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HUAYI(华羿微)
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：200A复制
导通电阻(RDS(on))：1.4mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 75W 40V 200A 1个N沟道复制
库存：53007复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥2.45
5000+￥2.35
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合计￥2.45
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：170A复制
导通电阻(RDS(on))：3.8mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 130W 60V 170A 1个N沟道复制
库存：10045复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.79
5000+￥1.7
量大可议价
合计￥1.79
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：65A复制
导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 48W 40V 65A 1个N沟道复制
库存：8823复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.755
5000+￥0.699
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合计￥0.76
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：210A复制
导通电阻(RDS(on))：1.6mΩ@10V复制
描述：特性：60V/210A-RDS(ON) = 1.6mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用复制
库存：5000复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥2.87
5000+￥2.75
量大可议价
合计￥2.87
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：130A复制
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@4.5V复制
描述：MOSFET复制
库存：4837复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.971
5000+￥0.92
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合计￥0.97
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：230A复制
导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ@4.5V复制
描述：30V/150A。RDS(ON)=1.3mΩ（典型值），VGS=10V；RDS(ON)=2.0mΩ（典型值），VGS=4.5V。经过100%雪崩测试复制
库存：4205复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.06
5000+￥1
量大可议价
合计￥1.06
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：72A复制
导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 62.5W 40V 72A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)复制
库存：2498复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.922
800+￥0.85
量大可议价
合计￥0.92
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描述：-
库存：2498复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：24+
1+￥1.16
2500+￥1.1
量大可议价
合计￥1.16
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：40A复制
导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V复制
描述：特性：-60V/-40A。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -10V。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -4.8V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 DC/DC电源管理复制
库存：2449复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥0.727
5000+￥0.673
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合计￥0.73
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：80V复制
连续漏极电流(Id)：80A复制
导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 75W 80V 80A 1个N沟道复制
库存：2380复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥1.09
2500+￥1.03
量大可议价
合计￥1.09
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：80V复制
连续漏极电流(Id)：80A复制
导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 75W 80V 80A 1个N沟道复制
库存：49复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥1.0682
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合计￥1.07
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：80V复制
连续漏极电流(Id)：90A复制
导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 64W 80V 90A 1个N沟道复制
库存：2170复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥1.19
2500+￥1.12
量大可议价
合计￥1.19
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：80V复制
连续漏极电流(Id)：90A复制
导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 64W 80V 90A 1个N沟道复制
库存：54复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥1.1662
量大可议价
合计￥1.17
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：65A复制
导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 71W 100V 65A 1个N沟道复制
库存：2171复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥1.11
5000+￥1.05
量大可议价
合计￥1.11
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：320A复制
导通电阻(RDS(on))：1.7mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 250W 40V 320A 1个N沟道复制
库存：479复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥2.09
2000+￥2
量大可议价
合计￥2.09
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：80A复制
导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V复制
描述：特性：100V / -80A。 RDS(ON)=20 mΩ(typ.) @ VGS=-10V。 RDS(ON)=24 mΩ(typ.) @ VGS=-4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：便携式设备和电池供电系统。 DC-DC转换器复制
库存：399复制
最小包 : 800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥2.72
800+￥2.6
量大可议价
合计￥2.72
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：80V复制
连续漏极电流(Id)：200A复制
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 345W 80V 200A 1个N沟道 TO-263-2复制
库存：395复制
最小包 : 800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥3.33
800+￥3.2
量大可议价
合计￥3.33
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