作日内发货还有585条型号未显示
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