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商品分类

首页>商品目录>三极管 / MOS管 / 晶体管>场效应管(MOSFET)

场效应管(MOSFET)

展示方式：

品牌

AF(晶岳)

AGM-Semi(芯控源)

AOS

APEC(富鼎)

ASDsemi(安森德)

品牌归属地

中国台湾

中国大陆

国际

封装/规格

16-SOIC

2-2U1A

2-5Q1S

3-PICOSTAR

4-DSBGA

类型

1个N沟道

1个P沟道

N沟道

N沟道+P沟道

P沟道

数量

1个N沟道

1个N沟道+1个P沟道

1个P沟道

2个N沟道

2个N沟道+2个P沟道

配置

全桥

共源

共漏

半桥

独立式

漏源电压(Vdss)

1.05kV

1.2kV

1.5kV

1.7kV

100V

连续漏极电流(Id)

1.03A

1.03A；700mA

1.05A

1.066A

1.13A

导通电阻(RDS(on))

0.44mΩ@10V

0.5mΩ@10V

0.68mΩ@10V

0.71mΩ@10V

0.72mΩ@10V

栅极电压(Vgs)

25V

40V

±10V

±12V

阈值电压(Vgs(th))

1.06V

1.15V

1.1V

1.25V

1.2V

输入电容(Ciss)

1.002nF

1.003nF

1.004nF

1.005nF

1.006nF

输出电容(Coss)

1.012nF

1.025nF

1.026nF

1.029nF

1.02nF

耗散功率(Pd)

0.47mW

0.65mW

0.7mW

0.9mW

1.02W

栅极电荷量(Qg)

1.02nC@4.5V

1.04nC@10V

1.04nC@4.5V

1.05nC@10V

1.07nC@4.5V

反向传输电容(Crss)

0.025pF

0.17pF

0.1pF

0.27pF

0.2pF

工作温度

-40°C ~ 150°C（TJ）

-40℃~+150℃

-40℃~+175℃

-40℃~+85℃

-50℃~+150℃

认证信息

RoHS认证

包装/方式

托盘

盒装

管装

编带

袋装

隐藏不可选项

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

AO3401A复制

品牌：UMW(友台半导体)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个P沟道复制

漏源电压(Vdss)：30V复制

连续漏极电流(Id)：4.2A复制

导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.2A 1个P沟道复制

库存：951682复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.12765

3000+￥0.11322

量大可议价

合计￥0.13

AO3400A复制

品牌：UMW(友台半导体)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：30V复制

连续漏极电流(Id)：5.8A复制

导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道复制

库存：903439复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.1288

3000+￥0.11424

量大可议价

合计￥0.13

2N7002复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：115mA复制

导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道复制

库存：862752复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.081648

3000+￥0.0648

量大可议价

合计￥0.08

L2N7002LT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：115mA复制

导通电阻(RDS(on))：1.4Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 115mA 1个N沟道复制

