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隔离式栅极驱动器
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负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：1复制
拉电流(IOH)：5.2A复制
灌电流(IOL)：5.4A复制
描述：栅极驱动器 容性耦合 5700Vrms 1 通道复制库存：39289复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥2.11
50+￥1.63
1000+￥1.5
量大可议价
合计￥2.11
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描述：电源IC 4-20V/ 15W High Efficiency Full-Bridge Power Stage for Wireless Charger Transmitter复制
库存：9983复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥1.44
5000+￥1.36
量大可议价
合计￥1.44
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驱动配置：半桥复制
隔离电压(Vrms)：2500V复制
通道数：2复制
输入侧工作电压：3V~5.5V复制
描述：隔离式栅极驱动器 NSI6602A-DLAR LGA13复制库存：7014复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥5.47
100+￥4.55
750+￥4.21
1500+￥4.01
3000+￥3.86
量大可议价
合计￥5.47
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负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：1复制
输入侧工作电压：2.5V~5.5V复制
拉电流(IOH)：6A复制
描述：-库存：6940复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥2.262
4000+￥2.146
量大可议价
合计￥2.26
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隔离电压(Vrms)：3000V复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：1复制
输入侧工作电压：3V~17V复制
描述：5A 栅极驱动器 容性耦合 3000Vrms 1 通道 8-SOP复制库存：6131复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥4.52
100+￥3.77
1250+￥3.42
2500+￥3.29
量大可议价
合计￥4.52
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隔离电压(Vrms)：3000V复制
负载类型：MOSFET、IGBT、SiC复制
通道数：1复制
输入侧工作电压：3.1V~17V复制
描述：未分类复制库存：5950复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥2.51
2500+￥2.4
量大可议价
合计￥2.51
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驱动配置：低边；高边复制
隔离电压(Vrms)：5700V复制
负载类型：IGBT、SiC、MOSFET复制
通道数：1复制
描述：4-A/5-A, 5.7-KVRMS复制库存：5140复制
最小包 : 850复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥2.83
850+￥2.7
量大可议价
合计￥2.83
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描述：6A，8A 栅极驱动器 容性耦合 3000Vrms 2 通道 16-SOIC复制
库存：4716复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥3.13
2500+￥2.99
量大可议价
合计￥3.13
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描述： ISOLATED DRIVER复制
库存：3000复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥12.12
1000+￥11.8
量大可议价
合计￥12.12
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描述： ISOLATED DRIVER复制
库存：162复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年外
9.8折
1+￥11.8776
量大可议价
合计￥11.88
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驱动配置：半桥复制
隔离电压(Vrms)：3000V复制
通道数：2复制
输入侧工作电压：3V~5.5V复制
描述：是一款高可靠性隔离双通道栅极驱动器IC，可设计用于驱动开关频率高达2MHz的功率晶体管。每个输出可提供4A的源电流和6A的灌电流峰值，具有25ns的快速传播延迟和最大5ns的延迟匹配。在5mm x 5mm LGA13封装中提供2500Vrms的隔离（符合UL1577标准），SOP16（150mil）封装中提供3000Vrms的隔离，SOP16（300mil）或SOP14（300mil）封装中提供5700Vrms的隔离。典型共模瞬态抗扰度（CMTI）为150kV/μs，支持系统鲁棒性复制库存：2606复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥3.42
2500+￥3.29
量大可议价
合计￥3.42
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隔离电压(Vrms)：3000V复制
负载类型：MOSFET、IGBT、SiC复制
通道数：1复制
输入侧工作电压：3.1V~17V复制
描述：光耦合器件（光耦）复制库存：2519复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥3.77
100+￥3.14
1250+￥2.86
2500+￥2.73
量大可议价
合计￥3.77
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描述：门驱动器 Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs复制
库存：2500复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：22+
1+￥8.25
2500+￥7.98
量大可议价
合计￥8.25
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描述：未分类复制
库存：2476复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：24+
9.5折
1+￥6.118
2500+￥5.909
量大可议价
合计￥6.12
已优惠-￥0.32￥12领取
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驱动配置：半桥复制
隔离电压(Vrms)：5000V复制
负载类型：MOSFET、IGBT、SiC复制
通道数：2复制
描述：4A/6A 5kVRMS dual-channel isolated gate driver with EN and DT pins for IGBT and SiC复制库存：2318复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥6.84
2000+￥6.6
量大可议价
合计￥6.84
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驱动配置：半桥复制
隔离电压(Vrms)：5700V复制
通道数：2复制
输入侧工作电压：3V~5.5V复制
描述：栅极驱动器 高可靠性隔离双通道栅极驱动器,2.7~5.5V,SOP16_300MIL复制库存：2295复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：25+
1+￥4.75
100+￥3.8
1000+￥3.64
量大可议价
合计￥4.75
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驱动配置：低边；高边复制
隔离电压(Vrms)：5700V复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：1复制
