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同步动态随机存取内存(SDRAM)
同步动态随机存取内存(SDRAM)
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品牌
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ESMT(台湾晶豪)
ISSI(美国芯成)
WINBOND(华邦)
micron(镁光)
品牌归属地
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中国台湾
国际
封装/规格
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54-TSOP II
FBGA-200(10x14.5)
TFBGA-90(8x13)
TSOP-54-10.2mm
TSOP-II-54
存储容量
更多
128Mbit
256Mbit
4Gbit
64Mbit
时钟频率(fc)
更多
1.6GHz
143MHz
166MHz
167MHz
工作电压
更多
1.7V~1.95V;570mV~650mV;1.06V~1.17V
3V~3.6V
工作温度
更多
-40℃~+105℃
-40℃~+85℃
0℃~+70℃
功能特性
更多
自动预充电;自动刷新
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
自动预充电;自动重置;自动刷新;高速时钟同步
认证信息
更多
RoHS认证
包装/方式
更多
托盘
袋装
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型号/品牌
参数/描述
库存
批次
价格阶梯(含税)
数量
操作
W9812G6KH-6
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品牌:
WINBOND(华邦)
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封装:
TSOPII-54-10.2mm
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
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数据手册
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存储容量:
128Mbit
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时钟频率(fc):
166MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
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描述:
SDRAM-存储器-IC-128Mb-(8M-x-16)-并联-166MHz-5ns-54-TSOP-II
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库存:
1322
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最小包 :
864
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
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两年内
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22.58
864+
¥
22
量大可议价
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¥
22.58
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W9825G6KH-6
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品牌:
WINBOND(华邦)
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封装:
TSOP-54-10.2mm
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
领取
数据手册
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存储容量:
256Mbit
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时钟频率(fc):
166MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
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描述:
SDRAM-存储器-IC-256Mb-(16M-x-16)-并联-166MHz-5ns-54-TSOP-II
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库存:
1113
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最小包 :
864
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
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25+
1+
¥
27.19
864+
¥
26.5
量大可议价
合计
¥
27.19
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W9864G6KH-6I
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品牌:
WINBOND(华邦)
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封装:
TSOP-54-10.2mm
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
领取
数据手册
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存储容量:
64Mbit
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时钟频率(fc):
166MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
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描述:
IC DRAM 64M PARALLEL
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库存:
881
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最小包 :
864
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
两年内
1+
¥
26.16
864+
¥
25.5
量大可议价
合计
¥
26.16
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W9864G6KH-6I
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品牌:
WINBOND(华邦)
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封装:
TSOP-54-10.2mm
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
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数据手册
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存储容量:
64Mbit
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时钟频率(fc):
166MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
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描述:
IC DRAM 64M PARALLEL
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库存:
4
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最小包 :
864
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起订量 :
1
复制
增量 :
1
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RoHS
批次:
两年外
9.8折
1+
¥
25.6368
量大可议价
合计
¥
25.64
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W9825G6KH-6I
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品牌:
WINBOND(华邦)
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封装:
TSOPII-54-10.2mm
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
领取
数据手册
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存储容量:
256Mbit
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时钟频率(fc):
166MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
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描述:
Winbond,
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库存:
653
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最小包 :
864
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起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
RoHS
批次:
26+
1+
¥
46.17
864+
¥
45
量大可议价
合计
¥
46.17
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W9864G6KH-6
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品牌:
WINBOND(华邦)
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封装:
54-TSOP II
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
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数据手册
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存储容量:
64Mbit
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时钟频率(fc):
166MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
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描述:
SDRAM-存储器-IC-64Mb-(4M-x-16)-并联-166MHz-5ns-54-TSOP-II
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库存:
498
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最小包 :
864
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起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
RoHS
批次:
两年内
1+
¥
18.51
864+
¥
18
量大可议价
合计
¥
18.51
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M12L128168A-6TG2N
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品牌:
ESMT(台湾晶豪)
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封装:
TSOP-54-10.2mm
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
领取
数据手册
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存储容量:
128Mbit
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时钟频率(fc):
166MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新
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描述:
其他DRAM
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库存:
3
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最小包 :
1080
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起订量 :
1
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增量 :
1
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批次:
22+
1+
¥
4.83
1080+
¥
4.63
量大可议价
合计
¥
4.83
加入购物车
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IS42S16160J-7TLI
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品牌:
ISSI(美国芯成)
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封装:
TSOP-II-54
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
领取
数据手册
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存储容量:
256Mbit
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时钟频率(fc):
143MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
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描述:
同步动态随机存取内存(SDRAM) 143MHz -40℃~+85℃ 256Mbit 3V~3.6V
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库存:
2
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最小包 :
1080
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
22+
1+
¥
32.43
1080+
¥
31.64
量大可议价
合计
¥
32.43
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MT48LC4M16A2P-6A:J
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品牌:
micron(镁光)
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封装:
TSOPII-54-10.2mm
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
领取
数据手册
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存储容量:
64Mbit
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时钟频率(fc):
167MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
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描述:
SDRAM-存储器-IC-64Mb-(4M-x-16)-并联-167MHz-5.4ns-54-TSOP-II
复制
库存:
1
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最小包 :
1080
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
21+
1+
¥
36.89
1080+
¥
36
量大可议价
合计
¥
36.89
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IS42S32800J-6BLI
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品牌:
ISSI(美国芯成)
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封装:
TFBGA-90(8x13)
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
领取
数据手册
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存储容量:
256Mbit
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时钟频率(fc):
166MHz
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工作电压:
3V~3.6V
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功能特性:
自动预充电;自动刷新;高速时钟同步;自动列地址生成
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描述:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL
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库存:
1
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最小包 :
2400
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
24+
1+
¥
73.95
2400+
¥
72.5
量大可议价
合计
¥
73.95
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直接购买
IS43LQ16256B-062BLI
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品牌:
ISSI(美国芯成)
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封装:
FBGA-200(10x14.5)
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类目:
同步动态随机存取内存(SDRAM)
¥
12
领取
数据手册
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存储容量:
4Gbit
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时钟频率(fc):
1.6GHz
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工作电压:
1.7V~1.95V;570mV~650mV;1.06V~1.17V
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功能特性:
自动预充电;自动重置;自动刷新;高速时钟同步
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描述:
DRAM Mobile LPDDR4 4 Gbit 256M x 16位 1.6 GHz FBGA 200 引脚
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库存:
0
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最小包 :
544
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
-
1+
¥
294.84
量大可议价
合计
¥
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