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数字晶体管
数字晶体管
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集电极电流(Ic)
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200mA
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特征频率(fT)
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170MHz
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DTA114EKAT146
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ROHM(罗姆)
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SOT-346
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类目:
数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个PNP-预偏置
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库存:
363210
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RoHS
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DTC143ZKAT146
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品牌:
ROHM(罗姆)
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TO-236-3(SOT-23-3)
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类目:
数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
292755
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DTC114EKAT146
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品牌:
ROHM(罗姆)
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封装:
TO-236-3(SOT-23-3)
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类目:
数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
50mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置
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库存:
282799
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最小包 :
3000
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PDTC114ET,215
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品牌:
Nexperia(安世)
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封装:
SOT-23
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类目:
数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
250mW
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描述:
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
219589
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3000
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DTC143EMT2L
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品牌:
ROHM(罗姆)
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SOT-723
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
150mW
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
208000
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最小包 :
8000
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PUMD3,115
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品牌:
Nexperia(安世)
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封装:
TSSOP-6(SOT-363)
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类目:
数字晶体管
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数量:
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
300mW
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描述:
数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置
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库存:
148525
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最小包 :
3000
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DTC143EUAT106
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品牌:
ROHM(罗姆)
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SOT-323
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
126578
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最小包 :
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ROHM(罗姆)
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SOT-416
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
70mA
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耗散功率(Pd):
150mW
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 70mA 1个NPN-预偏置
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库存:
120064
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SOT-323(SC-70)
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数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
111007
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UMH9NTN
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ROHM(罗姆)
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封装:
SOT-363
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类目:
数字晶体管
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数量:
2个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
150mW
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置
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库存:
106674
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最小包 :
3000
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PDTC143ET,215
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品牌:
Nexperia(安世)
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封装:
SOT-23
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
250mW
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描述:
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
96278
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最小包 :
3000
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1
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RoHS
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3000+
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UMA5NTR
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品牌:
ROHM(罗姆)
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封装:
SOT-353-5
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类目:
数字晶体管
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数量:
2个PNP-预偏置(发射极耦合)
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
150mW
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置
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库存:
94813
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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RoHS
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3000+
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DTC043ZEBTL
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品牌:
ROHM(罗姆)
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封装:
SOT-416FL
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类目:
数字晶体管
¥
12
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
150mW
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
89030
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
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3000+
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DTC144EMT2L
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品牌:
ROHM(罗姆)
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封装:
SOT-723
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类目:
数字晶体管
¥
12
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数据手册
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
150mW
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 30mA 1个NPN-预偏置
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库存:
88970
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最小包 :
8000
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起订量 :
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SMMUN2211LT1G
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品牌:
ON(安森美)
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SOT-23
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类目:
数字晶体管
¥
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
246mW
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描述:
数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
87318
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最小包 :
3000
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RoHS
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LMUN2233LT1G
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品牌:
LRC(乐山无线电)
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封装:
SOT-23
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
246mW
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描述:
数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
82486
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最小包 :
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KRC106S-RTK/P
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品牌:
KEC
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封装:
SOT-23
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
75736
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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1
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RoHS
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1+
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0.0558
3000+
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KRC106S-RTK/P
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品牌:
KEC
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封装:
SOT-23
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类目:
数字晶体管
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
2
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
两年外
9.8折
1+
¥
0.055468
量大可议价
合计
¥
0.06
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KRC106S-RTK/P
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品牌:
KEC
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封装:
SOT-23
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类目:
数字晶体管
¥
12
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数据手册
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数量:
1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
1
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最小包 :
3000
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起订量 :
1
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增量 :
1
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RoHS
批次:
五年外
9.5折
1+
¥
0.05377
量大可议价
合计
¥
0.05
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MUN2211T1G
复制
品牌:
ON(安森美)
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封装:
SC-59
复制
类目:
数字晶体管
¥
12
领取
数据手册
复制
数量:
1个NPN-预偏置
复制
集射极击穿电压(Vceo):
50V
复制
集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
230mW
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描述:
数字晶体管 230mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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库存:
73088
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最小包 :
3000
复制
起订量 :
1
复制
增量 :
1
复制
RoHS
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集射极击穿电压(Vceo):
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集电极电流(Ic):
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耗散功率(Pd):
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数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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PUMH11,115
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类目:
数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
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耗散功率(Pd):
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数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置
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品牌:
Nexperia(安世)
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SOT-23
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数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
500mA
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耗散功率(Pd):
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数字晶体管 250mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置
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数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
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描述:
数字晶体管 150mW 50V 50mA 1个NPN-预偏置
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DTC124EKAT146
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TO-236-3(SOT-23-3)
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数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
30mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 30mA 1个NPN-预偏置
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SOT-323-3
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数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
310mW
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描述:
数字晶体管 202mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
500mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置
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数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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描述:
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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耗散功率(Pd):
200mW
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数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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CJ(江苏长电/长晶)
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SOT-23
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数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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耗散功率(Pd):
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耗散功率(Pd):
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100mA
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耗散功率(Pd):
246mW
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数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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1个NPN-预偏置
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集射极击穿电压(Vceo):
50V
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集电极电流(Ic):
100mA
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数字晶体管 246mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置
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