Infineon(英飞凌)
品牌产品
类目：
- 场效应管(MOSFET)
- 栅极驱动芯片
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- IGBT管/模块
- 功率电子开关
- NOR FLASH
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 三极管(BJT)
- 铁电存储器(FRAM)
- 线性稳压器(LDO)
- 其他模块
- 肖特基二极管
- 静态随机存取存储器(SRAM)
- 开发板
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- USB转换芯片
- CAN收发器
- AC-DC控制器和稳压器
- 霍尔开关
- 碳化硅二极管
- DC-DC电源芯片
- 氮化镓晶体管(GAN HEMT)
- LED驱动
- 智能功率模块(IPM)
- 隔离式栅极驱动器
- 开关二极管
- 射频开关
- MEMS麦克风
- 有刷直流电机驱动芯片
- 固态继电器(MOS输出)
- 数字晶体管
- 专业电源管理(PMIC)
- 电流传感器
- 压力传感器
- 音频功率放大器
- USB转换模块
- 触摸芯片
- 3D磁传感器
- 专用传感器
- 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
- 时钟缓冲器/驱动器/分配器
- 通用二极管
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 快恢复/高效率二极管
- 无线收发芯片
- 蓝牙模块
- 预售新品
- 变容二极管
- 时钟发生器/频率合成器/PLL
- LIN收发器
- RF放大器
- USB集线器
- 位置传感器
- 磁性角度传感器
- NVSRAM(掉电保持)
- 动态随机存取存储器(DRAM)
- 传感器模块
- PIN二极管
- 整流桥
- 仿真器/烧录器
- 安全验证/加密芯片
- 其他接口
- 射频低噪声放大器
- 照明驱动
- I/O扩展器
- 线性霍尔传感器
- 数字隔离器
- 音视频模块
- 触摸屏控制器
- 步进电机驱动芯片
- 比较器
- 电池管理
- PSRAM(伪静态)
- 预售晶体管
- WIFI模块
- 电流感应放大器
- 多芯片封装存储器
- 射频功率放大器
- 功率因数校正(PFC)控制器
- 快充协议芯片
- 晶体管输出光耦
- 隔离DI/DO
- 达林顿管
- 振动传感器
- 模拟开关/多路复用器
- 监控和复位芯片
- 射频卡芯片
- RF其它IC和模块
- 姿态传感器/陀螺仪
- 同步整流控制器
- DC-DC电源模块
- 变压器驱动器
- 缓冲器/驱动器/收发器
- 脉冲变压器
- NAND FLASH
- 浪涌保护器
- 气体传感器
- 音频接口芯片
- 电信接口IC
- 电流源/恒流源
- 无线充放电芯片
- 继电器/线圈驱动芯片
- RFID模块
- 射频模块
- LCD显示屏
- 墨水屏
封装：
- TO-247-3
- SOIC-8
- TDSON-8
- 模块
- TO-220-3
- SOT-23
- TO-252-3(DPAK)
- TO-220AB
- SO-8
- TO-252
- D2PAK
- TO-252-3
- TO-263-7
- SOT-223
- TO-247-4
- TO-220-3FP
- TO-263-3
- DSO-8
- TDSON-8(5X6)
- TSDSON-8FL
- PG-DSO-8
- DPAK(TO-252AA)
- TO-263-3(D2PAK)
- SOT-23-3
- SOIC-16
- TSDSON-8
- TO-263-3-2
- HSOF-8
- TO-220
- SOT-223-4
- SOIC-14
- PG-TDSON-8
- SOIC-16-300MIL
- PG-TO252-3
- SOT-323
- TDSON-8FL
- VSON-4
- TO-252-4
- TO-247AC
- 0201
- WDFN-8-EP
- TSSOP-14-EP-150MIL
- TO-247
- PQFN-8(5X6)
- SOT-23-6
- TO-247AC-3
- TO-220-2
- TO-263
- TSOP-6
- SOT-343-4
- TBGA-24
- TO-262-3
- DPAK
- HDSOP-16
- PG-SOT223-4
- HSOF-8-1
- TSDSO-14
- PG-HSOF-8
- PG-TO220-3
- TO-247-3-41
- D2PAK-7
- PDIP-8
- PG-TO263-3
- PG-TO263-7
- PG-TSDSO-14
- SOT-363
- TO-251-3(IPAK)
- SOT-223-3
- DSO-14
- SOD-323
- TO-220FP-3
- TQFP-48(7X7)
- VQFN-48-EP(7X7)
- SOP-8
- SOT-323-3
- SOT-343
- VQFN-48
- DIRECTFET
- PG-SOT23-3-15
- PG-TSDSO-14-22
- TO-220FP
- TO247-3
- TSON-8
- TSOPII-44
- VFBGA-48
- PG-DSO-14
- SMD-8P
- TO-220-FP
- HSOF-5
- SOT23
- TISON-8
- TQFP-100(14X14)
- CUT TAPE
- DSO-16
- FBGA-24(6X8)
- QFN-24-EP(4X4)
- TDSON-8-EP(5X6)
- TO220-2
- TSDSO-24
- TO-263-2
- PG-TO247-3
- PG-TO252-3-11
- TO-220F
- TSLP-2
- TSSOP-24-EP-150MIL
- DIP-24
- HDSOP-22
- HDSOP-22-1
- PG-TSDSON-8
- QFN-24(4X4)
- SOIC-14-EP
- SOIC-28-300MIL
- TFSOP-48
- TO-252-2(DPAK)
- TQFP-44(10X10)
- TQFP-64(10X10)
- DSO-12
- LQFP-100(14X14)
- SC-79
- SOD-882
- SSOP-28
- TDSON-8-34
- TSON-8-3
- DSO-36
- LBGA-64
- LFBGA-292
- LQFP-48
- PG-DSO-8-59
- QFN-68(8X8)
- SC-79-2
- SOIC-8-150MIL
- SOT-143
- TO-220AB-3
- TO-247-2
- TSLP-3
- DSO-14-EP
- DSO-20
- MG-WDSON-5
- PG-DIP-7
- QFN-40(6X6)
- SOT-363-6
- SSOP-28-208MIL
- DIP-7
- HSOG-8
- ITO-220AB-3
- PG-SOT23-3
- PG-VQFN-48-31
- PQFN-6-EP(2X2)
- SMD
- SON-8
- TDSON-8-4
- TO-220F-3
- TO-263-5
- TSFP-4
- HSOG-8-1
- LQFP-64(10X10)
- PG-SOT23-6
- PG-TSDSO-24
- QFN-32-EP(5X5)
- SOT-343-3D
- TSSOP-16
- PG-DSO-36
- PG-HDSOP-22
- PG-TO252-5
- QFN-32(5X5)
- TSSOP-38-4.4MM
- VBGA-24
- PG-DSO-20
- QFN-40-EP(6X6)
- SCT-595-5
- TFSOP-56
- TSFP-3
- DIP-14
- DIP-23
- SC-59
- SOIC-28
- SOIC-8-208MIL
- SOP-16
- TDSON-8-33
- TSOPII-44-10.2MM
- FBGA-121
- PG-SSOP-14-5
- PG-TSDSO-24-1
- PG-TSON-10
- REEL
- SOT-89
- TO-251(IPAK)
- TO-252(DPAK)
- WLL-2-3
- 01005
- 16-BSSOP(0.295",7.50MM 宽)
- 8-SOIC(0.154",3.90MM 宽)
- BGA-24(6X8)
- PG-DIP-7-1
- PG-DSO-8-16
- PG-DSO-8-51
- SOIC-8-300MIL
- SOT-23-6L
- TO-220-3-31
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
￥12领取
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：200V复制
