
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
ZXTN10150DZTA

- 商品编码: BM0000034956复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-89-3L复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.151g复制
- 描述: 三极管(BJT) 1.5W 150V 1A NPN复制
ZXTN10150DZTA参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 1A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 特征频率(fT) | 135MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
| 数量 | 1个NPN |
ZXTN10150DZTA手册
ZXTN10150DZTA概述
产品概述:ZXTN10150DZTA NPN晶体管
一、基本信息
ZXTN10150DZTA是一款由Diodes Incorporated制造的高性能NPN电晶体,采用SOT-89-3封装。该三极管在业界广泛应用于各种电子电路中,尤其是在低功率放大和开关电路中受到青睐。其支持的最大电流为1A,最大电压可达150V,具备卓越的电流增益特性,使其能够适用于多种电源和信号处理应用。
二、主要特性
电流和电压规格:
- 集电极电流(Ic): ZXTN10150DZTA的最大集电极电流为1A,适合高负载应用。
- 集射极击穿电压(Vceo): 最大为150V,使其能够在高电压环境中稳定工作。
- 最大功率: 该元件的功率限制为1.5W,保证了在高电流操作下的有效散热与长期稳定性。
增益与频率特性:
- 直流电流增益(hFE): 在150mA和250mV条件下,ZXTN10150DZTA可提供最小值为100的增益,达到企业在低功耗电路中高效放大的目的。
- 频率特性: 该晶体管的跃迁频率为135MHz,支持高频应用,适合于高速信号的放大和开关操作。
稳健的工作环境:
- 工作温度范围: ZXTN10150DZTA能够在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作,从而保证在恶劣环境下的可靠性和长期使用。
- 电流截止特性: 在集电极截止电流(ICBO)下,其最大值仅为500nA,显示其出色的漏电流特性,有助于提高电路的稳定性和效率。
封装与安装:
- 封装类型: SOT-89封装的设计不仅节省空间,同时也适用于表面贴装技术(SMT),使其在现代电子设备中应用更加灵活。
三、应用领域
ZXTN10150DZTA适用于多种应用场景,包括但不限于:
- 开关电源: 在DC-DC转换器等高效能开关电源中,作为开关元件,提高电能转换效率。
- 信号放大: 用于音频放大器或射频应用中的低噪声信号放大。
- 驱动电路: 用于驱动小功率继电器、LED及马达,帮助完成控制任务。
- 线性稳压电源: 在小型线性稳压器中作为输出级增加输出电流,提升稳压性能。
四、总结
ZXTN10150DZTA是一款性能卓越的高压NPN晶体管,凭借其稳健的电气特性、广泛的应用范围和适应严苛工作环境的能力,成为电子设计者的理想选择。无论是在高频信号处理还是高电压开关应用中,ZXTN10150DZTA都表现出色,为各种电子产品提供了可靠的解决方案。作为Diodes Incorporated的经典产品之一,它的高性价比和稳定性使其在市场上备受好评,为广大设计工程师提供了出色的设计基础。
最新价格
梯度
单价(含税)
1+
¥5.18
1000+
¥4.99
10000+
优惠活动
券500-15
领
库存/批次
库存
批次
40复制
26+复制
现在下单最快1小时发货
购买数量起订量:1,增量:1
单价¥5.18
合计:¥0





