红外发射管
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正向压降(Vf)：1.35V；2.2V复制
耗散功率(Pd)：160mW复制
波长：940nm复制
辐射强度：40mW/sr@IF=100mA复制
描述：EMITTER IR 940NM 100MA复制库存：146807复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：两年内
1+￥0.496
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正向压降(Vf)：1.35V；2.2V复制
耗散功率(Pd)：160mW复制
波长：940nm复制
辐射强度：40mW/sr@IF=100mA复制
描述：EMITTER IR 940NM 100MA复制库存：3复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：两年外
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正向压降(Vf)：1.2V复制
波长：940nm复制
辐射强度：1mW/sr@IF=20mA复制
工作温度：-25℃~+85℃复制
描述：红外（IR）-发射器-940nm-1.2V-65mA-1mW-sr-@-20mA-20°-1206（3216-公制）复制库存：89732复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
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1500+￥0.145
合计￥0.16
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描述：红外（IR）-发射器-940nm-1.2V-65mA-1mW-sr-@-20mA-20°-2-SMD-无引线复制
库存：86338复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：26+
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合计￥0.24
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正向压降(Vf)：1.2V复制
耗散功率(Pd)：130mW复制
波长：940nm复制
辐射强度：0.5mW/sr@IF=20mA复制
描述：红外发射管 IR12-21C/TR8复制库存：63144复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：26+
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正向压降(Vf)：1.44V复制
耗散功率(Pd)：190mW复制
波长：940nm复制
辐射强度：15mW/sr；120mW/sr复制
描述：HSpeed IR Emitting Diode SF 940nm复制库存：62180复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
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1500+￥2.09
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正向压降(Vf)：1.44V复制
耗散功率(Pd)：190mW复制
波长：940nm复制
辐射强度：15mW/sr；120mW/sr复制
描述：HSpeed IR Emitting Diode SF 940nm复制库存：1复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
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