光电晶体管
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：50mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT12-21B/TR8复制库存：81592复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.15
2000+￥0.136
合计￥0.15
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：70V复制
集电极电流(Ic)：50mA复制
耗散功率(Pd)：100mW复制
描述：TEFT4300 Series 925 nm ±60° 70 V 50 mA Silicon NPN Phototransistor -复制库存：80000复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：23+
1+￥0.69
5000+￥0.64
合计￥0.69
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT26-51B/TR8复制库存：54235复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.263
2000+￥0.236
合计￥0.26
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT204-6B复制库存：32474复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.173
1000+￥0.156
合计￥0.17
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晶体管类型：NPN复制
集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
描述：红外接收管 PT204-6B复制库存：64复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥0.16954
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集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
暗电流：100nA复制
描述：光电晶体管-940nm-顶视图-1206（3216-公制）复制库存：28089复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥0.1743
1500+￥0.1575
合计￥0.17
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集射极击穿电压(Vceo)：30V复制
集电极电流(Ic)：20mA复制
耗散功率(Pd)：75mW复制
暗电流：100nA复制
描述：光电晶体管-940nm-顶视图-1206（3216-公制）复制库存：96复制
最小包 : 1500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：五年外
9.5折
1+￥0.165585
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