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三极管 / MOS管 / 晶体管
数字晶体管
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2 个 NPN 预偏压式(双)
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1个NPN,1个PNP-预偏置
1个NPN-预偏置
1个NPN-预偏置,1个PNP
1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
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耗散功率(Pd)
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1.5W
100mW
120mW
125mW
集电极电流(Ic)
更多
1.5A
100mA
100mA;1.8A
150mA
15A
集射极击穿电压(Vceo)
更多
12V
12V;50V
15V
20V
230V
射基极击穿电压(Vebo)
更多
10V
12V
15V
4.5V
40V
直流电流增益(hFE)
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100
100@1mA,5V
100@5mA,10V
115
120
输入电阻
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1.3kΩ
1.54kΩ
100kΩ
10kΩ
12kΩ
电阻比率
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0.047
0.051
0.052
0.056
最小输入电压(VI(on))
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1.1V
1.1V@2mA,0.3V
1.1V@5mA,0.2V
1.1V@5mA,0.3V
1.1V@5mA,200mV
最大输入电压(VI(off))
更多
1.1V
1.1V@100uA,5V
1.2V
1.2V@0.1mA,5V
1.2V@100uA,5.0V
输出电压(VO(on))
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100mV
100mV@10mA,0.5mA
100mV@10mA,500uA
100mV@50mA,2.5mA
100mV@5mA,0.25mA
集射极饱和电压(Vce(sat))
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1.15V
1.5V
100mV
100mV@10mA,0.5mA
100mV@5mA,0.25mA
集电极截止电流(Icbo)
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0.05uA
0.1uA
0.5uA
100nA
10nA
特征频率(fT)
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100MHz
130MHz
140MHz
150MHz
170MHz
工作温度
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-40℃~+150℃
-55℃~+150℃
-55℃~+175℃
-65℃~+150℃
认证信息
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包装/方式
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DTA114EKAT146
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品牌:
ROHM(罗姆)
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封装:
SOT-346
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个PNP-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置
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库存:
949360
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
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RoHS
批次:
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ROHM(罗姆)
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PDTC114ET,215
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品牌:
Nexperia(安世)
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封装:
SOT-23
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
250mW
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描述:
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
779299
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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RoHS
批次:
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DTC123JETL
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品牌:
ROHM(罗姆)
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封装:
SOT-416
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
150mW
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
440870
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最小包 :
3000
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起订量 :
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RoHS
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ROHM(罗姆)
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PDTD114ETR
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品牌:
Nexperia(安世)
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封装:
SOT-23
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
500mA
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耗散功率(Pd):
460mW
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描述:
数字晶体管 460mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置
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库存:
303646
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最小包 :
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起订量 :
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RoHS
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DTC114EETL
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品牌:
ROHM(罗姆)
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封装:
SOT-523-3
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
150mW
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置
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库存:
303516
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最小包 :
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RoHS
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ROHM(罗姆)
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SOT-523-3
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
150mW
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置
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库存:
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最小包 :
3000
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RoHS
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两年外
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