库存：755190复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.0605

3000+￥0.048

量大可议价

合计￥0.06

FDV301N复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：25V复制

连续漏极电流(Id)：220mA复制

导通电阻(RDS(on))：5Ω@2.7V复制

描述：场效应管(MOSFET) 350mW 25V 220mA 1个N沟道复制

库存：605695复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.129

3000+￥0.114

量大可议价

合计￥0.13

2N7002KT1G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：380mA复制

导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V复制

描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 320mA 1个N沟道复制

库存：600705复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.139

3000+￥0.123

量大可议价

合计￥0.14

2N7002,215复制

品牌：Nexperia(安世)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：300mA复制

导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 830mW 60V 300mA 1个N沟道复制

库存：473266复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.0756

3000+￥0.06

量大可议价

合计￥0.08

BSS138LT1G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：50V复制

连续漏极电流(Id)：200mA复制

导通电阻(RDS(on))：5.6Ω@2.75V复制

描述：场效应管(MOSFET) 225mW 50V 200mA 1个N沟道复制

库存：443596复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.168

3000+￥0.149

量大可议价

合计￥0.17

WNM2016A-3/TR复制

品牌：WILLSEMI(韦尔)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：20V复制

连续漏极电流(Id)：4.7A复制

导通电阻(RDS(on))：33mΩ@4.5V复制

描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）复制

库存：349414复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.192

3000+￥0.17

量大可议价

合计￥0.19

SI2301CDS-T1-GE3复制

品牌：VISHAY(威世)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个P沟道复制

漏源电压(Vdss)：20V复制

连续漏极电流(Id)：3.1A复制

导通电阻(RDS(on))：142mΩ@2.5V复制

描述：场效应管(MOSFET) 860mW；1.6W 20V 3.1A 1个P沟道复制

库存：344959复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥0.363

3000+￥0.339

量大可议价

合计￥0.36

LBSS84LT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个P沟道复制

漏源电压(Vdss)：50V复制

连续漏极电流(Id)：130mA复制

导通电阻(RDS(on))：10Ω@5V复制

描述：场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道复制

库存：337545复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：两年内

1+￥0.084

3000+￥0.0666

量大可议价

合计￥0.08

BSS84复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个P沟道复制

漏源电压(Vdss)：50V复制

连续漏极电流(Id)：130mA复制

导通电阻(RDS(on))：4.5Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 360mW 50V 130mA 1个P沟道复制

库存：334844复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.101088

3000+￥0.080136

量大可议价

合计￥0.1

AON7544复制

品牌：AOS复制

封装：DFN-8(3x3)复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：30V复制

连续漏极电流(Id)：30A复制

导通电阻(RDS(on))：5mΩ@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 23W 30V 30A 1个N沟道复制

库存：299417复制

最小包 : 5000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥0.392

5000+￥0.37

量大可议价

合计￥0.39

2N7002LT1G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：115mA复制

导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 225mW 60V 115mA 1个N沟道复制

库存：278306复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.122

3000+￥0.108

量大可议价

合计￥0.12

WNM2016-3/TR复制

品牌：WILLSEMI(韦尔)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：20V复制

连续漏极电流(Id)：3.2A复制

导通电阻(RDS(on))：66mΩ@1.8V复制

描述：场效应管(MOSFET) 700mW 20V 2.9A 1个N沟道复制

库存：251015复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.209

3000+￥0.185

量大可议价

合计￥0.21

2N7002P,215复制

品牌：Nexperia(安世)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：360mA复制

导通电阻(RDS(on))：1.6Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 350mW 60V 360mA 1个N沟道复制

库存：246185复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.12

3000+￥0.095

量大可议价

合计￥0.12

RUM002N02T2L复制

品牌：ROHM(罗姆)复制

封装：SOT-723复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：20V复制

连续漏极电流(Id)：200mA复制

导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@1.5V复制

描述：场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道复制

库存：244705复制

最小包 : 8000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.107

8000+￥0.088

量大可议价

合计￥0.11

ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣

2N7002ET1G复制

品牌：ON(安森美)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：310mA复制

导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V复制

描述：场效应管(MOSFET) 300mW 60V 260mA 1个N沟道复制

库存：242634复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.119

3000+￥0.105

量大可议价

合计￥0.12

LBSS123LT1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：100V复制

连续漏极电流(Id)：170mA复制

导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 225mW 100V 170mA 1个N沟道复制

库存：239029复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.0916

3000+￥0.0728

量大可议价

合计￥0.09

2N7002K-T1-GE3复制

品牌：VISHAY(威世)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

别名：2N7002K-T1-E3复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：300mA复制

导通电阻(RDS(on))：2Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 350mW 60V 300mA 1个N沟道复制

库存：227963复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.16

3000+￥0.142

量大可议价

合计￥0.16

2N7002K-T1-GE3复制

品牌：VISHAY(威世)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

别名：2N7002K-T1-E3复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：300mA复制

导通电阻(RDS(on))：2Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 350mW 60V 300mA 1个N沟道复制

