
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 600mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 数量 | 1个NPN |
DXT5551-13是一款高性能的NPN晶体管,专为多种电子应用设计,具备卓越的电气特性和可靠性。该产品采用SOT-89-3封装,适合表面贴装工艺(SMT),为电子设备的集成度和小型化提供了保障。怀着超过一代的技术积淀,DXT5551-13在电源管理、信号放大以及开关应用中均表现出色,成为工程师和设计师在选择晶体管时的优先选项之一。
由于其优秀的电气性能,DXT5551-13可广泛应用于:
DXT5551-13不仅在技术规格上表现出色,同时凭借其广泛的应用适用性及高可靠性,成为电子产品设计中不可或缺的组件。其性能的优越性使得设计师可以在高压、高频和高温的条件下,依然能够安全、稳定地运作。
DXT5551-13晶体管是一款兼具高性能与高可靠性的NPN晶体管,适合各种电子应用场景。无论是在电源管理、信号放大,还是在开关控制中,这款元器件都能提供高效、稳定的服务,是研发和生产中值得信赖的选择。选择DXT5551-13,提升您项目的性能与可靠性!