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Infineon(英飞凌)

Infineon(英飞凌)

英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)成立于1999年,总部位于德国慕尼黑,是全球领先的半导体制造商之一。英飞凌的前身是西门子集团的半导体部门,1999年独立并于2000年上市。公司专注于高能效、移动性和安全性领域,致力于为汽车、工业、消费电子和通信等行业提供创新的半导体解决方案。英飞凌的产品以其高可靠性和卓越质量著称,涵盖功率器件、微控制器、安全芯片等多个领域。近年来,英飞凌通过收购赛普拉斯半导体等公司,不断扩大其在汽车电子和物联网市场的影响力。公司在全球拥有多个研发中心和生产基地,员工总数超过58,000人,持续推动半导体技术的发展与应用。

分类 :
全部场效应管(MOSFET)栅极驱动IC肖特基二极管三极管(BJT)IGBT管/模块功率电子开关瞬态抑制二极管(TVS)电机驱动芯片数字晶体管AC-DC控制器和稳压器LED驱动RF放大器通用二极管光耦-逻辑输出线性稳压器(LDO)音频功率放大器铁电存储器(FRAM)磁性传感器DC-DC电源芯片射频开关角度、线性位置传感器智能功率模块静电放电(ESD)保护器件射频芯片/天线整流桥变容二极管开关二极管光耦-光电晶体管输出电机与驱动器传感器配件单片机/微控制器电容DC-DC控制芯片电流源/恒流源专业电源管理(PMIC)其他照明驱动无线收发芯片晶体管 - FET,MOSFET - 单个
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
IRF640NPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)200V复制
连续漏极电流(Id)18A复制
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 150W 200V 18A 1个N沟道复制
库存:289680复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.922
1000+0.85
量大可议价
合计0.92
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IRLML6244TRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)6.3A复制
导通电阻(RDS(on))27mΩ@2.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 6.3A 1个N沟道复制
库存:234003复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.481
3000+0.45
量大可议价
合计0.48
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IRLML6344TRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)5A复制
导通电阻(RDS(on))29mΩ@4.5V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 5A 1个N沟道复制
库存:155974复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.481
3000+0.45
量大可议价
合计0.48
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BSS169 H6327 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:PG-SOT-23-3复制
别名:BSS169H6327XTSA1复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)100V复制
连续漏极电流(Id)170mA复制
导通电阻(RDS(on))12Ω@10V,0.17A复制
描述:绝缘栅场效应管(MOSFET)复制
库存:136702复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.391
3000+0.365
量大可议价
合计0.39
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IRLML5103TRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)30V复制
连续漏极电流(Id)760mA复制
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 540mW 30V 760mA 1个P沟道复制
库存:135256复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.338
3000+0.316
量大可议价
合计0.34
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IRF630NPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)200V复制
连续漏极电流(Id)9.3A复制
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 82W 200V 9.3A 1个N沟道复制
库存:85748复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.955
1000+0.88
量大可议价
合计0.96
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2N7002DWH6327 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SC-70-6(SOT-363)复制
别名:2N7002DWH6327XTSA1复制
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数量2个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)300mA复制
导通电阻(RDS(on))4Ω@4.5V,0.25A复制
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 60V 300mA 2个N沟道 SC-70-6(SOT-363)复制
库存:80759复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.273
3000+0.242
量大可议价
合计0.27
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BFP196WH6327XTSA1 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-343-4复制
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安装类型表面贴装型复制
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150mA复制
工作温度150°C(TJ)复制
频率 - 跃迁7.5GHz复制
描述:三极管(BJT) 700mW 12V 150mA NPN复制
库存:79387复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.645
3000+0.6
量大可议价
合计0.65
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IRLR024NTRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:DPAK(TO-252AA)复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)55V复制
连续漏极电流(Id)17A复制
导通电阻(RDS(on))80mΩ@4V复制
描述:场效应管(MOSFET) 45W 55V 17A 1个N沟道复制
库存:73482复制
最小包 : 2000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.901
2000+0.831
量大可议价
合计0.9
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IRFZ44NPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-220AB复制
别名:IRFZ44NPBF-JSM复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)55V复制
连续漏极电流(Id)49A复制
导通电阻(RDS(on))17.5mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 94W 55V 49A 1个N沟道复制
库存:72469复制
最小包 : 1000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.835
1000+0.77
量大可议价
合计0.84
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IRLML0040TRPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:SOT-23复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)3.6A复制
导通电阻(RDS(on))56mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 1.3W 40V 3.6A 1个N沟道复制
库存:68451复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.53
3000+0.495
量大可议价
合计0.53
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IRFU9024NPBF 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-251(IPAK)复制
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数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)55V复制
连续漏极电流(Id)11A复制
导通电阻(RDS(on))175mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 38W 55V 11A 1个P沟道复制
库存:59972复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+1.27
3000+1.2
量大可议价
合计1.27
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BSC010N04LS 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TDSON-8FL复制
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数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)40V复制
连续漏极电流(Id)247A复制
导通电阻(RDS(on))1mΩ@10V复制
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 38A 1个N沟道复制
库存:59256复制
最小包 : 5000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+2.4
5000+2.31
量大可议价
合计2.4
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TLE42754D 产品实物图片
自营TLE42754D复制
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:TO-252-4复制
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输出类型固定复制
工作电压42V复制
输出电压5V复制
输出电流450mA复制
描述:线性稳压器(LDO) 固定 42V 450mA 5V复制
库存:59118复制
最小包 : 2500复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+2.41
2500+2.31
量大可议价
合计2.41
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ESD108B1CSP0201XTSA1 产品实物图片
品牌:Infineon(英飞凌)复制
封装:0201复制
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极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5.5V复制
钳位电压41V复制
峰值脉冲电流(Ipp)2.5A@8/20us复制
描述:Bi-directional Ultra-low Capacitance ESD / Transient Protection Diode • ESD protection of high-speed signal lines: USB 3.0, DVI, HDMI, S-ATA, DisplayPort, Thunderbolt • RF antenna protection, frontend module, GPS, mobile TV, FM radio,复制
库存:59095复制
最小包 : 15000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
1+0.192
15000+0.177
量大可议价
合计0.19
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还有285条型号未显示
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