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英飞凌

英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)成立于1999年,总部位于德国慕尼黑,是全球领先的半导体制造商之一。英飞凌的前身是西门子集团的半导体部门,1999年独立并于2000年上市。公司专注于高能效、移动性和安全性领域,致力于为汽车、工业、消费电子和通信等行业提供创新的半导体解决方案。英飞凌的产品以其高可靠性和卓越质量著称,涵盖功率器件、微控制器、安全芯片等多个领域。近年来,英飞凌通过收购赛普拉斯半导体等公司,不断扩大其在汽车电子和物联网市场的影响力。公司在全球拥有多个研发中心和生产基地,员工总数超过58,000人,持续推动半导体技术的发展与应用。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)(827)栅极驱动IC(81)三极管(BJT)(78)肖特基二极管(70)IGBT管/模块(35)功率电子开关(30)瞬态抑制二极管(TVS)(22)通用二极管(19)AC-DC控制器和稳压器(16)线性稳压器(LDO)(14)RF放大器(11)电机驱动芯片(9)磁性传感器(8)单片机(MCU/MPU/SOC)(8)LED驱动(7)光耦-逻辑输出(6)变容二极管(6)射频开关(5)角度、线性位置传感器(4)其他照明驱动(4)数字晶体管(4)音频功率放大器(3)电容(3)DC-DC控制芯片(3)DC-DC电源芯片(3)整流桥(3)静电放电(ESD)保护器件(2)无线收发芯片(2)开关二极管(2)固态继电器(2)接口 - 驱动器,接收器,收发器(2)电机与驱动器(1)压力传感器(1)传感器配件(1)传感器模块(1)监控和复位芯片(1)专业电源管理(PMIC)(1)FIFO存储器(1)咪头/麦克风(1)MEMS麦克风(1)晶体管 - FET,MOSFET - 单个(1)功率电子开关(1)智能功率模块(1)特殊用途晶体管(1)CAN芯片(1)肖特基二极管(1)
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
IRLML2502TRPBF 产品实物图片
封装:SOT-23(Micro3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@4.5V,4.2A
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 4.2A 1个N沟道 SOT-23
库存:140268
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.584
200+0.377
1500+0.328
3000+0.29
45000+
量大可议价
合计:0.58
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BSS169 H6327 产品实物图片
封装:PG-SOT-23-3
手册:-
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:128842
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.699
200+0.483
1500+0.438
45000+
量大可议价
合计:0.7
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IRLML6401TRPBF 产品实物图片
封装:SOT-23(Micro3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@4.5V,4.3A
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 12V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存:106109
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.544
200+0.351
1500+0.305
3000+0.27
45000+
量大可议价
合计:0.54
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BSS84PH6327XTSA2 产品实物图片
封装:SOT-23-3
手册:-
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)170mA(Ta)
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:105867
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.383
200+0.247
1500+0.215
45000+
量大可议价
合计:0.38
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BAT60AE6327HTSA1 产品实物图片
封装:SOD-323-2
手册:-
直流反向耐压(Vr)10V
平均整流电流(Io)3A
正向压降(Vf)370mV @ 1A
二极管类型肖特基
描述:肖特基二极管 370mV@1A 10V 2.6mA@8V 3A SOD-323
库存:103538
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.785
200+0.541
1500+0.493
45000+
量大可议价
合计:0.79
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BSS83PH6327XTSA1 产品实物图片
封装:SOT-23-3
手册:-
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)330mA(Ta)
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:91380
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.546
200+0.376
1500+0.342
45000+
量大可议价
合计:0.55
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IRF3205PBF 产品实物图片
封装:TO-220AB
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,62A
描述:场效应管(MOSFET) 200W 55V 110A 1个N沟道 TO-220AB
库存:81955
批次 : 2年内
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.62
50+1.24
1000+1.15
20000+
量大可议价
合计:1.62
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BSS131H6327XTSA1 产品实物图片
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)240V
连续漏极电流(Id)110mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14Ω@100mA,10V
描述:场效应管(MOSFET) 360mW 240V 110mA 1个N沟道 SOT-23
库存:68113
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.605
200+0.39
1500+0.339
3000+0.299
45000+
量大可议价
合计:0.61
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BSS123NH6327XTSA1 产品实物图片
封装:SOT-23-3
手册:-
安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 欧姆 @ 190mA,10V
技术MOSFET(金属氧化物)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 100V 190mA 1个N沟道 TO-236-3
