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华羿微电子股份有限公司

华羿微电子股份有限公司成立于2017年，是一家专注于半导体功率器件研发、生产和销售的高科技企业。公司致力于为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案，涵盖了功率器件的封装技术和材料应用。华羿微电拥有完善的技术平台，能够提供包括MOSFET、IGBT等在内的多种产品，年生产能力达到15亿块。公司产品广泛应用于电动车、汽车电子、5G基站、电动工具、储能和消费电子等多个领域，致力于推动电力电子技术的发展与创新。通过持续的技术研发与市场拓展，华羿微电努力提升在国内外市场的竞争力，并与多家知名企业建立了良好的合作关系。

分类 :

全部场效应管(MOSFET)(20)

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营HYG025N06LS1C2

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：PDFN5x6-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：170A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 130W 60V 170A 1个N沟道 DFN-8(5.2x5.9)

库存：4962

批次 : 25+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.76

5000+￥1.68

50000+

量大可议价

合计：￥1.76

自营HYG045P03LQ1S

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：SOP8L

手册：-

库存：2500

批次 : 24+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.25

2500+￥1.2

37500+

量大可议价

合计：￥1.25

自营HYG180N10LS1D

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-252-2L

手册：-

库存：2366

批次 : 24+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.68

2500+￥0.631

25000+

量大可议价

合计：￥0.68

自营HY19P03D

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-252-2L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：90A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,45A

描述：场效应管(MOSFET) 50W 30V 90A 1个P沟道 TO-252-2

库存：2158

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.777

2500+￥0.72

25000+

量大可议价

合计：￥0.78

自营HYG053N10NS1B

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-263-2L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：120A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.8mΩ@10V,50A

描述：场效应管(MOSFET) 187.5W 100V 120A 1个N沟道 TO-263-2

库存：1615

批次 : 2年内

最小包 : 800

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.42

800+￥1.32

8000+

量大可议价

合计：￥1.42

自营HYG022N10NS1TA

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TOLL

手册：-

描述：场效应管(MOSFET) 312W 100V 249A 1个N沟道 TOLL

库存：1012

批次 : 24+

最小包 : 1200

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥3.33

1200+￥3.2

18000+

量大可议价

合计：￥3.33

自营HY19P03B

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-263-2

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：90A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,45A

描述：场效应管(MOSFET) 96W 30V 90A 1个P沟道 TO-263-2

库存：791

批次 : 24+

最小包 : 800

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.22

800+￥1.13

16000+

量大可议价

合计：￥1.22

自营HYG210P06LQ1D

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-252

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：40A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 60W 60V 40A 1个P沟道 TO-252-2

库存：736

批次 : 25+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.767

2500+￥0.71

25000+

量大可议价

合计：￥0.77

自营HYG011N04LS1TA

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TOLL

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：320A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.3mΩ@4.5V,50A

描述：场效应管(MOSFET) 250W 40V 320A 1个N沟道 TOLL

库存：675

批次 : 2年内

最小包 : 1200

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥2.09

1200+￥2

12000+

量大可议价

合计：￥2.09

自营HY1908D

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-252-2(DPAK)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：80V

连续漏极电流(Id)：90A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,45A

描述：场效应管(MOSFET) 64W 80V 90A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)

库存：504

批次 : 2年内

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.16

2500+￥1.1

37500+

量大可议价

合计：￥1.16

自营HYG060N08NS1D

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-252-2L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：80V

连续漏极电流(Id)：80A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.7mΩ@10V,40A

描述：场效应管(MOSFET) 75W 80V 80A 1个N沟道 TO-252-2

库存：395

批次 : 23+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.16

2500+￥1.1

25000+

量大可议价

合计：￥1.16

自营HY15P03C2

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：PDFN5X6-8L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：60A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 52W 30V 60A 1个P沟道 DFN-8(5.2x5.9)

库存：292

批次 : 23+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.897

5000+￥0.85

50000+

量大可议价

合计：￥0.9

自营HYG120P06LR1D

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-252-2L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：55A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 75W 60V 55A 1个P沟道 TO-252

库存：255

批次 : 23+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.25

2500+￥1.2

25000+

量大可议价

合计：￥1.25

自营HY1904C2

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：PPAK5*6-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：65A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 48W 40V 65A 1个N沟道 PPAK-8L(5x6)

库存：250

批次 : 22+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.755

5000+￥0.699

50000+

量大可议价

合计：￥0.76

自营HYG080N10LS1C2

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：PDFN5x6-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：65A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.4mΩ@4.5V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 71W 100V 65A 1个N沟道 TDFN-8(5.2x5.9)

库存：99

批次 : 23+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.02

5000+￥0.97

50000+

量大可议价

合计：￥1.02

自营HYG053N10NS1C2

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：PDFN5x6-8L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：95A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 83.3W 100V 95A 1个N沟道 PDFN-8(5x5.8)

库存：97

批次 : 24+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.33

5000+￥1.27

50000+

量大可议价

合计：￥1.33

自营HYG016N10NS1TA

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TOLL

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：370A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.35mΩ@10V,100A

库存：75

批次 : 23+

最小包 : 1200

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥4.44

1200+￥4.26

12000+

量大可议价

合计：￥4.44

自营HYG200P10LR1P

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-220FB-3L

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：80A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,40A

描述：场效应管(MOSFET) 214W 100V 80A 1个P沟道 TO-220FB-3

库存：60

批次 : 23+

最小包 : 50

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥2.59

50+￥2.4

500+

量大可议价

合计：￥2.59

自营HYG025N06LS1D

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：TO-252-2L

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：160A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 125W 60V 160A 1个N沟道 TO-252-2

库存：38

批次 : 23+

最小包 : 2500

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.67

2500+￥1.6

25000+

量大可议价

合计：￥1.67

自营HYG090ND06LS1C2

品牌：HUAYI(华羿微)

封装：PDFN5x6-8

手册：-

类型：2个N沟道

漏源电压(Vdss)：60V

连续漏极电流(Id)：56A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.2mΩ@4.5V,20A

描述：场效应管(MOSFET) 60W 60V 56A 2个N沟道 PDFN-8(5.2x5.9)

库存：19

批次 : 23+

最小包 : 5000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.16

5000+￥1.1

50000+

量大可议价

合计：￥1.16

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