功率(Pd) | 50W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.5pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 43.5mΩ@4.5V,3A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 870pF@50V | 连续漏极电流(Id) | 25A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA |
AOD2916是一款具有高性能特征的N沟道场效应管(MOSFET),其最大功率可达到50W,适用于各种基础和复杂的电子电路设计。AOD2916的额定电压为100V,连续漏电流高达5.5A,峰值脉冲电流可达到25A,展现了其在高电流应用中的优越能力。该器件采用TO-252(DPAK)封装,方便安装且适合表面贴装技术(SMT),使其在传统电路板和现代高密度电路设计中均有广泛应用。
AOD2916的设计和材料选择使其在高频率和高效率的开关应用中都能表现出色。它具有较低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低功率损耗,提高整体系统效率。此外,AOD2916的热管理性能也很好,能够在高负载状态下保持稳定运行。
该MOSFET的门极阈值电压较低,便于与微控制器或其他低电压逻辑电平设备相连接,从而简化电路设计与实现。在开关模式电源、直流-直流转换器及马达驱动等领域,AOD2916均能轻松应用,满足用户在不同工作环境下的需求。
AOD2916广泛应用于多种电子设备中,主要包括:
在使用AOD2916时,设计工程师应关注以下几点:
AOD2916作为一款高效能的N沟道MOSFET,凭借其卓越的电压和电流处理能力,适合各种高效能的电源转换和控制应用。这种新型的MOSFET于其广泛的适用性和高效的设计使其成为现代电子应用的理想选择,展现了AOS在高性能功率半导体领域的先进技术优势。无论在家电、工业自动化还是通讯设备的设计中,AOD2916都能提供可靠的解决方案,支持用户在高效能市场中的竞争力。