类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 31A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,16A |
功率(Pd) | 3.8W;110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
IRF5305STRLPBF 是一种 P 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管),专为高效能电源控制和开关应用而设计。该器件拥有极佳的性能指标,包括较高的漏源电压(Vdss)和连续漏极电流(Id),使其在各种严苛工作条件下保持可靠的运行。它的工作温度范围从-55°C到175°C,能够应对宽广的应用环境,尤其适合高温环境的工业和汽车电子产品。
IRF5305STRLPBF 的优良性能不仅体现在其电气特性上,还表现在它的热管理能力。该器件能够在较高的功率耗散条件下运行,为设计师在高功率应用中提供了更多的灵活性。此外,它的输入电容值,为电路设计提供了快速响应能力,使得此器件非常适合于需要高频开关操作的应用。
该 MOSFET 封装为 D2PAK,符合 TO-263-3 封装标准,具有更好的散热性能和更高的集成度。表面贴装型的设计便于自动化生产线上的组装,提高了整体的生产效率。这种封装形式也使得 MOSFET 在电路板上的占用空间更小,有助于设计更紧凑的电子设备。
IRF5305STRLPBF 广泛应用于各种领域,包括但不限于:
IRF5305STRLPBF 是一款高性能 P 通道 MOSFET,凭借其宽广的工作温度范围、优异的电气特性及适应严苛环境的能力,使其成为多个行业的理想选择。其超低的导通电阻和良好的热管理能力,使得设计师能够在实现高效能的同时,确保系统的可靠性。无论是在高功率还是高温应用中,IRF5305STRLPBF 都将表现出色,在未来的发展中,将 continua 扮演重要角色。