
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
DDTA114ECA-7-F

- 商品编码: BM0000280824复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-23复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.033g复制
- 描述: 数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置复制
DDTA114ECA-7-F参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 晶体管类型 | PNP |
| 直流电流增益(hFE) | 30 |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,300mV |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV |
| 输入电阻 | 10kΩ |
| 电阻比率 | 1 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
DDTA114ECA-7-F手册
DDTA114ECA-7-F概述
DDTA114ECA-7-F 产品概述
一、基本信息
DDTA114ECA-7-F是一款由DIODES制造的PNP型预偏压数字晶体管,符合SOT-23封装标准。该元件设计用于各种低功耗应用,并在高频信号扩展中表现出色,适合改进电子设备的性能。作为一种表面贴装元件,DDTA114ECA-7-F能在占用较小空间的同时,实现高效能和优秀的热管理性能。
二、主要参数
工作电流与电压
- 集电极电流(Ic): 最大100mA,适合多种小型负载的驱动。
- 集射极击穿电压(Vce): 最大50V,确保在大多数应用中具有良好的耐压能力。
功率与增益
- 额定功率: 200mW,适合高效能低功耗电路。
- DC电流增益(hFE): 在Ic为5mA、Vce为5V时,最小值为30,这使得DDTA114ECA-7-F能够在相对较低电流下依然提供有效的信号放大能力。
饱和压降与截止电流
- Vce饱和压降: 最大300mV,在电流Ib为500µA、Ic为10mA的条件下,确保设备能在较低电压下工作。
- 集电极截止电流: 最大500nA,使该元件在静态状态下的漏电流非常低,有助于提高整体电路的效率。
频率特性
- 跃迁频率: 可达250MHz,表明该晶体管适用于高频应用,尤其是在现代通讯和信号处理领域。
三、应用场景
DDTA114ECA-7-F广泛应用于电子设备中的信号放大和开关控制。典型应用包括:
- 音频放大器: 能够为音频信号提供高增益,确保音质清晰。
- 开关电源: 使用于电源管理电路,提供有效的开关控制。
- 射频应用: 顾及其高频特性,适用于通信设备、无线电模块等。
- 数字电路: 在逻辑电路中作为开关元件,构建高效的脉冲信号处理电路。
四、优点
- 高功效: 200mW的功率额定值是低功耗设计的理想选择,能有效管理热量并提高设备可靠性。
- 紧凑设计: SOT-23封装使得DDTA114ECA-7-F在需要节省空间时成为一个理想的选择,适用于紧凑型电子设备。
- 高频特性: 250MHz的跃迁频率使得该晶体管特别适合于高频信号的处理和放大。
- 市场信誉: DIODES作为知名制造商,其产品经过严格质量控制,确保了稳定的性能和高可靠性。
五、总结
DDTA114ECA-7-F是一款高效的PNP数字晶体管,它在小型化和高性能的组合中表现突出。凭借其良好的电流电压特性和频率响应,适用于多种现代电子设备中,是低功耗电路设计的理想选择。无论是在消费电子、工业设备,还是在汽车电子领域,DDTA114ECA-7-F都将是设计师和工程师们值得信赖的选择。
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