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光电晶体管
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT26-51B/TR8复制库存：121490复制
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：50mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT12-21B/TR8复制库存：61334复制
最小包 : 2000复制
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批次：26+
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集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
暗电流：100nA复制
描述：红外接收管 PT91-21B/TR7复制库存：31195复制
最小包 : 1000复制
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批次：26+
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT204-6B复制库存：17224复制
最小包 : 1000复制
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批次：两年内
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT204-6B复制库存：33复制
最小包 : 1000复制
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批次：两年外
9.8折
1+￥0.16954
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：70V复制
集电极电流(Ic)：50mA复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：光电晶体管-880nm-顶视图-2-SMD-鸥翼复制库存：16885复制
最小包 : 1000复制
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批次：两年内
1+￥1.66
1000+￥1.54
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：20V复制
集电极电流(Ic)：50mA复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：VEMT2020 Series 860 nm +/-15° 20 V 100 nA NPN复制库存：15157复制
最小包 : 6000复制
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批次：26+
1+￥1.13
6000+￥1.07
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：70V复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：Phototransistor; 3mm; λp max: 850nm; 70V; 50°; Lens: transparent复制库存：14997复制
最小包 : 5000复制
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批次：两年内
1+￥1.54
1753+￥1.47
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集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
暗电流：100nA复制
描述：光电晶体管-940nm-顶视图-1206（3216-公制）复制库存：13419复制
最小包 : 1500复制
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批次：两年内
1+￥0.1806
1500+￥0.16275
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集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
暗电流：100nA复制
描述：光电晶体管-940nm-顶视图-1206（3216-公制）复制库存：96复制
最小包 : 1500复制
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批次：五年外
9.5折
1+￥0.17157
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：光电晶体管-940nm-顶视图-1210（3225-公制）复制库存：12170复制
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批次：两年内
1+￥0.233
1000+￥0.21
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：光电晶体管-940nm-顶视图-1210（3225-公制）复制库存：357复制
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批次：五年外
9.5折
1+￥0.22135
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT334-6B复制库存：12140复制
最小包 : 500复制
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1+￥0.157
500+￥0.141
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集射极击穿电压(Vceo)：20V复制
集电极电流(Ic)：10mA复制
耗散功率(Pd)：50mW复制
暗电流：500nA复制
描述：光电晶体管-600nm-顶视图-非标准型-SMD复制库存：11073复制
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：70V复制
集电极电流(Ic)：50mA复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：TEFT4300 Series 925 nm ±60° 70 V 50 mA Silicon NPN Phototransistor -复制库存：10607复制
最小包 : 5000复制
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批次：23+
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT15-21B/TR8复制库存：8213复制
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批次：两年内
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：50mA复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：贴片发光二极管 XL-1608PDC 0603 接收复制库存：7893复制
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4000+￥0.0953
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW复制库存：3836复制
最小包 : 3000复制
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW复制库存：3000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次：两年外
9.8折
1+￥0.16464
3000+￥0.14602
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集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
暗电流：30nA复制
峰值波长：880nm复制
工作温度：-25℃~+85℃复制
描述：贴片发光二极管 XL-3210PDC 1204 红外接收复制库存：6000复制
最小包 : 3000复制
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增量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.157
3000+￥0.139
量大可议价
合计￥0.16
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
暗电流：30nA复制
峰值波长：880nm复制
描述：贴片发光二极管 XL-2012PDC 0805 接收复制库存：5898复制
最小包 : 3000复制
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增量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.122
3000+￥0.108
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合计￥0.12
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW复制库存：5490复制
最小包 : 4000复制
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批次：25+
1+￥0.203
4000+￥0.18
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
暗电流：30nA复制
峰值波长：880nm复制
描述：贴片发光二极管 XL-3216PDC 1206 接收复制库存：5068复制
最小包 : 3000复制
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批次：26+
1+￥0.131
3000+￥0.116
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：光电三极管 PT26-21B/CT复制库存：3950复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次：两年内
1+￥0.166
1500+￥0.15
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：光电三极管 PT26-21B/CT复制库存：225复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.16268
量大可议价
合计￥0.16
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：光电三极管 PT26-21B/CT复制库存：262复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：五年外
9.5折
1+￥0.1577
量大可议价
合计￥0.16
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
暗电流：100nA复制
描述：SENSOR PHOTO SIDE VIEW复制库存：3941复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.816
2000+￥0.751
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合计￥0.82
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW复制库存：3850复制
最小包 : 500复制
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增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.155
500+￥0.14
量大可议价
合计￥0.16
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW复制库存：30复制
最小包 : 500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.1519
量大可议价
合计￥0.15
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW复制库存：3505复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.188
1000+￥0.168
量大可议价
合计￥0.19
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW复制库存：136复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.18424
量大可议价
合计￥0.18
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集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
暗电流：100nA复制
工作温度：-20℃~+85℃复制
描述：直插发光二极管 F3红外接收管复制库存：3000复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次：26+
1+￥0.262
1000+￥0.236
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合计￥0.26
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描述：光电晶体管复制
库存：1442复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年内
8.5折
1+￥0.2907
1500+￥0.2635
量大可议价
合计￥0.29
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描述：光电晶体管复制
库存：1500复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：两年外
8.0折
1+￥0.2736
1500+￥0.248
量大可议价
合计￥0.27
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复制
晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT928-6C(6-1)复制库存：2913复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.149
1000+￥0.134
量大可议价
合计￥0.15
￥12领取
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：光电晶体管复制库存：2744复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.346
2000+￥0.313
量大可议价
合计￥0.35
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW复制库存：2542复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥0.124
4000+￥0.11
量大可议价
合计￥0.12
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：光电晶体管 MHT153PTBT 1206复制库存：2485复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
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批次：25+
1+￥0.513
2000+￥0.464
量大可议价
合计￥0.51
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：PT15-21C Series 3.2 x 1.6 x 1.1 mm 1206 30 V 940 nm Miniature复制库存：2318复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
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RoHS
批次：24+
1+￥0.2081
3000+￥0.205
量大可议价
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