类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 15A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.2mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@50uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 34nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.59nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 360pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF9321TRPBF 是一款高性能 P 通道 MOSFET(场效应晶体管),专为高效能和高可靠性应用而设计。其主要特性包括:最大漏源电压(Vdss)为 30V,连续漏极电流(Id)达到 15A,适用于多种功率控制和开关应用。此器件由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产,具有优良的电气性能和广泛的应用适应性。
IRF9321TRPBF 采用 SO-8 封装,尺寸为 0.154“(3.90mm 宽),便于在电路板上进行高密度集成。SO-8 封装的设计不仅有助于减少占板空间,同时也优化了散热特性,为产品的稳定性和可靠性提供支撑。
IRF9321TRPBF 由于其低导通电阻和高电流能力,广泛应用于以下领域:
IRF9321TRPBF 是一款功能强大且高效的 MOSFET 组件,结合其优秀的电气特性和广泛的应用范围,成为现代电子设备中不可或缺的部分。无论在高电流、高效率的电源管理,还是在快速开关应用中,IRF9321TRPBF 都能发挥其无可替代的优势。选择英飞凌的 IRF9321TRPBF,将为您的设计项目带来可靠性与性能的双重保障。