| 数量 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V,8A | 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | 输入电容(Ciss) | 910pF |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
一、产品简介
AO4832是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),采用8-SOIC封装,具有较强的电流承载能力和优良的开关特性。该器件的漏源极电压(Vdss)为30V,最大连续电流可达10A,适合各种低压、高电流的应用场合。由于其表面贴装(SMT)设计,AO4832在电路板的空间利用率方面表现优秀,广泛应用于电源管理、马达驱动和其他功率控制电路。
二、产品特性
封装和设计
电气特性
热管理
开关特性
三、应用领域
由于其优异的电气特性和可靠的性能,AO4832被广泛应用于以下几个方面:
电源管理
马达控制
LED驱动
消费电子
四、结论
AO4832不仅具备高效率、高可靠性的特点,同时在设计上也考虑到了现代电子设备对空间和重量的要求。随着电子技术的发展,AO4832作为一款高品质的N沟道场效应管,必将在各类电子产品中发挥不可或缺的作用。无论是在高频开关电源、电机控制还是LED驱动等领域,AO4832都能够为设计工程师提供可靠的解决方案,是现代电子系统中理想的选择。