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英飞凌

英飞凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）成立于1999年，总部位于德国慕尼黑，是全球领先的半导体制造商之一。英飞凌的前身是西门子集团的半导体部门，1999年独立并于2000年上市。公司专注于高能效、移动性和安全性领域，致力于为汽车、工业、消费电子和通信等行业提供创新的半导体解决方案。英飞凌的产品以其高可靠性和卓越质量著称，涵盖功率器件、微控制器、安全芯片等多个领域。近年来，英飞凌通过收购赛普拉斯半导体等公司，不断扩大其在汽车电子和物联网市场的影响力。公司在全球拥有多个研发中心和生产基地，员工总数超过58,000人，持续推动半导体技术的发展与应用。

分类 :

全部场效应管(MOSFET)栅极驱动IC三极管(BJT)肖特基二极管IGBT管/模块功率电子开关瞬态抑制二极管(TVS)通用二极管AC-DC控制器和稳压器电机驱动芯片线性稳压器(LDO)RF放大器LED驱动磁性传感器单片机(MCU/MPU/SOC)音频功率放大器光耦-逻辑输出变容二极管数字晶体管角度、线性位置传感器电容射频开关其他照明驱动无线收发芯片静电放电(ESD)保护器件射频芯片/天线DC-DC控制芯片DC-DC电源芯片整流桥智能功率模块接口 - 驱动器,接收器,收发器电机与驱动器

型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作

自营BSS169 H6327

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：PG-SOT-23-3

手册：-

描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）

库存：283286

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.385

3000+￥0.36

45000+

量大可议价

合计：￥0.39

自营BSS84PH6327XTSA2

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23-3

手册：-

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta）

描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）

库存：114651

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.17

3000+￥0.15

45000+

量大可议价

合计：￥0.17

自营IRLML6402TRPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23(Micro3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：3.7A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 3.7A 1个P沟道 SOT-23

库存：106393

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.296

3000+￥0.262

45000+

量大可议价

合计：￥0.3

自营BAS5202VH6327XTSA1

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SC-79

手册：-

二极管类型：肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：45V

电流 - 平均整流 (Io)：750mA（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：600mV @ 200mA

描述：肖特基二极管 600mV@200mA 45V 10uA@45V 750mA SC-79

库存：90489

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.481

3000+￥0.45

45000+

量大可议价

合计：￥0.48

自营IRF640NPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-220AB

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：200V

连续漏极电流(Id)：18A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：150mΩ@10V,11A

描述：场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道 TO-220AB

库存：85339

批次 : 25+

最小包 : 1000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.976

1000+￥0.899

20000+

量大可议价

合计：￥0.98

自营IRLML6246TRPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23(Micro3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：4.1A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@4.5V

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 4.1A 1个N沟道 SOT-23

库存：84088

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.396

3000+￥0.37

45000+

量大可议价

合计：￥0.4

自营BSS123NH6327XTSA1

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23-3

手册：-

安装类型：表面贴装型

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6 欧姆 @ 190mA，10V

技术：MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

描述：场效应管(MOSFET) 500mW 100V 190mA 1个N沟道 TO-236-3

库存：71843

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.237

3000+￥0.21

45000+

量大可议价

合计：￥0.24

自营IRFZ44NPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-220

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：49A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17.5mΩ@10V,25A

描述：场效应管(MOSFET) 94W 55V 49A 1个N沟道 TO-220AB

库存：64921

批次 : 25+

最小包 : 1000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.912

1000+￥0.84

20000+

量大可议价

合计：￥0.91

自营IRLML9301TRPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23(Micro3)

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：3.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：64mΩ@10V,3.6A

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 3.6A 1个P沟道 SOT-23

库存：62937

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.327

3000+￥0.305

45000+

量大可议价

合计：￥0.33

自营IRF9540NPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-220

手册：-

类型：1个P沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：23A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：117mΩ@10V,11A

描述：场效应管(MOSFET) 140W 100V 23A 1个P沟道 TO-220-3

库存：61020

批次 : 25+

最小包 : 1000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥1.14

1000+￥1.05

20000+

量大可议价

合计：￥1.14

自营BCR135E6327HTSA1

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23-3

手册：-

制造商：Infineon Technologies

包装：卷带（TR）

零件状态：最後搶購

晶体管类型：NPN - 预偏压

描述：NPN Silicon Digital Transistor

库存：60951

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.271

3000+￥0.24

45000+

量大可议价

合计：￥0.27

自营IRLML6302TRPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23(Micro3)

手册：-

漏源电压（Vdss）：20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：780mA

栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA

漏源导通电阻：600mΩ @ 610mA,4.5V

描述：场效应管(MOSFET) 540mW 20V 780mA 1个P沟道 SOT-23

库存：60192

批次 : 2年内

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.337

3000+￥0.315

45000+

量大可议价

合计：￥0.34

自营BAS3005B02VH6327XTSA1

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SC-79

手册：-

二极管配置：独立式

正向压降(Vf)：550mV@500mA

直流反向耐压(Vr)：30V

整流电流：500mA

描述：肖特基二极管独立式 550mV@500mA 30V 500mA SC-79

库存：60031

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.591

3000+￥0.55

45000+

量大可议价

合计：￥0.59

自营BFR92PE6327HTSA1

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23-3

手册：-

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：15V

频率 - 跃迁：5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

描述：射频双极型晶体管（BJT）

库存：59458

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.471

3000+￥0.44

45000+

量大可议价

合计：￥0.47

自营MMBT3904LT1HTSA1

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23-3

手册：-

晶体管类型：NPN

集电极电流(Ic)：200mA

集射极击穿电压(Vceo)：40V

功率(Pd)：330mW

描述：三极管(BJT) 330mW 40V 200mA NPN SOT-23

库存：51000

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.294

3000+￥0.26

45000+

量大可议价

合计：￥0.29

自营IRFB4110PBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-220AB

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：100V

连续漏极电流(Id)：180A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,75A

描述：场效应管(MOSFET) 370W 100V 120A 1个N沟道 TO-220

库存：50920

批次 : 25+

最小包 : 1000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥2.38

1000+￥2.28

15000+

量大可议价

合计：￥2.38

自营IRLML2402TRPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23(Micro3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：1.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：250mΩ@4.5V,0.93A

描述：场效应管(MOSFET) 540mW 20V 1.2A 1个N沟道 SOT-23

库存：50837

批次 : 22+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.328

3000+￥0.29

45000+

量大可议价

合计：￥0.33

自营IRLML0040TRPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23(Micro3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：40V

连续漏极电流(Id)：3.6A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：56mΩ@10V

描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 40V 3.6A 1个N沟道 TO-236-3

库存：48540

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.438

3000+￥0.41

45000+

量大可议价

合计：￥0.44

自营IRLML2502TRPBF

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-23(Micro3)

手册：-

类型：1个N沟道

漏源电压(Vdss)：20V

连续漏极电流(Id)：4.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,4.2A

描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 4.2A 1个N沟道 SOT-23

库存：47636

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.299

3000+￥0.266

45000+

量大可议价

合计：￥0.3

自营BSS816NWH6327XTSA1

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：SOT-323

手册：-

漏源电压（Vdss）：20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A

栅源极阈值电压：750mV @ 3.7uA

漏源导通电阻：160mΩ @ 1.4A,2.5V

描述：场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.4A 1个N沟道 SOT-323-3

库存：45758

批次 : 25+

最小包 : 3000

起订量 : 1

增量 : 1

1+￥0.294

3000+￥0.26

45000+

量大可议价

合计：￥0.29

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