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Infineon(英飞凌) 品牌logo图

Infineon(英飞凌)

英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)成立于1999年,总部位于德国慕尼黑,是全球领先的半导体制造商之一。英飞凌的前身是西门子集团的半导体部门,1999年独立并于2000年上市。公司专注于高能效、移动性和安全性领域,致力于为汽车、工业、消费电子和通信等行业提供创新的半导体解决方案。英飞凌的产品以其高可靠性和卓越质量著称,涵盖功率器件、微控制器、安全芯片等多个领域。近年来,英飞凌通过收购赛普拉斯半导体等公司,不断扩大其在汽车电子和物联网市场的影响力。公司在全球拥有多个研发中心和生产基地,员工总数超过58,000人,持续推动半导体技术的发展与应用。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)栅极驱动芯片NOR FLASH单片机(MCU/MPU/SOC)IGBT管/模块功率电子开关碳化硅场效应管(MOSFET)静态随机存取存储器(SRAM)线性稳压器(LDO)三极管(BJT)铁电存储器(FRAM)其他模块肖特基二极管静电和浪涌保护(TVS/ESD)开发板USB转换芯片AC-DC控制器和稳压器CAN收发器霍尔开关DC-DC电源芯片LED驱动智能功率模块(IPM)碳化硅二极管氮化镓晶体管(GAN HEMT)开关二极管数字晶体管隔离式栅极驱动器固态继电器(MOS输出)射频开关时钟缓冲器/驱动器/分配器专业电源管理(PMIC)有刷直流电机驱动芯片电流传感器通用二极管专用传感器3D磁传感器压力传感器无刷直流(BLDC)电机驱动芯片USB转换模块时钟发生器/频率合成器/PLL无线收发芯片蓝牙模块音频功率放大器MEMS麦克风触摸芯片LIN收发器动态随机存取存储器(DRAM)RF放大器预售新品晶闸管(可控硅)/模块位置传感器USB集线器快恢复/高效率二极管NVSRAM(掉电保持)变容二极管磁性角度传感器线性霍尔传感器安全验证/加密芯片其他接口PIN二极管照明驱动音视频模块传感器模块仿真器/烧录器NAND FLASH整流桥数字隔离器同步整流控制器I/O扩展器电池管理射频低噪声放大器射频功率放大器PSRAM(伪静态)功率因数校正(PFC)控制器晶体管输出光耦多芯片封装存储器触摸屏控制器射频卡芯片步进电机驱动芯片快充协议芯片预售晶体管WIFI模块比较器振动传感器电信接口IC隔离DI/DO达林顿管监控和复位芯片RF其它IC和模块姿态传感器/陀螺仪缓冲器/驱动器/收发器射频模块电流感应放大器浪涌保护器气体传感器音频接口芯片电流源/恒流源无线充放电芯片咪头/麦克风继电器/线圈驱动芯片DC-DC电源模块变压器驱动器时钟消抖RFID模块电机驱动芯片LCD显示屏脉冲变压器墨水屏预编程振荡器
品牌 :
全部INFINEON(英飞凌)
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
IRFZ44NPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)55V复制
连续漏极电流(Id)49A复制
导通电阻(RDS(on))17.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 94W 55V 49A 1个N沟道复制
库存:305550复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.879
1000+0.81
量大可议价
合计0.88
现在下单最快1小时发货
IRF640NPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)200V复制
连续漏极电流(Id)18A复制
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道复制
库存:134295复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.988
1000+0.91
量大可议价
合计0.99
现在下单最快1小时发货
IRF630NPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)200V复制
连续漏极电流(Id)9.3A复制
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 82W 200V 9.3A 1个N沟道复制
库存:87591复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+1.08
1000+1
量大可议价
合计1.08
现在下单最快1小时发货
BSS314PEH6327XTSA1 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23复制
12领取
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)1.5A复制
导通电阻(RDS(on))230mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 30V 1.5A 1个P沟道复制
库存:68289复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.396
3000+0.37
量大可议价
合计0.4
现在下单最快1小时发货
BSS308PEH6327XTSA1 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23复制
12领取
安装类型表面贴装型复制
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)80 毫欧 @ 2A,10V复制
技术MOSFET(金属氧化物)复制
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2A 1个P沟道复制
库存:68092复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.438
3000+0.41
量大可议价
合计0.44
现在下单最快1小时发货
IRF540NPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)33A复制
导通电阻(RDS(on))44mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 130W 100V 33A 1个N沟道复制
库存:66200复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+1.46
1000+1.34
量大可议价
合计1.46
现在下单最快1小时发货
IRF540NPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)33A复制
导通电阻(RDS(on))44mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 130W 100V 33A 1个N沟道复制
库存:2复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+1.4308
量大可议价
合计1.43
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IRLR024NTRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:DPAK(TO-252AA)复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)55V复制
连续漏极电流(Id)17A复制
导通电阻(RDS(on))80mΩ@4V复制
描述:场效应管(MOSFET) 45W 55V 17A 1个N沟道复制
库存:53744复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.759
2000+0.699
量大可议价
合计0.76
现在下单最快1小时发货
BSC070N10NS5 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TDSON-8(5x6)复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)80A复制
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 100V 80A 1个N沟道复制
库存:51023复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+1.98
5000+1.88
量大可议价
合计1.98
现在下单最快1小时发货
IRFR2405TRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:DPAK(TO-252AA)复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)55V复制
连续漏极电流(Id)56A复制
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 110W 55V 56A 1个N沟道复制
库存:49432复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+2.19
2000+2.1
量大可议价
合计2.19
现在下单最快1小时发货
IRFR2405TRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:DPAK(TO-252AA)复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)55V复制
连续漏极电流(Id)56A复制
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 110W 55V 56A 1个N沟道复制
库存:287复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年外
9.8
1+2.1462
量大可议价
合计2.15
现在下单最快1小时发货
IR2136STRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOIC-28-300mil复制
12领取
驱动配置半桥复制
负载类型IGBT;MOSFET复制
驱动通道数6复制
灌电流(IOL)350mA复制
描述:半桥-栅极驱动器-IC-反相-28-SOIC复制
库存:49127复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+3.55
1000+3.4
量大可议价
合计3.55
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BC847CE6327 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23-3复制
12领取
复制
描述:Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23复制
库存:48000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.292
3000+0.258
量大可议价
合计0.29
现在下单最快1小时发货
BC847SH6327 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23-3复制
12领取
复制
描述:Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT363复制
库存:48000复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+0.328
3000+0.29
量大可议价
合计0.33
现在下单最快1小时发货
TLE42754D 产品实物图片
自营TLE42754D复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-252-4复制
12领取
输出极性正极复制
工作电压42V复制
输出电压5V复制
输出电流450mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 42V 450mA 5V复制
库存:46496复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+2.36
2500+2.26
量大可议价
合计2.36
现在下单最快1小时发货
IRFR120NTRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:DPAK(TO-252AA)复制
12领取
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)9.4A复制
导通电阻(RDS(on))210mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 48W 100V 9.4A 1个N沟道复制
库存:43495复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:26+
1+0.922
2000+0.85
量大可议价
合计0.92
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BSS816NWH6327XTSA1 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-323-3复制
12领取
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.4A复制
栅源极阈值电压750mV @ 3.7uA复制
漏源导通电阻160mΩ @ 1.4A,2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.4A 1个N沟道复制
库存:43443复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:26+
1+0.328
3000+0.29
量大可议价
合计0.33
现在下单最快1小时发货
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