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数字晶体管

展示方式:
品牌
AF(晶岳)
AM(安美)
BLUE ROCKET
BORN(伯恩半导体)
CBI(创基)
品牌归属地
中国台湾
中国大陆
国际
封装/规格
3-XDFN 裸露焊盘
6-TSSOP
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
A
CFP-5
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
1个PNP-预偏置
2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器)
2 个 NPN 预偏压式(双)
NPN
数量
1个NPN,1个PNP-预偏置
1个NPN-预偏置
1个NPN-预偏置,1个PNP
1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置(基集电极结)
耗散功率(Pd)
1.25W
1.5W
100mW
120mW
125mW
集电极电流(Ic)
1.5A
100mA
100mA;1.8A
150mA
15A
集射极击穿电压(Vceo)
12V
12V;50V
15V
20V
230V
射基极击穿电压(Vebo)
10V
12V
15V
4.5V
40V
直流电流增益(hFE)
100
100@1mA,5V
100@5mA,10V
115
120
输入电阻
1.3kΩ
1.54kΩ
100kΩ
10kΩ
12kΩ
电阻比率
0.0468
0.047
0.051
0.052
0.056
最小输入电压(VI(on))
1.1V
1.1V@2mA,0.3V
1.1V@5mA,0.2V
1.1V@5mA,0.3V
1.1V@5mA,200mV
最大输入电压(VI(off))
1.1V
1.1V@100uA,5V
1.2V
1.2V@0.1mA,5V
1.2V@100uA,5.0V
输出电压(VO(on))
100mV
100mV@10mA,0.5mA
100mV@10mA,500uA
100mV@50mA,2.5mA
100mV@5mA,0.25mA
集射极饱和电压(Vce(sat))
1.15V
1.5V
100mV
100mV@10mA,0.5mA
100mV@5mA,0.25mA
集电极截止电流(Icbo)
0.05uA
0.1uA
0.5uA
100nA
10nA
特征频率(fT)
100MHz
130MHz
140MHz
150MHz
170MHz
工作温度
-25℃~+150℃
-40℃~+150℃
-55℃~+150℃
-55℃~+175℃
-65℃~+150℃
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
盒装
编带
袋装
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
DTA114EKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-346复制
类目:数字晶体管复制
¥12领取
数量:1个PNP-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置复制
库存:949360复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.12875
3000+¥0.1025
量大可议价
合计¥0.13
现在下单最快1小时发货
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
PDTC114ET,215 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
类目:数字晶体管复制
¥12领取
数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):250mW复制
描述:数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:779299复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0675
3000+¥0.0534
量大可议价
合计¥0.07
现在下单最快1小时发货
DTC123JETL 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-416复制
类目:数字晶体管复制
¥12领取
数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:440870复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.132705
3000+¥0.1053
量大可议价
合计¥0.13
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PDTD114ETR 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
类目:数字晶体管复制
¥12领取
数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):500mA复制
耗散功率(Pd):460mW复制
描述:数字晶体管 460mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置复制
库存:303646复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥0.153
3000+¥0.134
量大可议价
合计¥0.15
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DTC114EETL 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-523-3复制
类目:数字晶体管复制
¥12领取
数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制
库存:303516复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥0.0983
3000+¥0.078
量大可议价
合计¥0.1
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DTC114EETL 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-523-3复制
类目:数字晶体管复制
¥12领取
数量:1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo):50V复制
集电极电流(Ic):100mA复制
耗散功率(Pd):150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制
库存:2复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥0.096334
量大可议价
合计¥0.1
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