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数字晶体管

展示方式:
品牌
BLUE ROCKET
BORN(伯恩半导体)
CBI(创基)
CJ(江苏长电/长晶)
DIODES(美台)
品牌归属地
中国台湾
中国大陆
国际
封装/规格
DFN-3(1x0.6)
DFN1006-3
DFN1412D-3
EMT-5
EMT6
晶体管类型
1个PNP-预偏置
2 个 NPN 预偏压式(双)
NPN
NPN - 预偏压
NPN+PNP
数量
1个NPN,1个PNP-预偏置
1个NPN-预偏置
1个NPN-预偏置,1个PNP
1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置(基集电极结)
耗散功率(Pd)
100mW
150mW
187mW
200mW
202mW
集电极电流(Ic)
100mA
100uA
150mA
1A
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
12V
20V
40V
50V
60V
射基极击穿电压(Vebo)
10V
12V
4.5V
40V
5V
直流电流增益(hFE)
100
100@1mA,5V
115
120
125
输入电阻
1.3kΩ
100kΩ
10kΩ
130kΩ
13kΩ
电阻比率
0.047
0.051
0.056
0.1
0.11
最小输入电压(VI(on))
1.1V
1.1V@5mA,0.2V
1.1V@5mA,0.3V
1.1V@5mA,300mV
1.2V@10mA,300mV
最大输入电压(VI(off))
1.16V
1.1V
1.1V@100uA,5V
1.2V
1.2V@0.1mA,5V
输出电压(VO(on))
100mV
100mV@10mA,0.5mA
100mV@5mA,0.5mA
100mV@5mA,250uA
100mV@5mA,500uA
集射极饱和电压(Vce(sat))
1.15V
1.5V
100mV
150mV
150mV@5mA,0.5mA
集电极截止电流(Icbo)
0.1uA
0.5uA
100nA
500nA
50nA
特征频率(fT)
100MHz
140MHz
150MHz
170MHz
180MHz
工作温度
-25℃~+150℃
-40℃~+150℃
-55℃~+150℃
-55℃~+175℃
-65℃~+150℃
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
编带
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
DTA114EKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-346复制
12领取
数量1个PNP-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置复制
库存:363210复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.122875
3000+0.0975
量大可议价
合计0.12
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DTC143ZKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:TO-236-3(SOT-23-3)复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:292755复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.094
3000+0.0746
量大可议价
合计0.09
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DTC114EKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:TO-236-3(SOT-23-3)复制
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数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)50mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制
库存:282799复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.111875
3000+0.08875
量大可议价
合计0.11
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PDTC114ET,215 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)250mW复制
描述:数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:219589复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.0883
3000+0.0699
量大可议价
合计0.09
DTC143EMT2L 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-723复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:208000复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.122
8000+0.1
量大可议价
合计0.12
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PUMD3,115 产品实物图片
自营PUMD3,115复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:TSSOP-6(SOT-363)复制
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数量1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置复制
库存:148525复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.175
3000+0.155
量大可议价
合计0.18
DTC143EUAT106 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-323复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:126578复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.124605
3000+0.09882
量大可议价
合计0.12
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DTC114YETL 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-416复制
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数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)70mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 70mA 1个NPN-预偏置复制
库存:120064复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0983
3000+0.078
量大可议价
合计0.1
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DTC143ZUAT106 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-323(SC-70)复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:111007复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0972
3000+0.0772
量大可议价
合计0.1
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UMH9NTN 产品实物图片
自营UMH9NTN复制
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-363复制
12领取
数量2个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置复制
库存:106674复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.166
3000+0.148
量大可议价
合计0.17
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PDTC143ET,215 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)250mW复制
描述:数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:96278复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.101
3000+0.08
量大可议价
合计0.1
UMA5NTR 产品实物图片
自营UMA5NTR复制
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-353-5复制
12领取
数量2个PNP-预偏置(发射极耦合)复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置复制
库存:94813复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.206
3000+0.182
量大可议价
合计0.21
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DTC043ZEBTL 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-416FL复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:89030复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.08789
3000+0.06974
量大可议价
合计0.09
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
DTC144EMT2L 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-723复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 30mA 1个NPN-预偏置复制
库存:88970复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.12
8000+0.098
量大可议价
合计0.12
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
SMMUN2211LT1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)246mW复制
描述:数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:87318复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.17
3000+0.15
量大可议价
合计0.17
LMUN2233LT1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)246mW复制
描述:数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:82486复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.0705
3000+0.0559
量大可议价
合计0.07
KRC106S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:75736复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0558
3000+0.0443
量大可议价
合计0.06
KRC106S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:2复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+0.055468
量大可议价
合计0.06
KRC106S-RTK/P 产品实物图片
品牌:KEC复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:1复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:五年外
9.5
1+0.05377
量大可议价
合计0.05
MUN2211T1G 产品实物图片
品牌:ON(安森美)复制
封装:SC-59复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)230mW复制
描述:数字晶体管 230mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:73088复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.147
3000+0.13
量大可议价
合计0.15
DTC114YKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:TO-236-3(SOT-23-3)/SOT-346复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:73070复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.13905
3000+0.1107
量大可议价
合计0.14
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
DTC043ZMT2L 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-723复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:69026复制
最小包 : 8000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0976
8000+0.08
量大可议价
合计0.1
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
PUMH11,115 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:TSSOP-6(SOT-363)复制
12领取
数量2个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)300mW复制
描述:数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置复制
库存:67957复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.17
3000+0.15
量大可议价
合计0.17
PDTD123YT,215 产品实物图片
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)500mA复制
耗散功率(Pd)250mW复制
描述:数字晶体管 250mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置复制
库存:63044复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+0.124
3000+0.11
量大可议价
合计0.12
DTC114EETL 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-523-3复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)150mW复制
描述:数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置复制
库存:58328复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.0983
3000+0.078
量大可议价
合计0.1
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
DTC124EKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:TO-236-3(SOT-23-3)复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)30mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 30mA 1个NPN-预偏置复制
库存:54511复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.113
3000+0.0899
量大可议价
合计0.11
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
LMUN5233T1G 产品实物图片
品牌:LRC(乐山无线电)复制
封装:SOT-323-3复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)310mW复制
描述:数字晶体管 202mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:52756复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.0895
3000+0.071
量大可议价
合计0.09
DTD123YKT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:TO-236-3(SOT-23-3)复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)500mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置复制
库存:43722复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.2838
3000+0.2508
量大可议价
合计0.28
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
DTC144EKAT146 产品实物图片
品牌:ROHM(罗姆)复制
封装:SOT-346复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:42425复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.1113
3000+0.08799
量大可议价
合计0.11
ROHM(罗姆)点击线下购买享更多折扣
CJ(江苏长电/长晶) 授权圣禾堂在线为代理商
自营DTC143XCA复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
耗散功率(Pd)200mW复制
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
库存:37075复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+0.08532
3000+0.067608
量大可议价
合计0.09
DTC143XCA 产品实物图片
自营DTC143XCA复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个NPN-预偏置复制
集射极击穿电压(Vceo)50V复制
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集射极击穿电压(Vceo)50V复制
集电极电流(Ic)100mA复制
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集射极击穿电压(Vceo)50V复制
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集射极击穿电压(Vceo)50V复制
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耗散功率(Pd)246mW复制
描述:数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置复制
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