
Infineon(英飞凌)
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品牌 :
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):55V复制
连续漏极电流(Id):49A复制
导通电阻(RDS(on)):17.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 94W 55V 49A 1个N沟道复制
库存:305550复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.879
1000+¥0.81
合计¥0.88
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):200V复制
连续漏极电流(Id):18A复制
导通电阻(RDS(on)):150mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道复制
库存:134295复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.988
1000+¥0.91
合计¥0.99
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):200V复制
连续漏极电流(Id):9.3A复制
导通电阻(RDS(on)):300mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 82W 200V 9.3A 1个N沟道复制
库存:87591复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.08
1000+¥1
合计¥1.08
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数量:1个P沟道复制
漏源电压(Vdss):30V复制
连续漏极电流(Id):1.5A复制
导通电阻(RDS(on)):230mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 30V 1.5A 1个P沟道复制
库存:68289复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.396
3000+¥0.37
合计¥0.4
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安装类型:表面贴装型复制
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):80 毫欧 @ 2A,10V复制
技术:MOSFET(金属氧化物)复制
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2A 1个P沟道复制
库存:68092复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.438
3000+¥0.41
合计¥0.44
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):33A复制
导通电阻(RDS(on)):44mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 130W 100V 33A 1个N沟道复制
库存:66200复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥1.46
1000+¥1.34
合计¥1.46
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):33A复制
导通电阻(RDS(on)):44mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 130W 100V 33A 1个N沟道复制
库存:2复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥1.4308
合计¥1.43
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):55V复制
连续漏极电流(Id):17A复制
导通电阻(RDS(on)):80mΩ@4V复制
描述:场效应管(MOSFET) 45W 55V 17A 1个N沟道复制
库存:53744复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.759
2000+¥0.699
合计¥0.76
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):80A复制
导通电阻(RDS(on)):7mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 100V 80A 1个N沟道复制
库存:51023复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥1.98
5000+¥1.88
合计¥1.98
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):55V复制
连续漏极电流(Id):56A复制
导通电阻(RDS(on)):16mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 110W 55V 56A 1个N沟道复制
库存:49432复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+¥2.19
2000+¥2.1
合计¥2.19
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¥12领取
数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):55V复制
连续漏极电流(Id):56A复制
导通电阻(RDS(on)):16mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 110W 55V 56A 1个N沟道复制
库存:287复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8折
1+¥2.1462
合计¥2.15
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驱动配置:半桥复制
负载类型:IGBT;MOSFET复制
驱动通道数:6复制
灌电流(IOL):350mA复制
描述:半桥-栅极驱动器-IC-反相-28-SOIC复制
库存:49127复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+¥3.55
1000+¥3.4
合计¥3.55
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描述:Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23复制
库存:48000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.292
3000+¥0.258
合计¥0.29
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¥12领取
描述:Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT363复制
库存:48000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥0.328
3000+¥0.29
合计¥0.33
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输出极性:正极复制
工作电压:42V复制
输出电压:5V复制
输出电流:450mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 42V 450mA 5V复制
库存:46496复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+¥2.36
2500+¥2.26
合计¥2.36
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数量:1个N沟道复制
漏源电压(Vdss):100V复制
连续漏极电流(Id):9.4A复制
导通电阻(RDS(on)):210mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 48W 100V 9.4A 1个N沟道复制
库存:43495复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+¥0.922
2000+¥0.85
合计¥0.92
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漏源电压(Vdss):20V复制
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A复制
栅源极阈值电压:750mV @ 3.7uA复制
漏源导通电阻:160mΩ @ 1.4A,2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.4A 1个N沟道复制
库存:43443复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+¥0.328
3000+¥0.29
合计¥0.33
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