硅电容
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容值：1uF复制
精度：±10%复制
击穿电压：4V复制
工作温度：-55℃~+150℃复制
描述：硅电容器是以硅为衬底、二氧化硅/氮化硅等薄膜材料为电介质,采用半导体芯片制造工艺制作而成的电容器。相比于陶瓷电容器(MLCC),具有小尺寸、薄厚度、低阻抗、高频低插损、高温度稳定性及高可靠性等特点。硅电容器常用于隔离直流、射频旁路、或用作滤波器、振荡器和匹配网络中的固定电容调谐元件。可广泛应用在能源、通信、自动化及医疗等领域。复制库存：1992复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+￥15.6924
10+￥13.338
30+￥11.8692
100+￥9.528624
500+￥8.902656
1000+￥8.634384
合计￥15.69
2-5 工作日内发货复制
描述：Si-CAP,0.38*0.38mm，470pf，63V复制
库存：1004复制
最小包 : 400复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+￥14.4504
10+￥12.3336
30+￥11.016
100+￥8.68968
400+￥8.14536
800+￥7.90236
合计￥14.45
2-5 工作日内发货复制
描述：Si-CAP,0.5*0.5mm，10nf，10V复制
库存：982复制
最小包 : 400复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+￥16.6752
10+￥14.2344
30+￥12.7116
100+￥10.03104
400+￥9.38952
800+￥9.11736
合计￥16.68
2-5 工作日内发货数据手册复制
容值：50nF复制
精度：±10%复制
击穿电压：4V复制
工作温度：-55℃~+150℃复制
描述：硅电容器是以硅为衬底、二氧化硅/氮化硅等薄膜材料为电介质,采用半导体芯片制造工艺制作而成的电容器。相比于陶瓷电容器(MLCC),具有小尺寸、薄厚度、低阻抗、高频低插损、高温度稳定性及高可靠性等特点。硅电容器常用于隔离直流、射频旁路、或用作滤波器、振荡器和匹配网络中的固定电容调谐元件。可广泛应用在能源、通信、自动化及医疗等领域。复制库存：748复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+￥5.4648
10+￥4.4496
30+￥3.9528
100+￥3.169584
500+￥2.891376
1000+￥2.752272
合计￥5.46
2-5 工作日内发货复制
描述：Si-CAP,0.25*0.25mm，100pf，100V复制
库存：697复制
最小包 : 400复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
无法确认批次
1+￥12.2256
10+￥10.4436
30+￥9.3204
100+￥7.603308
400+￥7.121196
800+￥6.910272
合计￥12.23
2-5 工作日内发货