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AOD2916 产品实物图片
AOD2916 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOD2916

商品编码: BM0000000240
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 50W;2.5W 100V 5.5A;25A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
62(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.14
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.14
--
100+
¥1.65
--
1250+
¥1.44
--
2500+
¥1.34
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

AOD2916参数

功率(Pd)50W反向传输电容(Crss@Vds)3.5pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43.5mΩ@4.5V,3A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)20nC@10V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)870pF@50V连续漏极电流(Id)25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.7V@250uA

AOD2916手册

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AOD2916概述

AOD2916产品概述

1. 产品简介

AOD2916是一款具有高性能特征的N沟道场效应管(MOSFET),其最大功率可达到50W,适用于各种基础和复杂的电子电路设计。AOD2916的额定电压为100V,连续漏电流高达5.5A,峰值脉冲电流可达到25A,展现了其在高电流应用中的优越能力。该器件采用TO-252(DPAK)封装,方便安装且适合表面贴装技术(SMT),使其在传统电路板和现代高密度电路设计中均有广泛应用。

2. 技术规格

  • 电压等级(VDS): 100V
  • 电流等级(ID): 5.5A连续,25A脉冲
  • 功率耗散: 50W
  • 封装类型: TO-252(DPAK)
  • 工作温度范围: -55°C至+150°C
  • 通道类型: N沟道
  • 门极阈值电压(VGS(th)): 通常在2V至4V之间
  • RDS(on): 典型值在0.15Ω级别,具体值视不同的工作条件而定

3. 性能特点

AOD2916的设计和材料选择使其在高频率和高效率的开关应用中都能表现出色。它具有较低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低功率损耗,提高整体系统效率。此外,AOD2916的热管理性能也很好,能够在高负载状态下保持稳定运行。

该MOSFET的门极阈值电压较低,便于与微控制器或其他低电压逻辑电平设备相连接,从而简化电路设计与实现。在开关模式电源、直流-直流转换器及马达驱动等领域,AOD2916均能轻松应用,满足用户在不同工作环境下的需求。

4. 应用场合

AOD2916广泛应用于多种电子设备中,主要包括:

  • 开关电源: 其可用于高效的直流-直流转换器和逆变器设计,可实现更低的能耗和更高的工作效率。
  • 马达驱动: 在电机控制电路中,利用MOSFET的高电流处理能力,确保平稳的马达启动和运行。
  • 充电器及电池管理: 能够在电池充电和放电过程提供优异的性能,提升系统整体效率。
  • 电源管理与控制: 用于高效的电源开关和负载切换,提高系统的可靠性与稳定性。

5. 设计注意事项

在使用AOD2916时,设计工程师应关注以下几点:

  • 热管理: 尽管AOD2916的功率耗散能力较强,但在高功率应用中仍需考虑合理的散热设计,确保器件保持在安全工作温度范围。
  • 引脚布局: TO-252封装的布局设计需考虑电源回路的阻抗匹配与电流流向,防止可能的电磁干扰(EMI)问题。
  • 驱动电压: 确保施加的门极驱动电压符合器件的额定值,以实现最佳开关性能。
  • 电压和电流保护: 在电源系统中建议加入适当的过压和过流保护措施,延长器件的使用寿命。

6. 结论

AOD2916作为一款高效能的N沟道MOSFET,凭借其卓越的电压和电流处理能力,适合各种高效能的电源转换和控制应用。这种新型的MOSFET于其广泛的适用性和高效的设计使其成为现代电子应用的理想选择,展现了AOS在高性能功率半导体领域的先进技术优势。无论在家电、工业自动化还是通讯设备的设计中,AOD2916都能提供可靠的解决方案,支持用户在高效能市场中的竞争力。