集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 800mV@1mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 700mV@100uA,5V |
输入电阻 | 10kΩ | 电阻比率 | 4.7 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
PUMH9,115 是由Nexperia(安世)公司生产的一款高性能数字晶体管。这款器件采用了先进的预偏置技术,集成了两个NPN晶体管,适用于多种电子应用场景。其设计旨在满足现代电子电路对高效能和紧凑型封装的需求,尤其适合移动设备、家电和其他需要高集成度解决方案的场合。
PUMH9,115广泛应用于电子产品中的开关和放大电路,包括但不限于:
PUMH9,115是一种功能强大且多用途的数字晶体管,适用于多种电子产品的开关和放大应用。凭借其优异的性能参数、良好的功效和空间效率,PUMH9,115为开发者提供了理想的选择,不论是在消费者电子、工业控制还是汽车电子领域。同时,Nexperia作为领先的电子元件制造商,为该产品提供了可靠的品质保证,使其在激烈的市场竞争中独树一帜。