电源模块
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输入电压：2.8V~6V复制
功率管耐压：24V复制
功率管耐流：1A复制
功率管导通电阻：90mΩ复制
描述：专业电源管理(PMIC) VPS8504B SOT23-6复制库存：10362复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.929
3000+￥0.88
合计￥0.93
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描述：电源IC 4-20V/ 15W High Efficiency Full-Bridge Power Stage for Wireless Charger Transmitter复制
库存：9978复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥1.3
5000+￥1.24
合计￥1.3
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输出通道数：1复制
输出功率：1W复制
工作电压(Vin)：4.5V~5.5V复制
转换效率：88%复制
描述：校验通过!复制库存：8580复制
最小包 : 43复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥2.54
43+￥2.35
合计￥2.54
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驱动配置：低边；高边复制
隔离电压(Vrms)：5700V复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：1复制
描述：IC POWER复制库存：6144复制
最小包 : 850复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.4
850+￥1.3
合计￥1.4
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输入电压：6.5V~30V复制
功率管耐压：30V复制
功率管耐流：500mA复制
功率管导通电阻：250mΩ；600mΩ复制
描述：VPS8703 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。 VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率 MOSFET 驱动的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。复制库存：5720复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥1.58
4000+￥1.5
合计￥1.58
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输入电压：6.5V~30V复制
功率管耐压：30V复制
功率管耐流：500mA复制
功率管导通电阻：250mΩ；600mΩ复制
描述：VPS8703 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。 VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率 MOSFET 驱动的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。复制库存：20复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥1.5484
合计￥1.55
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