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FET输入运放

展示方式:
品牌
ADI(亚德诺)/LINEAR
CJ(江苏长电/长晶)
HGSEMI(华冠)
NISSHINBO
ON(安森美)
品牌归属地
中国台湾
中国大陆
国际
封装/规格
14-DIP
14-SOIC
14-TSSOP
16-SOIC
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
放大器数
单路
双路
四路
单电源电压
24V
26V
3.1V~5.25V
3.5V~18V
36V
双电源电压(Vee~Vcc)
-12V~12V
-13V~-2.5V;2.5V~13V
-13V~-5V;5V~13V
-15V~-5V;5V~15V
-15V~15V
轨到轨
轨到轨输入,轨到轨输出
轨到轨输出
压摆率(SR)
10V/us
125V/us
12V/us
13V/us
1500V/us
共模抑制比(CMRR)
-100dB
-83dB
100dB
101dB
105dB
输入偏置电流(Ib)
0.003pA
0.25pA
0.9pA
100nA
100pA
输入失调电压(Vos)
1.5mV
1.7mV
1000uV
120uV
15mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
0.1uV/℃
0.35uV/℃
0.45uV/℃
0.4uV/℃
0.5uV/℃
输入失调电流(Ios)
0.01nA
0.5nA
0.5pA
1.5nA
1.5pA
静态电流(Iq)
1.13mA
1.2mA
1.35mA
1.4mA
1.5mA
输出电流
10mA
15mA
16mA
20mA
26mA
输入电压噪声密度(eN)
11nV/√Hz@100kHz
12.5nV/√Hz@1kHz
12nV/√Hz@1000Hz
12nV/√Hz@10kHz
13nV/√Hz@10kHz
工作温度
-40°C ~ 125°C
-40℃~+105℃
-40℃~+125℃
-40℃~+85℃
-55℃~+125℃
功能特性
EMI滤波/RF抑制;使能/关断功能
ESD保护
ESD保护;使能/关断功能
ESD保护;去补偿稳定
ESD保护;过压保护
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
盒装
管装
编带
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
TL084IDT 产品实物图片
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品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SOIC-14复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)4MHz复制
输入偏置电流(Ib)5pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 3mV 四路 20pA 4MHz复制
库存:3复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.593
2500+0.549
量大可议价
合计0.59
TL084IDT 产品实物图片
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品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SOIC-14复制
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放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)4MHz复制
输入偏置电流(Ib)5pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 3mV 四路 20pA 4MHz复制
库存:110150复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.58114
2500+0.53802
量大可议价
合计0.58
TL082IDT 产品实物图片
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品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SO-8复制
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放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)4MHz复制
输入偏置电流(Ib)20pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 16V/us 3mV 20pA 4MHz复制
库存:91312复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.392
2500+0.36
量大可议价
合计0.39
TL074CDT 产品实物图片
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品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SOIC-14复制
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放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)20pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz复制
库存:67487复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.697
2500+0.646
量大可议价
合计0.7
TL074IDT 产品实物图片
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品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SOIC-14复制
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放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)20pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 3mV 四路 20pA 3MHz复制
库存:60754复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.864
2500+0.815
量大可议价
合计0.86
TL074IDT 产品实物图片
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品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SOIC-14复制
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放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)20pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 3mV 四路 20pA 3MHz复制
库存:520复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.84672
量大可议价
合计0.85
TL084CDT 产品实物图片
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品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SOIC-14复制
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放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)4MHz复制
输入偏置电流(Ib)20pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 16V/us 3mV 30pA 4MHz复制
库存:28080复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.588
2500+0.545
量大可议价
合计0.59
TL072IDR 产品实物图片
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品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-8复制
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放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)65pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 65pA 5.25MHz复制