库存:66742
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.423
200+0.273
1500+0.237
45000+
量大可议价
合计:0.42
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IRLML0030TRPBF 产品实物图片
封装:SOT-23(Micro3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)27mΩ@10V,4.5V
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 5.3A 1个N沟道 SOT-23
库存:60346
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.598
200+0.412
1500+0.374
3000+0.35
45000+
量大可议价
合计:0.6
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BSS816NWH6327XTSA1 产品实物图片
封装:SOT-323
手册:-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.4A
栅源极阈值电压750mV @ 3.7uA
漏源导通电阻160mΩ @ 1.4A,2.5V
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.4A 1个N沟道 SOT-323-3
库存:57003
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.579
200+0.399
1500+0.363
45000+
量大可议价
合计:0.58
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IRFR5305TRPBF 产品实物图片
封装:TO-252-3(DPAK)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)31A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,16A
描述:场效应管(MOSFET) 110W 55V 31A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:51495
批次 : 2年内
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+2.03
100+1.57
1000+1.37
2000+1.3
30000+
量大可议价
合计:2.03
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IRF8707TRPBF 产品实物图片
封装:SO-8
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11.9mΩ@10V,11A
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 11A 1个N沟道 SOIC-8
库存:51145
批次 : 2年内
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.25
100+1
1000+0.895
2000+0.844
4000+0.8
24000+
量大可议价
合计:1.25
现在下单1小时内发货
IRLR3410TRPBF 产品实物图片
封装:TO-252-3(DPAK)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)105mΩ@10V,10A
描述:场效应管(MOSFET) 79W 100V 17A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:47976
批次 : 2年内
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.88
100+1.45
1000+1.25
30000+
量大可议价
合计:1.88
现在下单1小时内发货
IRFR9024NTRPBF 产品实物图片
封装:TO-252-3(DPAK)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)175mΩ@10V,6.6A
描述:场效应管(MOSFET) 38W 55V 11A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存:47926
批次 : 2年内
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.06
50+0.814
2000+0.75
40000+
量大可议价
合计:1.06
现在下单1小时内发货
BSS127H6327XTSA2 产品实物图片
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)21mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)310mΩ@10V,0.016A
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 600V 21mA 1个N沟道 SOT-23
库存:45697
批次 : 23+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.563
200+0.389
1500+0.353
3000+0.33
45000+
量大可议价
合计:0.56
现在下单1小时内发货
IRLL014NTRPBF 产品实物图片
封装:SOT-223
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)140mΩ@10V,2.0A
描述:场效应管(MOSFET) 1W 55V 2A 1个N沟道 SOT-223-3
库存:43323
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.32
100+1.02
1250+0.864
2500+0.8
37500+
量大可议价
合计:1.32
现在下单1小时内发货
BSS314PEH6327XTSA1 产品实物图片
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)230mΩ@4.5V,1.5A
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 30V 1.5A 1个P沟道 SOT-23
库存:43038
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.563
200+0.389
1500+0.353
45000+
量大可议价
合计:0.56
现在下单1小时内发货
IRFP260MPBF 产品实物图片
封装:TO-247AC
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,28A
描述:场效应管(MOSFET) 300W 200V 50A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存:40340
批次 : 25+
最小包 : 400
起订量 : 1
增量 : 1
1+5.93
50+4.75
400+4.4
8000+
量大可议价
合计:5.93
现在下单1小时内发货
BSS139 H6327 产品实物图片
封装:PG-SOT23-3
手册:-
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:36893
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.04
200+0.803
1500+0.698
45000+
量大可议价
合计:1.04
现在下单1小时内发货
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