
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
DCX114EU-7-F

- 商品编码: BM0000280821复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-363复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.015g复制
- 描述: 数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置复制
DCX114EU-7-F参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.9V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV |
| 输入电阻 | 10kΩ |
| 电阻比率 | 1 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
DCX114EU-7-F手册
DCX114EU-7-F概述
DCX114EU-7-F 产品概述
一、产品简介
DCX114EU-7-F是一款高性能数字晶体管,专为紧凑型电子设备设计,采用SOT-363封装,具备1个NPN和1个PNP预偏置晶体管的双输出来满足多种应用需求。其主要特点包括高频响应、适中的集电极电流和高耐压能力,可靠性高,适合多样化的电子电路设计。
二、基本参数
- 晶体管类型:DCX114EU-7-F结合了一对NPN和PNP预偏置晶体管的设计,能够简化电路设计并减少外围元件数量。
- 集电极电流(Ic):最大100mA,对于相应的应用能够提供足够的驱动能力,适合控制各种负载。
- 集射极击穿电压(Vce):最大50V,提供了良好的耐压特性,能够满足多种电源环境下的可靠工作。
- 额定功率:200mW,使得产品在负载下能够长期稳定工作,而不会出现过热及失效。
- 基极电阻(R1)和发射极电阻(R2):均为10kΩ,这种选择使得偏置电流控制得当,能够实现稳定工作的前提下提升开关特性。
- DC电流增益(hFE):在Ic为5mA、Vce为5V的条件下,最小增益达到了30,确保了良好的放大性能和信号处理能力。
- Vce饱和压降:在500µA的基极电流和10mA的集电极电流下,最大饱和压降为300mV,表现出良好的开关特性。
- 集电极截止电流:最大500nA,表示产品在关闭状态下的功耗极低,适合于低功耗电路设计。
- 频率响应:该产品的跃迁频率高达250MHz,使其在高频应用中表现出色,例如射频放大器和高速开关电路。
- 安装类型:表面贴装型,简化了PCB的设计,适合高密度布局。
- 包装类型:SOT-363(6引脚),小型化设计有助于节省空间,适合于紧凑型设备。
三、应用领域
DCX114EU-7-F数字晶体管广泛应用于众多领域,主要包括:
- 消费电子产品:用于手机、平板电脑、数字相机等设备中作为开关和放大器。
- 工业控制:在各种传感器和致动器中,为信号放大和转换提供支持。
- 通信设备:可用于RF信号放大和低噪声放大器(LNA)电路,适合宽带和高频应用。
- 汽车电子:在车辆的信息娱乐系统中可作为开关元件,控制各种外设。
四、优势与特点
- 双晶体管的设计:通过集成NPN和PNP晶体管的设计,简化电路设计,减少外部元件,降低成本。
- 高频性能:250MHz的跃迁频率,使得该产品在高频信号处理方面具备竞争优势。
- 节能高效:由于集电极截止电流低,同时低饱和压降,降低了功耗,非常适合于低功耗电路设计。
- 高度集成:以SOT-363封装提供,可在空间有限的环境中实现高性能电路,从而推动电子设备的小型化发展。
- 可靠性:良好的电气特性和稳定的工作性能,使其在各种应用中均能保持可靠性高、故障率低的表现。
五、总结
DCX114EU-7-F数字晶体管是一款高性能、低功耗的电子元件,结合了创新的设计、优秀的电气性能以及广泛的应用可能性,适合用于现代电子设备的各个方面。其良好的适应性和可靠性,使得它成为工程师和设计师在开发新产品时的理想选择。无论是在高频应用,还是在需要可靠开关特性的低功耗设备中,DCX114EU-7-F都是一款值得考虑的元器件解决方案。
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