英飞凌
英飞凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）成立于1999年，总部位于德国慕尼黑，是全球领先的半导体制造商之一。英飞凌的前身是西门子集团的半导体部门，1999年独立并于2000年上市。公司专注于高能效、移动性和安全性领域，致力于为汽车、工业、消费电子和通信等行业提供创新的半导体解决方案。英飞凌的产品以其高可靠性和卓越质量著称，涵盖功率器件、微控制器、安全芯片等多个领域。近年来，英飞凌通过收购赛普拉斯半导体等公司，不断扩大其在汽车电子和物联网市场的影响力。公司在全球拥有多个研发中心和生产基地，员工总数超过58,000人，持续推动半导体技术的发展与应用。
分类 :
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：23A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：117mΩ@10V,11A
描述：场效应管(MOSFET) 140W 100V 23A 1个P沟道 TO-220-3
库存：117444
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.14
1000+￥1.05
20000+
量大可议价
合计：￥1.14
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：4.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,4.2A
描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 4.2A 1个N沟道 SOT-23
库存：99536
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.305
3000+￥0.27
45000+
量大可议价
合计：￥0.31
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：6.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,6.3A
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 6.3A 1个N沟道 SOT-23
库存：90039
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.342
3000+￥0.32
45000+
量大可议价
合计：￥0.34
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.9mΩ@10V,11A
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 11A 1个N沟道 SOIC-8
库存：89805
批次 : 25+
最小包 : 4000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.844
4000+￥0.8
24000+
量大可议价
合计：￥0.84
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：200V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：150mΩ@10V,11A
描述：场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道 TO-220AB
库存：81489
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.03
1000+￥0.95
20000+
量大可议价
合计：￥1.03
安装类型：表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6 欧姆 @ 190mA，10V
技术：MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 100V 190mA 1个N沟道 TO-236-3
库存：81381
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.237
3000+￥0.21
45000+
量大可议价
合计：￥0.24
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：12V
连续漏极电流(Id)：4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4.3A
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 12V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存：72548
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.29
3000+￥0.257
45000+
量大可议价
合计：￥0.29
二极管类型：肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：40V
电流 - 平均整流 (Io)：750mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：740mV @ 750mA
描述：肖特基二极管 740mV@750mA 40V 50uA@40V 750mA SOD-323
库存：71419
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.471
3000+￥0.44
45000+
量大可议价
合计：￥0.47
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：55V
连续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：175mΩ@10V,6.6A
描述：场效应管(MOSFET) 38W 55V 11A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存：70253
批次 : 2年内
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.786
2000+￥0.725
40000+
量大可议价
合计：￥0.79
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存：68792
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.407
3000+￥0.38
45000+
量大可议价
合计：￥0.41
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：64mΩ@10V,3.6A
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 3.6A 1个P沟道 SOT-23
库存：65915
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.385
3000+￥0.36
45000+
量大可议价
合计：￥0.39
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta）
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 60V 300mA 1个N沟道 SOT-23
库存：60001
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.192
3000+￥0.17
45000+
量大可议价
合计：￥0.19
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：3.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：56mΩ@10V
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 40V 3.6A 1个N沟道 TO-236-3
库存：59536
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.57
3000+￥0.53
45000+
量大可议价
合计：￥0.57
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：330mA（Ta）
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存：58094
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.299
3000+￥0.266
45000+
量大可议价
合计：￥0.3
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：55V
连续漏极电流(Id)：31A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,16A
描述：场效应管(MOSFET) 110W 55V 31A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存：58033
批次 : 2年内
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥1.25
2000+￥1.18
30000+
量大可议价
合计：￥1.25
漏源电压（Vdss）：20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A
栅源极阈值电压：750mV @ 3.7uA
漏源导通电阻：160mΩ @ 1.4A,2.5V
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.4A 1个N沟道 SOT-323-3
库存：54502
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.316
3000+￥0.28
45000+
量大可议价
合计：￥0.32
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：600V
连续漏极电流(Id)：21mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ@10V,0.016A
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 600V 21mA 1个N沟道 SOT-23
库存：45297
批次 : 23+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.339
3000+￥0.299
45000+
量大可议价
合计：￥0.34
输出类型：固定
最大输入电压：42V
输出电压：5V
输出电流：450mA
描述：线性稳压器(LDO) 固定 42V 450mA 5V TO-252-4
库存：42665
批次 : 2年内
最小包 : 2500
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥2.83
2500+￥2.7
37500+
量大可议价
合计：￥2.83
FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta）
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存：41758
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.192
3000+￥0.17
45000+
量大可议价
合计：￥0.19
类型：1个N沟道
漏源电压(Vdss)：55V
连续漏极电流(Id)：17A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,10A
描述：场效应管(MOSFET) 45W 55V 17A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存：41719
批次 : 2年内
最小包 : 2000
起订量 : 1
增量 : 1
1+￥0.814
2000+￥0.75
20000+
量大可议价
合计：￥0.81
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