晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 2.5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | 功率(Pd) | 1.25W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2A,2V | 特征频率(fT) | 140MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@1A,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZHB6718TA是一款高性能的H桥结构晶体管(BJT),由DIODES(美台)公司推出,设计用于高效电源管理和驱动应用。这款晶体管特点是集成了两个NPN和两个PNP晶体管,适合用于电动马达驱动、逆变器、以及其他要求较高功率和电流控制的应用。这款设备的最大集电极电流为2.5A,集射极击穿电压为20V,额定功率为1.25W,具备良好的热管理和散热能力。
晶体管类型:ZHB6718TA的H桥设计包括2个NPN和2个PNP晶体管,这种设计使其能够方便地在电机驱动和其他双向负载控制应用中切换方向。
集电极电流(Ic):最大值为2.5A,提供了足够的驱动能力,适用于中低功率电机和负载。
集射极击穿电压(Vce):20V,适用于多种常见的电源电压规格,确保在相应电压范围内安全稳定工作。
功率额定值:1.25W,适合于各种中低功率的电源应用,能够承受较高的输出功率需求。
Vce饱和压降:在不同的集电极电流和基极电流下,饱和压降最大为200mV(在50mA和2.5A时),表明其在工作时能有效减少功耗并提高能效。
截止电流(Ic(max)):最高可达100µA,确保在关闭状态下的静态电流极低,有利于提高整体电路的能效。
DC电流增益(hFE):在2A和2V条件下,最小值为200,展现出强大的放大性能,这对于需要高精度控制的驱动应用非常重要。
频率特性:跃迁频率可达到140MHz,这意味着该设备可用于高频开关应用,适用范围广泛。
工作温度范围:-55°C至150°C,表明ZHB6718TA具有优异的耐受极端温度的能力,使其在各种恶劣环境下均能可靠工作。
ZHB6718TA采用了表面贴装型(SMD)封装,规格为SM-8(鸥翼封装),适合自动化贴装,节省PCB空间,灵活应对小型化设计的趋势。该封装形式不仅提高了组件的散热性能,还降低了内部电感,这对于高频率应用尤为重要。
ZHB6718TA广泛应用于:
综上所述,ZHB6718TA是一款功能强大且高度集成的H桥晶体管,凭借其优异的电气性能和可靠的工作特性,能够满足现代电子电路对小型化、高效能和高集成度的需求。无论是电机驱动、能量转换还是其他应用领域,ZHB6718TA都能够提供出色的表现,是设计师和工程师在选择功率控制元件时的理想选择。