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商品分类

数字晶体管

展示方式：

品牌

BLUE ROCKET

BORN(伯恩半导体)

CBI(创基)

CJ(江苏长电/长晶)

DIODES(美台)

品牌归属地

中国台湾

中国大陆

国际

封装/规格

DFN-3(1x0.6)

DFN1006-3

DFN1412D-3

EMT-5

REEL

晶体管类型

1个PNP-预偏置

2 个 NPN 预偏压式（双）

NPN

NPN - 预偏压

NPN+PNP

数量

1个NPN,1个PNP-预偏置

1个NPN-预偏置

1个NPN-预偏置,1个PNP

1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置

1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置(基集电极结)

耗散功率(Pd)

100mW

150mW

187mW

200mW

202mW

集电极电流(Ic)

100mA

100uA

150mA

200mA

集射极击穿电压(Vceo)

12V

20V

40V

50V

60V

射基极击穿电压(Vebo)

10V

12V

4.5V

40V

直流电流增益(hFE)

100

100@1mA,5V

115

120

140

输入电阻

1.3kΩ

100kΩ

10kΩ

130kΩ

13kΩ

电阻比率

0.0468

0.047

0.051

0.056

0.1

最小输入电压(VI(on))

1.1V

1.1V@5mA,0.2V

1.1V@5mA,0.3V

1.1V@5mA,200mV

1.1V@5mA,300mV

最大输入电压(VI(off))

1.16V

1.1V

1.1V@100uA,5V

1.2V

1.2V@0.1mA,5V

输出电压(VO(on))

100mV

100mV@10mA,0.5mA

100mV@5mA,0.5mA

100mV@5mA,250uA

100mV@5mA,500uA

集射极饱和电压(Vce(sat))

1.15V

1.5V

100mV

100mV@10mA,0.5mA

150mV

集电极截止电流(Icbo)

0.1uA

0.5uA

100nA

500nA

50nA

特征频率(fT)

100MHz

140MHz

150MHz

170MHz

180MHz

工作温度

-25℃~+150℃

-40℃~+150℃

-55℃~+150℃

-55℃~+175℃

-65℃~+150℃

认证信息

RoHS认证

包装/方式

托盘

盒装

编带

隐藏不可选项

型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作

DTA114EKAT146复制

品牌：ROHM(罗姆)复制

封装：SOT-346复制

类目：数字晶体管复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个PNP-预偏置复制

集射极击穿电压(Vceo)：50V复制

集电极电流(Ic)：100mA复制

耗散功率(Pd)：200mW复制

描述：数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置复制

库存：967390复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.12875

3000+￥0.1025

量大可议价

合计￥0.13

现在下单最快1小时发货

ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣

DTC114EKAT146复制

品牌：ROHM(罗姆)复制

封装：SOT-346复制

类目：数字晶体管复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个NPN-预偏置复制

集射极击穿电压(Vceo)：50V复制

集电极电流(Ic)：50mA复制

耗散功率(Pd)：200mW复制

描述：数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制

库存：817117复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：26+

1+￥0.111875

3000+￥0.08875

量大可议价

合计￥0.11

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PDTC114ET,215复制

品牌：Nexperia(安世)复制

封装：SOT-23复制

类目：数字晶体管复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个NPN-预偏置复制

集射极击穿电压(Vceo)：50V复制

集电极电流(Ic)：100mA复制

耗散功率(Pd)：250mW复制

描述：数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制

库存：451603复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：25+

1+￥0.0807

3000+￥0.064

量大可议价

合计￥0.08

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LMUN5233T1G复制

品牌：LRC(乐山无线电)复制

封装：SOT-323-3复制

类目：数字晶体管复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个NPN-预偏置复制

集射极击穿电压(Vceo)：50V复制

集电极电流(Ic)：100mA复制

耗散功率(Pd)：310mW复制

描述：数字晶体管 202mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制

库存：232026复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

批次：26+

1+￥0.0764

3000+￥0.0607

量大可议价

合计￥0.08

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UMD3NTR复制

品牌：ROHM(罗姆)复制

封装：SOT-363复制

类目：数字晶体管复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置复制

集射极击穿电压(Vceo)：50V复制

集电极电流(Ic)：100mA复制

耗散功率(Pd)：150mW复制

描述：数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置复制

库存：190194复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年内

1+￥0.2327

3000+￥0.2054

量大可议价

合计￥0.23

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UMD3NTR复制

品牌：ROHM(罗姆)复制

封装：SOT-363复制

类目：数字晶体管复制

￥12领取

数据手册复制

数量：1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置复制

集射极击穿电压(Vceo)：50V复制

集电极电流(Ic)：100mA复制

耗散功率(Pd)：150mW复制

描述：数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置复制

库存：404复制

最小包 : 3000复制

起订量 : 1复制

增量 : 1复制

RoHS

批次：两年外

9.8折

1+￥0.228046

量大可议价

合计￥0.23

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