库存:27106复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.477
2500+0.438
量大可议价
合计0.48
TL062CDR 产品实物图片
自营TL062CDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-8复制
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放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)1MHz复制
输入偏置电流(Ib)30pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz复制
库存:23850复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.594
2500+0.55
量大可议价
合计0.59
TL074HIDR 产品实物图片
自营TL074HIDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-14复制
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放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)5.25MHz复制
输入偏置电流(Ib)1pA复制
输入失调电压(Vos)1mV复制
描述:IC J-FET 4 CIRC复制
库存:19860复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.777
2500+0.72
量大可议价
合计0.78
TL084IDR 产品实物图片
自营TL084IDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-14复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)200pA复制
输入失调电压(Vos)15mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz复制
库存:17654复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.68
2500+0.631
量大可议价
合计0.68
TL071CDR 产品实物图片
自营TL071CDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-8复制
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放大器数单路复制
增益带宽积(GBP)5.25MHz复制
输入偏置电流(Ib)65pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 65pA 5.25MHz复制
库存:15162复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.67
2500+0.62
量大可议价
合计0.67
TL071CDR 产品实物图片
自营TL071CDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-8复制
12领取
放大器数单路复制
增益带宽积(GBP)5.25MHz复制
输入偏置电流(Ib)65pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 65pA 5.25MHz复制
库存:1复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.6566
量大可议价
合计0.66
TL064CDR 产品实物图片
自营TL064CDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-14复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)1MHz复制
输入偏置电流(Ib)30pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz复制
库存:14250复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+1.41
2500+1.34
量大可议价
合计1.41
TL064CDR 产品实物图片
自营TL064CDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-14复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)1MHz复制
输入偏置电流(Ib)30pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz复制
库存:69复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+1.3818
量大可议价
合计1.38
MC33074ADR2G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOIC-14复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)4.5MHz复制
输入偏置电流(Ib)100nA复制
输入失调电压(Vos)500uV复制
描述:FET输入运放 13V/us 500uV 100nA 4.5MHz复制
库存:14111复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+1.1
2500+1.03
量大可议价
合计1.1
TL082CDR 产品实物图片
自营TL082CDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-8复制
12领取
放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)30pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz复制
库存:13466复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.49
2500+0.45
量大可议价
合计0.49
TL074CDR 产品实物图片
自营TL074CDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-14复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)65pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 65pA 5.25MHz复制
库存:10813复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+1.22
2500+1.15
量大可议价
合计1.22
TL072CDT 产品实物图片
自营TL072CDT复制
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SO-8复制
12领取
放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)4MHz复制
输入偏置电流(Ib)20pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 3mV 双路 20pA 4MHz复制
库存:10346复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.529
2500+0.485
量大可议价
合计0.53
MC33074ADTBR2G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:14-TSSOP复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)4.5MHz复制
输入偏置电流(Ib)100nA复制
输入失调电压(Vos)500uV复制
描述:运算放大器 13V/us 四路 100nA 4.5MHz TSSOP-14复制
库存:9899复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+1.41
2500+1.34
量大可议价
合计1.41
TL074IDR 产品实物图片
自营TL074IDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-14复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)65pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 65pA 5.25MHz复制
库存:9110复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.745
2500+0.689
量大可议价
合计0.75
TL084CDR 产品实物图片
自营TL084CDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-14复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)30pA复制
输入失调电压(Vos)15mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz复制
