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英飞凌

英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)成立于1999年,总部位于德国慕尼黑,是全球领先的半导体制造商之一。英飞凌的前身是西门子集团的半导体部门,1999年独立并于2000年上市。公司专注于高能效、移动性和安全性领域,致力于为汽车、工业、消费电子和通信等行业提供创新的半导体解决方案。英飞凌的产品以其高可靠性和卓越质量著称,涵盖功率器件、微控制器、安全芯片等多个领域。近年来,英飞凌通过收购赛普拉斯半导体等公司,不断扩大其在汽车电子和物联网市场的影响力。公司在全球拥有多个研发中心和生产基地,员工总数超过58,000人,持续推动半导体技术的发展与应用。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)栅极驱动IC三极管(BJT)肖特基二极管IGBT管/模块功率电子开关瞬态抑制二极管(TVS)通用二极管AC-DC控制器和稳压器电机驱动芯片线性稳压器(LDO)RF放大器LED驱动光耦-逻辑输出单片机(MCU/MPU/SOC)磁性传感器射频开关音频功率放大器电容变容二极管数字晶体管角度、线性位置传感器射频芯片/天线DC-DC电源芯片其他照明驱动智能功率模块固态继电器静电放电(ESD)保护器件压力传感器DC-DC控制芯片无线收发芯片整流桥
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
BSS119NH6327XTSA1 产品实物图片
自营BSS119NH6327XTSA1
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)190mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@10V,0.19A
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 100V 190mA 1个N沟道 SOT-23
库存:146235
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.266
3000+0.235
45000+
量大可议价
合计:0.27
IRF640NPBF 产品实物图片
自营IRF640NPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220AB
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)150mΩ@10V,11A
描述:场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道 TO-220AB
库存:114105
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.901
1000+0.831
20000+
量大可议价
合计:0.9
BSS169 H6327 产品实物图片
自营BSS169 H6327
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:PG-SOT-23-3
手册:-
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:108387
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.353
3000+0.33
45000+
量大可议价
合计:0.35
IRLML2502TRPBF 产品实物图片
自营IRLML2502TRPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23(Micro3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@4.5V,4.2A
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 4.2A 1个N沟道 SOT-23
库存:97311
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.283
3000+0.25
45000+
量大可议价
合计:0.28
BSS83PH6327XTSA1 产品实物图片
自营BSS83PH6327XTSA1
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23-3
手册:-
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)330mA(Ta)
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:95175
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.271
3000+0.24
45000+
量大可议价
合计:0.27
IRLML0060TRPBF 产品实物图片
自营IRLML0060TRPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23(Micro3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)92mΩ@2.7A,10V
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 60V 2.7A 1个N沟道 TO-236-3
库存:86981
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.358
3000+0.334
45000+
量大可议价
合计:0.36
IRFZ44NPBF 产品实物图片
自营IRFZ44NPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)49A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17.5mΩ@10V,25A
描述:场效应管(MOSFET) 94W 55V 49A 1个N沟道 TO-220AB
库存:83931
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.835
1000+0.77
20000+
量大可议价
合计:0.84
IRLML0100TRPBF 产品实物图片
自营IRLML0100TRPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23(Micro3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@10V
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 100V 1.6A 1个N沟道 SOT-23
库存:75972
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.332
3000+0.31
45000+
量大可议价
合计:0.33
ESD108B1CSP0201XTSA1 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:WLL-2-1
手册:-
反向截止电压(Vrwm)5.5V
最大钳位电压41V
峰值脉冲功率(Ppp)27.5W
击穿电压9.5V
描述:Bi-directional Ultra-low Capacitance ESD / Transient Protection Diode • ESD protection of high-speed signal lines: USB 3.0, DVI, HDMI, S-ATA, DisplayPort, Thunderbolt • RF antenna protection, frontend module, GPS, mobile TV, FM radio, UWB
库存:73529
批次 : 25+
最小包 : 15000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.183
15000+0.17
75000+
量大可议价
合计:0.18
IRLML6401TRPBF 产品实物图片
自营IRLML6401TRPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23(Micro3)
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@4.5V,4.3A
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 12V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存:70564
批次 : 24+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.277
3000+0.245
45000+
量大可议价
合计:0.28
BSS84PH6327XTSA2 产品实物图片
自营BSS84PH6327XTSA2
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23-3
手册:-
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)170mA(Ta)
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存:69670
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.17
3000+0.15
45000+
量大可议价
合计:0.17
BSS131H6327XTSA1 产品实物图片
自营BSS131H6327XTSA1
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)240V
连续漏极电流(Id)110mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14Ω@100mA,10V
描述:场效应管(MOSFET) 360mW 240V 110mA 1个N沟道 SOT-23
库存:58767
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.254
3000+0.225
45000+
量大可议价
合计:0.25
BAS3005B02VH6327XTSA1 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SC-79
手册:-
二极管配置独立式
正向压降(Vf)550mV@500mA
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流500mA
描述:肖特基二极管 独立式 550mV@500mA 30V 500mA SC-79
库存:56510
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.581
3000+0.54
45000+
量大可议价
合计:0.58
IRF9540NPBF 产品实物图片
自营IRF9540NPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220
手册:-
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)117mΩ@10V,11A
描述:场效应管(MOSFET) 140W 100V 23A 1个P沟道 TO-220-3
库存:54588
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+1.06
1000+0.98
20000+
量大可议价
合计:1.06
IRLML6246TRPBF 产品实物图片
自营IRLML6246TRPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23(Micro3)
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)46mΩ@4.5V
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 4.1A 1个N沟道 SOT-23
库存:54551
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.374
3000+0.35
45000+
量大可议价
合计:0.37
BSS214NH6327XTSA1 产品实物图片
自营BSS214NH6327XTSA1
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23-3
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)140mΩ@4.5V,1.5A
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.5A 1个N沟道 SOT-23
库存:53895
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.294
3000+0.26
45000+
量大可议价
合计:0.29
IRF540NPBF 产品实物图片
自营IRF540NPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220AB
手册:-
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)33A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)44mΩ@10V,16A
描述:场效应管(MOSFET) 130W 100V 33A 1个N沟道 TO-220AB
库存:53851
批次 : 25+
最小包 : 1000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.988
1000+0.91
20000+
量大可议价
合计:0.99
IRLML6302TRPBF 产品实物图片
自营IRLML6302TRPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23(Micro3)
手册:-
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)780mA
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻600mΩ @ 610mA,4.5V
描述:场效应管(MOSFET) 540mW 20V 780mA 1个P沟道 SOT-23
库存:50811
批次 : 2年内
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.325
3000+0.288
45000+
量大可议价
合计:0.33
MMBT3904LT1HTSA1 产品实物图片
自营MMBT3904LT1HTSA1
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23-3
手册:-
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)330mW
描述:三极管(BJT) 330mW 40V 200mA NPN SOT-23
库存:50661
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
9.5
1+0.2717
3000+0.24035
45000+
量大可议价
合计:0.27
已优惠 0.02
BCR135E6327HTSA1 产品实物图片
自营BCR135E6327HTSA1
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-23-3
手册:-
制造商Infineon Technologies
包装卷带(TR)
零件状态最後搶購
晶体管类型NPN - 预偏压
描述:NPN Silicon Digital Transistor
库存:46415
批次 : 25+
最小包 : 3000
起订量 : 1
增量 : 1
1+0.251
3000+0.223
45000+
量大可议价
合计:0.25
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