Infineon(英飞凌)
主营产品
功率器件微控制器安全芯片传感器无线控制IC电源管理IC
应用领域
汽车电子工业自动化消费电子通信基础设施物联网安全
类目：
- 场效应管(MOSFET)
- 栅极驱动芯片
- 功率电子开关
- IGBT管/模块
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- NOR FLASH
- 线性稳压器(LDO)
- 三极管(BJT)
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 铁电存储器(FRAM)
- 肖特基二极管
- 静态随机存取存储器(SRAM)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 其他模块
- 霍尔开关
- CAN收发器
- AC-DC控制器和稳压器
- 开发板
- 碳化硅二极管
- USB转换芯片
- DC-DC电源芯片
- LED驱动
- 氮化镓晶体管(GAN HEMT)
- 开关二极管
- 智能功率模块(IPM)
- 固态继电器(MOS输出)
- 数字晶体管
- MEMS麦克风
- 射频开关
- 隔离式栅极驱动器
- 有刷直流电机驱动芯片
- 专业电源管理(PMIC)
- 时钟缓冲器/驱动器/分配器
- 压力传感器
- 音频功率放大器
- USB转换模块
- 电流传感器
- RF放大器
- 线性霍尔传感器
- 通用二极管
- LIN收发器
- 时钟发生器/频率合成器/PLL
- 位置传感器
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 专用传感器
- 触摸芯片
- 3D磁传感器
- 快恢复/高效率二极管
- 无刷直流(BLDC)电机驱动芯片
- 动态随机存取存储器(DRAM)
- 无线收发芯片
- 变容二极管
- USB集线器
- 磁性角度传感器
- NVSRAM(掉电保持)
- PIN二极管
- 整流桥
- 安全验证/加密芯片
- 其他接口
- 传感器模块
- 蓝牙模块
- 数字隔离器
- 射频低噪声放大器
- 步进电机驱动芯片
- 仿真器/烧录器
- I/O扩展器
- 射频功率放大器
- PSRAM(伪静态)
- 多芯片封装存储器
- 模拟开关/多路复用器
- 射频卡芯片
- 姿态传感器/陀螺仪
- 快充协议芯片
- 晶体管输出光耦
- 照明驱动
- 达林顿管
- 比较器
- 电池管理
- 功率因数校正(PFC)控制器
- 同步整流控制器
- DC-DC电源模块
- 隔离DI/DO
- 脉冲变压器
- 电流感应放大器
- NAND FLASH
- 浪涌保护器
- 振动传感器
- 气体传感器
- 音频接口芯片
- 音视频模块
- 电流源/恒流源
- 监控和复位芯片
- 无线充放电芯片
- RF其它IC和模块
- 继电器/线圈驱动芯片
- 变压器驱动器
- 缓冲器/驱动器/收发器
- LCD显示屏
- 墨水屏
封装：
- TO-247-3
- TDSON-8
- SOIC-8
- SOT-23
- TO-220-3
- TO-220AB
- TO-252
- 模块
- SO-8
- TO-252-3
- TDSON-8(5X6)
- TO-252-3(DPAK)
- SOT-223
- D2PAK
- TO-263-3
- DSO-8
- SOT-23-3
- TO-263-7
- TSDSON-8FL
- TO-247-4
- HSOF-8
- DPAK(TO-252AA)
- TSDSON-8
- TO-220-3FP
- PG-DSO-8
- SOIC-16
- TO-220
- SOT-223-4
- PG-TDSON-8
- TO-263-3(D2PAK)
- CUT TAPE
- SOIC-14
- PG-TO252-3
- TO-263-3-2
- SOT-323
- SOIC-16-300MIL
- TDSON-8FL
- TO-247AC
- TO-247
- TO-252-4
- 0201
- TSOP-6
- SOT-343-4
- TO-220-2
- PG-SOT223-4
- PQFN-8(5X6)
- SOT-363
- TO-247AC-3
- PG-VQFN-48
- WDFN-8-EP
- TSDSO-14
- SOT-23-6
- SOT-323-3
- SOP-8
- TO-263
- VSON-4
- SOD-323
- TDSON-8-EP(5X6)
- DSO-14
- TO-220FP-3
- DPAK
- PG-HSOF-8
- PG-SSO-3
- PDIP-8
- HSOF-5
- VQFN-48-EP(7X7)
- HDSOP-16
- TSLP-2
- HSOF-8-1
- PG-SSO-2
- TBGA-24
- TO-262-3
- PG-TO220-3
- PG-TO263-3
- TO-220F
- TSOPII-44
- TSSOP-14-EP-150MIL
- FBGA-24(6X8)
- PG-DSO-14
- PG-SSOP-14
- SOT-223-3
- SOT-343
- TSDSON-8(3.3X3.3)
- PG-TO247-3
- SMD-8P
- TO-220FP
- D2PAK-7
- PG-TO252-5
- VFBGA-48
- DSO-12
- SC-74-6
- SOD-882
- TDSON-8-34
- VQFN-48
- DIRECTFET
- DSO-14-EP
- PG-TSDSO-14
- PG-TSON-8
- SOP
- SOT23
- TO-252-2(DPAK)
- TSON-8
- ITO-220AB-3
- PG-TO252-3-11
- PG-TSDSO-14-22
- QFN-24(4X4)
- SC-59
- SC-79-2
- SMD/SMT
- SOIC-28-300MIL
- SOT-363-6
- TQFP-48(7X7)
- HDSOP-22
- HDSOP-22-1
- LBGA-64
- LFBGA-292
- PG-SOT23-3
- SOIC-8-300MIL
- TO-220-FP
- TO220-2
- DIP-24
- DIP-7
- DSO-16
- DSO-20
- PG-DSO-20
- PG-TO263-7
- SON-8
- TDSON-8-33
- TSDSO-24
- TSLP-3
- SC-79
- SCT-595-5
- SOIC-14-EP
- SOT-143
- TISON-8
- TO-247-3-41
- TO247-3
- TSNP-6
- HSOG-8-1
- PG-TSDSO-24
- PG-TSDSON-8
- SOT-89
- TO-263-2
- PG-DSO-36
- QFN-24-EP(4X4)
- SOIC-8-150MIL
- TDSON-8-4
- TO-247-2
- TSSOP-16
- TSSOP-24-EP-150MIL
- WLL-2-2
- DSO-36
- PG-DIP-7
- PG-SOT23-3-15
- SMD
- SSOP-28-208MIL
- TO-251(IPAK)
- TQFP-100(14X14)
- TQFP-64(10X10)
- DIP-14
- DIP-8
- LQFP-48
- MG-WDSON-5
- PG-SCT595-5
- PQFN(5X6)
- PQFN-6-EP(2X2)
- QFN-40-EP(6X6)
- REEL
- SOIC-20-300MIL
- SOIC-8-208MIL
- SOP-16
- SOT-343-3D
- SSOP-28
- TDSO-14
- TSOP-44
- VSON-4-EP(8.1X8.1)
- WSON-8-EP(6X8)
- LQFP-100(14X14)
- PG-SSO-4
- QFN-32-EP(5X5)
- QFN-68(8X8)
- SMD-6P
- SOIC-28
- SOIC-32
- TO-220AB-3
- TSON-8-EP(3X3)
- DSOF-8
- FBGA-121(10X10)
- HSOG-8
- PG-TSOP6-6
- QFN-40(6X6)
- SOT-23-5
- TO-263-5
- TQFP-44(10X10)
- A
- DIP-6
- PG-TSON-6
- SC-59-3
- SOT-143-4
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：200V复制
连续漏极电流(Id)：18A复制
导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道复制库存：214143复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥1
1000+￥0.922
量大可议价
合计￥1
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：190mA复制
导通电阻(RDS(on))：10Ω@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 100V 190mA 1个N沟道复制库存：131920复制