连续漏极电流(Id)：18A复制
导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道复制库存：235939复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.01
1000+￥0.935
量大可议价
合计￥1.01
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：55V复制
连续漏极电流(Id)：49A复制
导通电阻(RDS(on))：17.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 94W 55V 49A 1个N沟道复制库存：153741复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.846
1000+￥0.78
量大可议价
合计￥0.85
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：2.7A复制
导通电阻(RDS(on))：92mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 60V 2.7A 1个N沟道复制库存：113865复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.677
3000+￥0.631
量大可议价
合计￥0.68
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安装类型：表面贴装型复制
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 2A，10V复制
技术：MOSFET（金属氧化物）复制
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2A 1个P沟道复制库存：106484复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.49
3000+￥0.458
量大可议价
合计￥0.49
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：38A复制
导通电阻(RDS(on))：9.8mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 100V 60A 1个N沟道复制库存：90792复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥2.27
5000+￥2.18
量大可议价
合计￥2.27
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：60mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：4.5V复制
耗散功率(Pd)：210mW复制
描述：三极管(BJT) 210mW 4.5V 60mA NPN复制库存：78404复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1.03
3000+￥0.98
量大可议价
合计￥1.03
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数据手册复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：170mA复制
导通电阻(RDS(on))：12Ω@10V,0.17A复制
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）复制库存：73152复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.45
3000+￥0.42
量大可议价
合计￥0.45
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数据手册复制
描述：TVS DIODES复制
库存：67744复制
最小包 : 15000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.529
15000+￥0.49
量大可议价
合计￥0.53
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漏源电压（Vdss）：20V复制
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A复制
栅源极阈值电压：750mV @ 3.7uA复制
漏源导通电阻：160mΩ @ 1.4A,2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.4A 1个N沟道复制库存：66304复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.339
3000+￥0.299
量大可议价
合计￥0.34
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数据手册复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：2.7A复制
导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 2.7A 1个N沟道复制库存：61433复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.417
3000+￥0.39
量大可议价
合计￥0.42
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￥12领取
复制
描述：-
库存：60680复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.407
3000+￥0.38
量大可议价
合计￥0.41
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FET 类型：P 通道复制
技术：MOSFET（金属氧化物）复制
漏源电压（Vdss）：60V复制
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：330mA（Ta）复制
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）复制库存：60027复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.407
3000+￥0.38
量大可议价
合计￥0.41
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数据手册复制
数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：1.5A复制
导通电阻(RDS(on))：230mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 30V 1.5A 1个P沟道复制库存：56903复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.342
3000+￥0.32
量大可议价
合计￥0.34
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复制
描述：-
库存：52561复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥1.01
3000+￥0.961
量大可议价
合计￥1.01
现在下单最快1小时发货
￥12领取
数据手册复制
数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：17A复制
导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 70W 100V 17A 1个N沟道复制库存：50356复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：25+
1+￥1.19
1000+￥1.1
量大可议价
合计￥1.19
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