类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 700mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 385mΩ@4.5V,0.70A |
功率(Pd) | 160mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.2nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 0.8pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI1902DL-T1-E3 是 VISHAY(威世)公司生产的一款高性能 N 通道场效应管(MOSFET),其具备出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种电子设备中,特别适用于低功耗和高效能的电路设计。这款 MOSFET 具有 270mW 的最大功率承载能力,漏源电压(Vdss)最大可达 20V,适合用于开关电源、负载驱动和信号处理等多个场景。
SI1902DL-T1-E3 可以应用于多种电子电路,如:
这种 MOSFET 的逻辑电平驱动特性使得它可以直接与微控制器或逻辑 IC 连接,简化了电路设计,提高了灵活性和效率。
SI1902DL-T1-E3 是一款功能强大且高性能的 N 通道 MOSFET,适合检测和控制电流的各种应用。其紧凑的封装、高效的电气特性和广泛的工作温度范围,使其成为现代电子设计中的理想选择。凭借 VISHAY 的品牌可靠性和卓越的客户支持,SI1902DL-T1-E3 无疑为开发者和设计工程师提供了强有力的工具,以推动他们的项目向前发展。