库存：21复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年外

9.8折

1+￥0.1568

量大可议价

合计￥0.16

2N7002K-TP复制

品牌：MCC(美微科)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：340mA复制

导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 350mW 60V 340mA 1个N沟道复制

库存：225405复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.0826

3000+￥0.0655

量大可议价

合计￥0.08

WPM3407-3/TR复制

品牌：WILLSEMI(韦尔)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个P沟道复制

漏源电压(Vdss)：30V复制

连续漏极电流(Id)：4.4A复制

导通电阻(RDS(on))：66mΩ@4.5V复制

描述：场效应管(MOSFET) 1W 30V 3.7A 1个P沟道复制

库存：221570复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.339

3000+￥0.299

量大可议价

合计￥0.34

IRFZ44NPBF复制

品牌：Infineon(英飞凌)复制

封装：TO-220AB复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：55V复制

连续漏极电流(Id)：49A复制

导通电阻(RDS(on))：17.5mΩ@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 94W 55V 49A 1个N沟道复制

库存：216052复制

最小包 : 1000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.901

1000+￥0.831

量大可议价

合计￥0.9

2N7002BK,215复制

品牌：Nexperia(安世)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：350mA复制

导通电阻(RDS(on))：1.6Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 370mW 60V 350mA 1个N沟道复制

库存：196435复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.136

3000+￥0.12

量大可议价

合计￥0.14

2N7002K复制

品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制

封装：SOT-23(SOT-23-3)复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：340mA复制

导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V复制

描述：场效应管(MOSFET) 350mW 60V 340mA 1个N沟道复制

库存：176638复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.10206

3000+￥0.081

量大可议价

合计￥0.1

RK7002BMT116复制

品牌：ROHM(罗姆)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：60V复制

连续漏极电流(Id)：250mA复制

导通电阻(RDS(on))：2.4Ω@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 200mW 60V 250mA 1个N沟道复制

库存：157276复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.10395

3000+￥0.0825

量大可议价

合计￥0.1

ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣

WNM3003-3/TR复制

品牌：WILLSEMI(韦尔)复制

封装：SOT-23复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：30V复制

连续漏极电流(Id)：4A复制

导通电阻(RDS(on))：47mΩ@10V复制

描述：场效应管(MOSFET) 700mW 30V 3.7A 1个N沟道复制

库存：156059复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.339

3000+￥0.299

量大可议价

合计￥0.34

WNM3013-3/TR复制

品牌：WILLSEMI(韦尔)复制

封装：SOT-723复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：50V复制

连续漏极电流(Id)：250mA复制

导通电阻(RDS(on))：15Ω@1.8V复制

描述：场效应管(MOSFET) 380mW 50V 250mA 1个N沟道复制

库存：139138复制

最小包 : 8000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：两年内

1+￥0.129

8000+￥0.118

量大可议价

合计￥0.13

WPM3401-3/TR复制

品牌：WILLSEMI(韦尔)复制

封装：SOT-23-3L复制

类目：场效应管(MOSFET)

￥12领取

数据手册复制

数量：1个P沟道复制

漏源电压(Vdss)：30V复制

连续漏极电流(Id)：4.6A复制

导通电阻(RDS(on))：56mΩ@4.5V复制

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 4.6A 1个P沟道复制

库存：137369复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：两年内

1+￥0.385

3000+￥0.36

量大可议价

合计￥0.39

WNM2030-3/TR复制

品牌：WILLSEMI(韦尔)复制

封装：SOT-723复制

类目：场效应管(MOSFET)

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数量：1个N沟道复制

漏源电压(Vdss)：20V复制

连续漏极电流(Id)：950mA复制

导通电阻(RDS(on))：310mΩ@4.5V复制

描述：场效应管(MOSFET) 370mW 20V 880mA 1个N沟道复制

库存：133361复制

最小包 : 8000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：两年内

1+￥0.109

8000+￥0.089

量大可议价

合计￥0.11

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