最小包 : 3000复制
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RoHS
批次：26+
1+￥0.428
3000+￥0.4
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描述：-
库存：120000复制
最小包 : 3000复制
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批次：26+
1+￥0.428
3000+￥0.4
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安装类型：表面贴装型复制
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 2A，10V复制
技术：MOSFET（金属氧化物）复制
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 30V 2A 1个P沟道复制库存：103947复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.427
3000+￥0.399
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合计￥0.43
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：90mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：12V复制
耗散功率(Pd)：300mW复制
描述：三极管(BJT) 100@30mA,8V 300mW 12V 90mA复制库存：94951复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.688
3000+￥0.64
量大可议价
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：5.3A复制
导通电阻(RDS(on))：27mΩ复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 5.3A 1个N沟道复制库存：89811复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.417
3000+￥0.39
量大可议价
合计￥0.42
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数量：2个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：300mA复制
导通电阻(RDS(on))：4Ω@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 60V 300mA 2个N沟道 SC-70-6(SOT-363)复制库存：85783复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.374
3000+￥0.35
量大可议价
合计￥0.37
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晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：60mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：4.5V复制
耗散功率(Pd)：210mW复制
描述：三极管(BJT) 210mW 4.5V 60mA NPN复制库存：78378复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.844
3000+￥0.8
量大可议价
合计￥0.84
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：30V复制
连续漏极电流(Id)：3.4A复制
导通电阻(RDS(on))：63mΩ@4.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 3.4A 1个N沟道复制库存：72890复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.548
3000+￥0.51
量大可议价
合计￥0.55
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：55V复制
连续漏极电流(Id)：49A复制
导通电阻(RDS(on))：17.5mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 94W 55V 49A 1个N沟道复制库存：71086复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.868
1000+￥0.8
量大可议价
合计￥0.87
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数量：1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)：55V复制
连续漏极电流(Id)：11A复制
导通电阻(RDS(on))：175mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 38W 55V 11A 1个P沟道复制库存：67036复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.895
2000+￥0.825
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合计￥0.9
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漏源电压（Vdss）：20V复制
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A复制
栅源极阈值电压：750mV @ 3.7uA复制
漏源导通电阻：160mΩ @ 1.4A,2.5V复制
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.4A 1个N沟道复制库存：65136复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.313
3000+￥0.277
量大可议价
合计￥0.31
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：60V复制
连续漏极电流(Id)：2.7A复制
导通电阻(RDS(on))：92mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 1.25W 60V 2.7A 1个N沟道复制库存：64117复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.634
3000+￥0.59
量大可议价
合计￥0.63
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：33A复制
导通电阻(RDS(on))：44mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 130W 100V 33A 1个N沟道复制库存：63054复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年内
1+￥1.3
1000+￥1.2
量大可议价
合计￥1.3
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数量：1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)：100V复制
连续漏极电流(Id)：33A复制
导通电阻(RDS(on))：44mΩ@10V复制
描述：场效应管(MOSFET) 130W 100V 33A 1个N沟道复制库存：2复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：两年外
9.8折
1+￥1.4308
量大可议价
合计￥1.43
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描述：-
库存：60630复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.353
3000+￥0.33
量大可议价
合计￥0.35
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