库存:8340复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.777
2500+0.72
量大可议价
合计0.78
CJ(江苏长电/长晶) 授权圣禾堂在线为代理商
自营TL082复制
封装:SOP-8复制
12领取
功能特性短路保护;内置补偿复制
描述:-
库存:7988复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.728
4000+0.676
量大可议价
合计0.73
MC34072DR2G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOIC-8复制
12领取
放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)4.5MHz复制
输入偏置电流(Ib)100nA复制
输入失调电压(Vos)1mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 1mV 100nA 4.5MHz复制
库存:7334复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+0.693
2500+0.641
量大可议价
合计0.69
LF353DR 产品实物图片
自营LF353DR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-8复制
12领取
放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)50pA复制
输入失调电压(Vos)5mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 5mV 50pA 3MHz复制
库存:7257复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.479
2500+0.44
量大可议价
合计0.48
TL074G-S14-R 产品实物图片
品牌:UTC(友顺)复制
封装:SOP-14复制
12领取
放大器数四路复制
增益带宽积(GBP)25MHz复制
输入偏置电流(Ib)20pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 TL074G-S14-R复制
库存:6987复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.74368
2500+0.6888
量大可议价
合计0.74
UTC(友顺)点击线下购买享更多折扣
TL081CP 产品实物图片
自营TL081CP复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:DIP-8复制
12领取
放大器数单路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)30pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz复制
库存:6874复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
1+1.89
1000+1.74
量大可议价
合计1.89
TL062CDT 产品实物图片
自营TL062CDT复制
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SO-8复制
12领取
增益带宽积(GBP)1MHz复制
输入偏置电流(Ib)30pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
共模抑制比(CMRR)86dB复制
描述:FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz复制
库存:5731复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.446
2500+0.41
量大可议价
合计0.45
TL062CDT 产品实物图片
自营TL062CDT复制
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SO-8复制
12领取
增益带宽积(GBP)1MHz复制
输入偏置电流(Ib)30pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
共模抑制比(CMRR)86dB复制
描述:FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz复制
库存:1048复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.43708
量大可议价
合计0.44
TL081HIDBVR 产品实物图片
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOT-23-5复制
12领取
放大器数单路复制
增益带宽积(GBP)5.25MHz复制
输入偏置电流(Ib)300pA复制
输入失调电压(Vos)1mV复制
描述:FET输入运放 20V/us 1mV 1pA 5.25MHz复制
库存:6410复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.876
3000+0.831
量大可议价
合计0.88
TL072HIDR 产品实物图片
自营TL072HIDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-8复制
12领取
放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)5.25MHz复制
输入偏置电流(Ib)1pA复制
输入失调电压(Vos)1mV复制
描述:FET输入运放 -40℃~+125℃ 20V/us 1pA 3MHz复制
库存:6366复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.765
3000+0.71
量大可议价
合计0.77
TL081CDR 产品实物图片
自营TL081CDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-8复制
12领取
放大器数单路复制
增益带宽积(GBP)3MHz复制
输入偏置电流(Ib)200pA复制
输入失调电压(Vos)6mV复制
描述:FET输入运放 13V/us 3mV 30pA 3MHz复制
库存:6321复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.869
2500+0.82
量大可议价
合计0.87
TL062IDR 产品实物图片
自营TL062IDR复制
品牌:TI(德州仪器)复制
封装:SOIC-8复制
12领取
放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)1MHz复制
输入偏置电流(Ib)30pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 3.5V/us 3mV 30pA 1MHz复制
库存:6233复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.573
2500+0.53
量大可议价
合计0.57
TL082CDT 产品实物图片
自营TL082CDT复制
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SO-8复制
12领取
放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)4MHz复制
输入偏置电流(Ib)100pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 16V/us 3mV 20pA 4MHz复制
库存:6125复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.435
2500+0.399
量大可议价
合计0.44
TL082CDT 产品实物图片
自营TL082CDT复制
品牌:ST(意法半导体)复制
封装:SO-8复制
12领取
放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)4MHz复制
输入偏置电流(Ib)100pA复制
输入失调电压(Vos)3mV复制
描述:FET输入运放 16V/us 3mV 20pA 4MHz复制
库存:1复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.4263
量大可议价
合计0.43
MC33072ADR2G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOIC-8复制
12领取
放大器数双路复制
增益带宽积(GBP)4.5MHz复制
输入偏置电流(Ib)100nA复制
输入失调电压(Vos)500uV复制
描述:FET输入运放 13V/us 500uV 100nA 4.5MHz复制
库存:6043复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:24+
1+0.632
2500+0.585
量大可议价
合计0.63
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