FZT1151ATA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FZT1151ATA

商品编码: BM0000286852
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.232g
描述 : 
三极管(BJT) 2.5W 40V 3A PNP SOT-223
库存 :
5234(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.47
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.47
--
50+
¥1.91
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

FZT1151ATA参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)40V功率(Pd)1.6W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)180@3A,2V特征频率(fT)145MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)140mV@1A,20mA
工作温度-55℃~+150℃

FZT1151ATA手册

FZT1151ATA概述

FZT1151ATA 产品概述

概述

FZT1151ATA是一种高性能PNP型晶体管,隶属于DIODES(美台)品牌,专为多种电子应用场景设计。这款晶体管在构造和特性上经过精心设计,以满足现代电子设备对功率、效率和可靠性的需求。其SOT-223封装使得FZT1151ATA非常适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和空间受限的应用。

基本参数

  • 额定功率:FZT1151ATA的额定功率为2.5W,这使其可以在较高功率条件下稳定工作,而不会出现过热。
  • 集电极电流(Ic):该晶体管的最大集电极电流为3A,足以处理高电流负载。
  • 集射极击穿电压(Vce):其集射极击穿电压最大为40V,保证了在一定电压范围内的安全运行,能够支持多数常见电源应用。

性能特征

FZT1151ATA具备出色的饱和压降性能。在工作条件下,当Ic为250mA和3A时,最大Vce饱和压降为300mV。这一特性有助于减少功率损耗,提高电路的整体效率,尤其在需要频繁开关的应用中尤为重要。

此外,FZT1151ATA表现出优异的电流增益特性。在500mA和2V的条件下,其DC电流增益(hFE)最小值达到250,这意味着在低输入电流下,能够实现较高的输出电流增益,适合用于信号放大等应用。

频率特性

FZT1151ATA还具备145MHz的频率跃迁特性,适合用于高频信号处理器件。这一高频响应能力使得它可以有效地用于诸如 RF(射频)放大器、开关电源和其他高频应用中,确保信号的准确传输和处理。

工作环境

该晶体管支持广泛的工作温度范围,从-55°C至150°C,适用于极端气候和严苛的工作环境。其宽广的工作温度范围使得FZT1151ATA能够适应军事、航空航天、工业自动化等领域的需求,为设备提供持久和可靠的支持。

封装

FZT1151ATA采用SOT-223封装形式。这种封装设计不仅有助于减小电路板的空间占用,还可以提供良好的散热性能,确保组件在高功率和高温环境下仍能稳定运行。SOT-223是表面贴装元件中常用的封装,使得FZT1151ATA可以轻松集成到现有的SMT生产线中。

应用领域

FZT1151ATA的特性,使其在多个领域得到了广泛应用。主要应用包括:

  1. 开关电源:可以作为开关控制元件,为高效能电源供应提供可靠性。
  2. 音频放大器:在音频设备中可以用作输出级的放大元件。
  3. 信号处理:在低噪声增益应用中表现出色,适合用于接收和处理微弱信号。
  4. 仪器和设备:因其高增益和宽工作温度范围,非常适合用于测试和测量设备。

结论

FZT1151ATA PNP晶体管兼具高功率、低功耗和宽频率特性,是实现现代电子设计的理想选择。凭借其来自DIODES的优质制造工艺和可靠性,FZT1151ATA在各种工业和消费类电子产品中均能发挥出卓越的性能表现,为电子工程师在新产品开发时提供了强有力的支持。无论是在高频信号放大、强电流开关应用,还是在恶劣环境下使用,FZT1151ATA都能满足需求,成为现代电子设计中的重要元件之一。