HUAYI(华羿微)
类目：
- 场效应管(MOSFET)
封装：
- TO-252-2L
- TO-263-2L
- PDFN5X6-8L
- TO-247A-3L
- TOLL
- PDFN-8(5X6)
- TO-220FB
- TO-220FB-3
- TO-220FB-3L
- PPAK-8L(5X6)
- PPAK5X6-8L
- TO-252-2(DPAK)
- TO-263-6
- PDFN-8(5.9X5.2)
- PDFN-8L(5X6)
- PPAK5*6-8L
- SOP-8
- TO-252
- TO-252-2
- TO-263
- TO-263-2
- TOLL-8
- TOLL-8L
- COB
- DFN-8(5.1X5.8)
- DFN-8(5.2X5.9)
- DFN-8(5X6)
- DFN3X3-8L
- DFN5X6-8
- MODULE_14X25MM
- PDFN-8(3.1X3.1)
- PDFN-8(4.9X5.8)
- PDFN-8(5.1X5.8)
- PDFN-8L(3.3X3.3)
- PDFN5X6-8
- PPAK-8(5X6)
- SOP8L
- TAG
- TDSON-8(5.2X5.9)
- TO-220
- TO-247AC
- TO-263-6L
- TO220FB-3L
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：200A复制
导通电阻(RDS(on))：1.4mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 75W 40V 200A 1个N沟道复制库存：42835复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥2.27
5000+￥2.18
量大可议价
合计￥2.27
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：65A复制
导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 71W 100V 65A 1个N沟道复制库存：12079复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥1.38
5000+￥1.31
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：170A复制
导通电阻(RDS(on))：3.8mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 130W 60V 170A 1个N沟道复制库存：9444复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.79
5000+￥1.7
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：95A复制
导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V复制
描述：特性：100V/95A，导通电阻RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 电机控制与驱动复制库存：7228复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：26+
1+￥1.37
2500+￥1.3
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合计￥1.37
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：65A复制
导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 48W 40V 65A 1个N沟道复制库存：7153复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：25+
1+￥0.712
5000+￥0.661
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合计￥0.71
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：84A复制
导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ@10V复制
描述：PDFN-8L(5x6)复制库存：5000复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.575
5000+￥0.534
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合计￥0.57
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：150A复制
导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 75W 40V 150A 1个N沟道 DFN-8(5.2x5.9)复制库存：5000复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.5
5000+￥1.42
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：55A复制
导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 62.5W 40V 55A 1个P沟道复制库存：4973复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.89692
5000+￥0.88
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合计￥0.9
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：78A复制
导通电阻(RDS(on))：6.3mΩ@4.5V复制
描述：TO-252-2L复制库存：4458复制
最小包 : 2500复制
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增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.576
2500+￥0.533
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合计￥0.58
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：210A复制
导通电阻(RDS(on))：1.6mΩ@10V复制
描述：特性：60V/210A-RDS(ON) = 1.6mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100% 雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用复制库存：3098复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥2.73
5000+￥2.62
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合计￥2.73
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漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：230A复制
导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ@4.5V复制
描述：30V/150A。RDS(ON)=1.3mΩ（典型值），VGS=10V；RDS(ON)=2.0mΩ（典型值），VGS=4.5V。经过100%雪崩测试复制库存：2656复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.02
5000+￥0.971
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合计￥1.02
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复制
描述：-
库存：2490复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：24+
1+￥1.13
2500+￥1.07
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合计￥1.13
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：55A复制
导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 75W 60V 55A 1个P沟道复制库存：2486复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.25
2500+￥1.2
量大可议价
合计￥1.25
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：40V复制
连续漏极电流(Id)：72A复制
导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 62.5W 40V 72A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)复制库存：2484复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.922
800+￥0.85
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合计￥0.92
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：40A复制
导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V复制
描述：特性：-60V/-40A。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -10V。 RDS(ON) = 20mΩ (typ.)@VGS = -4.8V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 DC/DC电源管理复制库存：1979复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥0.701
5000+￥0.65
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合计￥0.7
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