描述：IC POWER复制库存：2081复制
最小包 : 850复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥2.16
850+￥2
量大可议价
合计￥2.16
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驱动配置：半桥复制
隔离电压(Vrms)：5700V复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：2复制
描述：栅极驱动器复制库存：2032复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥3.65
2000+￥3.5
量大可议价
合计￥3.65
￥12领取
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驱动配置：半桥复制
隔离电压(Vrms)：5000V复制
负载类型：MOSFET、IGBT、SiC、GaN复制
通道数：2复制
描述：4A/6A, 5-kVRMS dual-channel isolated gate driver with DIS and DT pins for IGBT复制库存：1750复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥5.63
2000+￥5.44
量大可议价
合计￥5.63
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驱动配置：半桥；低边复制
隔离电压(Vrms)：5700V复制
负载类型：MOSFET、IGBT、SiC复制
通道数：1复制
描述：5A 栅极驱动器 光学耦合 5700Vrms 1 通道复制库存：624复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥1.74
1000+￥1.596
量大可议价
合计￥1.74
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￥12领取
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描述： ISOLATED DRIVER复制
库存：1186复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：24+
1+￥11.07
1000+￥10.78
量大可议价
合计￥11.07
￥12领取
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隔离电压(Vrms)：5700V复制
负载类型：MOSFET、IGBT、SiC复制
通道数：1复制
输入侧工作电压：3.1V~17V复制
描述：栅极驱动器复制库存：1123复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
1+￥4.17
1000+￥4
量大可议价
合计￥4.17
￥12领取
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隔离电压(Vrms)：3000V复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：1复制
输入侧工作电压：3V~15V复制
描述：5-A/5-A, 3-KVRMS AUTOMOTIVE复制库存：1000复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥10.25
2000+￥10
量大可议价
合计￥10.25
￥12领取
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隔离电压(Vrms)：3000V复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：1复制
输入侧工作电压：3V~15V复制
描述：5-A/5-A, 3-KVRMS AUTOMOTIVE复制库存：33复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥10.045
量大可议价
合计￥10.05
￥12领取
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驱动配置：半桥；低边；高边复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：2复制
输入侧工作电压：3V~5.5V复制
描述：IC POWER MANAGEMENT复制库存：1000复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥6.71
2000+￥6.49
量大可议价
合计￥6.71
￥12领取
数据手册复制
驱动配置：半桥复制
隔离电压(Vrms)：5000V复制
负载类型：MOSFET、IGBT、SiC、GaN复制
通道数：2复制
描述：4A/6A, 5-kVRMS dual-channel isolated gate driver with DIS and DT pins for IGBT复制库存：999复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥6.22
2000+￥6
量大可议价
合计￥6.22
￥12领取
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驱动配置：低边；高边复制
隔离电压(Vrms)：1500V复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：1复制
描述：4A/5A single-channel opto-compatible isolated gate driver with functional isolation (1.2kVRMS)复制库存：998复制
最小包 : 850复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：23+
1+￥2.24
850+￥2.07
量大可议价
合计￥2.24
￥12领取
数据手册复制
驱动配置：半桥复制
隔离电压(Vrms)：3000复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：2复制
描述：Automotive, 3kVRMS 4A/6A two-channel gate driver with enable logic and programmable deadtime复制库存：998复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥5.05
2000+￥4.85
量大可议价
合计￥5.05
￥12领取
数据手册复制
隔离电压(Vrms)：1200复制
输入侧工作电压：3.1V~5.5V复制
拉电流(IOH)：5A复制
灌电流(IOL)：5A复制
描述：隔离式栅极驱动器 STGAP2HSCMTR SOIC-8-300mil复制库存：996复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
1+￥12.03
1000+￥11.71
量大可议价
合计￥12.03
￥12领取
复制
描述：隔离式栅极驱动器 STGAP2SICSCTR复制
库存：988复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥11.8
1000+￥11.48
量大可议价
合计￥11.8
￥12领取
数据手册复制
驱动配置：高边；低边复制
隔离电压(Vrms)：3750V复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：1复制
描述：数字隔离器 CA-IS3211VCU复制库存：898复制
最小包 : 800复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：24+
8.5折
1+￥2.87334
800+￥2.74482
量大可议价
合计￥2.87
已优惠-￥0.51Chipanalog(川土微)点击线下购买享更多折扣
￥12领取
数据手册复制
驱动配置：半桥；低边；高边复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：2复制
输入侧工作电压：3V~5.5V复制
描述：隔离式栅极驱动器 UCC21222DR复制库存：876复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥7.54
2500+￥7.28
量大可议价
合计￥7.54
￥12领取
数据手册复制
驱动配置：半桥；低边；高边复制
负载类型：IGBT；MOSFET复制
通道数：2复制
输入侧工作电压：3V~5.5V复制
描述：隔离式栅极驱动器 UCC21222DR复制库存：9复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥7.3892
量大可议价
合计￥7.39
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