IRF5305STRLPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF5305STRLPBF

商品编码: BM0000282790
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
2.028g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.8W;110W 55V 31A 1个P沟道 TO-263-2
库存 :
219(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
3.04
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.04
--
800+
¥2.9
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF5305STRLPBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)31A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@10V,16A
功率(Pd)3.8W;110W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)63nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.2nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

IRF5305STRLPBF手册

IRF5305STRLPBF概述

产品概述:IRF5305STRLPBF

一、基本信息

IRF5305STRLPBF 是一种 P 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管),专为高效能电源控制和开关应用而设计。该器件拥有极佳的性能指标,包括较高的漏源电压(Vdss)和连续漏极电流(Id),使其在各种严苛工作条件下保持可靠的运行。它的工作温度范围从-55°C到175°C,能够应对宽广的应用环境,尤其适合高温环境的工业和汽车电子产品。

二、主要参数

  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss):55V
  • 连续漏极电流 (Id):31A(在 TC 的条件下)
  • 驱动电压:最大 Rds On 和最小 Rds On 为 10V
  • 导通电阻 (Rds(on)):在 Id 为 16A 和 Vgs 为 10V 时,最大导通电阻为 60 毫欧
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)):在 Id 为 250µA 时,最大值为 4V
  • 栅极电荷 (Qg):在 Vgs 为 10V 时,最大值为 63nC
  • 输入电容 (Ciss):在 Vds 为 25V 时,最大值为 1200pF
  • 功率耗散:最大功率为 3.8W(在 Ta 条件下)和 110W(在 Tc 条件下)

三、性能指标分析

IRF5305STRLPBF 的优良性能不仅体现在其电气特性上,还表现在它的热管理能力。该器件能够在较高的功率耗散条件下运行,为设计师在高功率应用中提供了更多的灵活性。此外,它的输入电容值,为电路设计提供了快速响应能力,使得此器件非常适合于需要高频开关操作的应用。

四、封装与安装

该 MOSFET 封装为 D2PAK,符合 TO-263-3 封装标准,具有更好的散热性能和更高的集成度。表面贴装型的设计便于自动化生产线上的组装,提高了整体的生产效率。这种封装形式也使得 MOSFET 在电路板上的占用空间更小,有助于设计更紧凑的电子设备。

五、应用领域

IRF5305STRLPBF 广泛应用于各种领域,包括但不限于:

  1. 功率管理:作为切换元件和线性调节器,可以有效地在电源管理系统中控制电流。
  2. 电动汽车:在电源总线控制、电机驱动和充电器中发挥重要作用。
  3. 工业控制:诸如机器人技术中的电机控制、电源分配单元等高功率设备。
  4. 消费电子:如开关电源、LED 驱动、音频放大器等设备中都可以找到它的身影。

六、总结

IRF5305STRLPBF 是一款高性能 P 通道 MOSFET,凭借其宽广的工作温度范围、优异的电气特性及适应严苛环境的能力,使其成为多个行业的理想选择。其超低的导通电阻和良好的热管理能力,使得设计师能够在实现高效能的同时,确保系统的可靠性。无论是在高功率还是高温应用中,IRF5305STRLPBF 都将表现出色,在未来的发展中,将 continua 扮演重要角色。