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型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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耗散功率(Pd)：142W复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：20A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：2.05V@20A,15V复制
描述：工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于小电源，电机驱动行业。复制
库存：105复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：下单后确认
1+￥9.2114
10+￥7.685
30+￥6.6568
90+￥5.7028
合计￥9.21
2-5 工作日内发货复制
耗散功率(Pd)：250W复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：80A复制
集电极脉冲电流(Icm)：120A复制
描述：工规级 IGBT单管 TO-247，广泛应用于各类逆变器行业。复制
库存：102复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：下单后确认
1+￥10.6424
10+￥9.0524
30+￥8.056
90+￥7.0278
合计￥10.64
2-5 工作日内发货数据手册复制
耗散功率(Pd)：210W复制
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV复制
集电极电流(Ic)：25A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：2.25V@25A,15V复制
描述：工规级 IGBT单管 N沟道，TO247，广泛应用于高频电源行业。复制
库存：101复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：下单后确认
1+￥12.8472
10+￥10.9286
30+￥9.3492
90+￥8.1196
合计￥12.85
2-5 工作日内发货复制
耗散功率(Pd)：272W复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：130A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：2V@65A,15V复制
描述：工规级 IGBT单管 TO-3P，广泛应用于各类逆变器/焊机行业。复制
库存：99复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：下单后确认
1+￥14.9036
10+￥12.667
30+￥11.2678
90+￥9.8368
合计￥14.9
2-5 工作日内发货复制
耗散功率(Pd)：250W复制
集射极击穿电压(Vces)：650V复制
集电极电流(Ic)：40A复制
集射极饱和电压(VCE(sat))：2.4V@40A,15V复制
描述：特性：高击穿电压至650V，提高可靠性。 沟槽截止技术提供: 高速开关。 高坚固性，温度稳定。 短路耐受时间：5μs。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。应用：不间断电源。 逆变器复制
库存：89复制
最小包 : 30复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：下单后确认
1+￥10.6424
10+￥9.0524
30+￥8.056
90+￥7.0278
合计￥10.64
2-5 工作日内发货数据手册复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：120A复制
耗散功率(Pd)：236W复制
描述：工规级 IGBT单管@@SGT MOS，Vds=110V，Rdson=4.2mΩ，TO220，广泛应用于各类高频电源行业。复制
库存：88复制
最小包 : 50复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：下单后确认
1+￥8.851
10+￥7.3246
50+￥6.2328
100+￥5.2788
合计￥8.85
2-5 工作日内发货