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英飞凌

英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)成立于1999年,总部位于德国慕尼黑,是全球领先的半导体制造商之一。英飞凌的前身是西门子集团的半导体部门,1999年独立并于2000年上市。公司专注于高能效、移动性和安全性领域,致力于为汽车、工业、消费电子和通信等行业提供创新的半导体解决方案。英飞凌的产品以其高可靠性和卓越质量著称,涵盖功率器件、微控制器、安全芯片等多个领域。近年来,英飞凌通过收购赛普拉斯半导体等公司,不断扩大其在汽车电子和物联网市场的影响力。公司在全球拥有多个研发中心和生产基地,员工总数超过58,000人,持续推动半导体技术的发展与应用。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)栅极驱动IC三极管(BJT)肖特基二极管功率电子开关IGBT管/模块线性稳压器(LDO)瞬态抑制二极管(TVS)通用二极管LED驱动磁性传感器电机驱动芯片AC-DC控制器和稳压器单片机(MCU/MPU/SOC)RF放大器光耦-逻辑输出其他接口DC-DC电源芯片专业电源管理(PMIC)角度、线性位置传感器射频开关固态继电器电容数字晶体管接口 - 驱动器,接收器,收发器音频功率放大器其他照明驱动变容二极管无线收发芯片专用 IC静电放电(ESD)保护器件射频芯片/天线嵌入式计算机SBC/COMDC-DC控制芯片
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
BSS119NH6327XTSA1 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)190mA复制
导通电阻(RDS(on))10Ω@4.5V复制
库存:134948复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.258
3000+0.228
45000+
量大可议价
合计:0.26
BSS123NH6327XTSA1 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
安装类型表面贴装型复制
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 欧姆 @ 190mA,10V复制
技术MOSFET(金属氧化物)复制
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V复制
库存:118333复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.229
3000+0.203
45000+
量大可议价
合计:0.23
IRFR9024NTRPBF 产品实物图片
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自营IRFR9024NTRPBF复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-252-3(DPAK)复制
手册:-
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)55V复制
连续漏极电流(Id)11A复制
导通电阻(RDS(on))175mΩ@10V复制
库存:105688复制
批次 : 25+复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.699
2000+0.645
40000+
量大可议价
合计:0.7
IRLML6402TRPBF 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23(Micro3)复制
手册:-
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)3.7A复制
导通电阻(RDS(on))65mΩ@4.5V复制
库存:84409复制
批次 : 2年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.296
3000+0.262
45000+
量大可议价
合计:0.3
IRF640NPBF 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)200V复制
连续漏极电流(Id)18A复制
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V复制
库存:76619复制
批次 : 25+复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.889
1000+0.82
20000+
量大可议价
合计:0.89
IRFZ44NPBF 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)55V复制
连续漏极电流(Id)49A复制
导通电阻(RDS(on))17.5mΩ@10V复制
库存:72491复制
批次 : 25+复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.826
1000+0.762
20000+
量大可议价
合计:0.83
IRLML6346TRPBF 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23(Micro3)复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)3.4A复制
导通电阻(RDS(on))63mΩ@4.5V,5A复制
库存:67607复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.353
3000+0.33
45000+
量大可议价
合计:0.35
IRF540NPBF 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)33A复制
导通电阻(RDS(on))44mΩ@10V复制
库存:59223复制
批次 : 25+复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.922
1000+0.85
20000+
量大可议价
合计:0.92
ESD108B1CSP0201XTSA1 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:WLL-2-1复制
手册:-
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5.5V复制
钳位电压41V复制
峰值脉冲电流(Ipp)2.5A@8/20us复制
库存:58203复制
批次 : 25+复制
最小包 : 15000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.183
15000+0.17
75000+
量大可议价
合计:0.18
IRLML6401TRPBF 产品实物图片
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自营IRLML6401TRPBF复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23(Micro3)复制
手册:-
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)12V复制
连续漏极电流(Id)4.3A复制
导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V,4.3A复制
库存:58175复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.288
3000+0.255
45000+
量大可议价
合计:0.29
IRLML6246TRPBF 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23(Micro3)复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)4.1A复制
导通电阻(RDS(on))46mΩ@4.5V复制
库存:56867复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.37
3000+0.345
45000+
量大可议价
合计:0.37
BSS169 H6327 产品实物图片
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自营BSS169 H6327复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:PG-SOT-23-3复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)170mA复制
导通电阻(RDS(on))12Ω@10V,0.17A复制
库存:56457复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.34
3000+0.319
45000+
量大可议价
合计:0.34
IRLR3410TRPBF 产品实物图片
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自营IRLR3410TRPBF复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-252-3(DPAK)复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)17A复制
导通电阻(RDS(on))155mΩ@4V复制
库存:55078复制
批次 : 25+复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+1.07
2000+1.01
30000+
量大可议价
合计:1.07
BSS670S2LH6327XTSA1 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
FET 类型N 通道复制
技术MOSFET(金属氧化物)复制
漏源电压(Vdss)55V复制
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)540mA(Ta)复制
库存:50100复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.215
3000+0.19
45000+
量大可议价
合计:0.22
MMBT3904LT1HTSA1 产品实物图片
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自营MMBT3904LT1HTSA1复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)330mW复制
库存:49900复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
9.5
1+0.2641
3000+0.2337
45000+
量大可议价
合计:0.26
已优惠 0.02
ESD101B102ELSE6327XTSA1 产品实物图片
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品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TSSLP-2-4复制
手册:-
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5.5V复制
钳位电压30V复制
峰值脉冲电流(Ipp)2A复制
库存:40280复制
批次 : 25+复制
最小包 : 15000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.423
15000+0.391
75000+
量大可议价
合计:0.42
BAT165E6327HTSA1 产品实物图片
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自营BAT165E6327HTSA1复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOD-323-2复制
手册:-
二极管类型肖特基复制
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)40V复制
电流 - 平均整流 (Io)750mA(DC)复制
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)740mV @ 750mA复制
库存:38695复制
批次 : 2年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.476
3000+0.445
45000+
量大可议价
合计:0.48
BSS214NH6327XTSA1 产品实物图片
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自营BSS214NH6327XTSA1复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)1.5A复制
导通电阻(RDS(on))106mΩ@4.5V复制
库存:37662复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.283
3000+0.25
45000+
量大可议价
合计:0.28
BSS83PH6327XTSA1 产品实物图片
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自营BSS83PH6327XTSA1复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
FET 类型P 通道复制
技术MOSFET(金属氧化物)复制
漏源电压(Vdss)60V复制
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)330mA(Ta)复制
库存:37123复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.264
3000+0.234
45000+
量大可议价
合计:0.26
IRLML2402TRPBF 产品实物图片
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自营IRLML2402TRPBF复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23(Micro3)复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)1.2A复制
导通电阻(RDS(on))250mΩ@4.5V复制
库存:36573复制
批次 : 22+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.308
3000+0.273
45000+
量大可议价
合计:0.31
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