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三极管(BJT)

展示方式：
品牌
ADI(亚德诺)/LINEAR
AF(晶岳)
ALJ(龙晶微)
AM(安美)
AnBon(安邦)
品牌归属地
中国台湾
中国大陆
国际
封装/规格
0
1206A-03
2-2U1A
2-3S1C
2-7J1S
晶体管类型
2 NPN（双）
2 PNP（双）
NPN
NPN+PNP
NPN，PNP
数量
1个NPN
1个NPN+1个PNP
1个PNP
1个PNP-预偏置
2个NPN
配置
全桥
共基
共射
半桥
独立式
集电极电流(Ic)
1.25A
1.2A
1.35A；1.1A
1.5A
1.8A
集射极击穿电压(Vceo)
100V
10V
115V
11V
120V
耗散功率(Pd)
0.2mW
0.5mW
0.625mW
1.07W
1.13W
直流电流增益(hFE)
10
100
1000
10000
1000@1mA,5V
射基极击穿电压(Vebo)
0.6V
1.2V
1.5V
10V
11V
集电极截止电流(Icbo)
0.01pA
0.1pA
1.5nA
100mA
100nA
集射极饱和电压(Vce(sat))
1.05V
1.1V
1.25V
1.2V
1.3V
特征频率(fT)
1.1GHz
1.2MHz
1.5GHz
1.5MHz
1.85GHz
工作温度
-20℃~+85℃
-25℃~+125℃
-25℃~+150℃
-40°C ~ 150°C（TJ）
-40℃~+110℃
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
盒装
管装
箱装
编带
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
MMBT5551 H 产品实物图片
自营MMBT5551 H复制
品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制
封装：SOT23复制
类目：三极管(BJT)复制
别名：MMBT5551 L, MMBT5551(RANGE:200-300)复制
￥12领取
复制
描述：晶体管 放大倍数H档位复制
库存：4478696复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.053286
3000+￥0.042372
量大可议价
合计￥0.05
现在下单最快1小时发货
SS8050 产品实物图片
自营SS8050复制
品牌：CJ(江苏长电/长晶)复制
封装：SOT-23(SOT-23-3)复制
类目：三极管(BJT)复制
￥12领取
数据手册复制
描述：hFE:200-350，丝印:Y1复制
库存：2728228复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.05292
3000+￥0.042
量大可议价
合计￥0.05
现在下单最快1小时发货
BC846B,215 产品实物图片
自营BC846B,215复制
品牌：Nexperia(安世)复制
封装：SOT-23复制
类目：三极管(BJT)复制
￥12领取
数据手册复制
晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：65V复制
耗散功率(Pd)：250mW复制
描述：三极管(BJT) 250mW 65V 100mA NPN复制
库存：2648398复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.0359
3000+￥0.0285
量大可议价
合计￥0.04
现在下单最快1小时发货
LMBT3946DW1T1G 产品实物图片
自营LMBT3946DW1T1G复制
品牌：LRC(乐山无线电)复制
封装：SC-88复制
类目：三极管(BJT)复制
￥12领取
数据手册复制
晶体管类型：NPN+PNP复制
集电极电流(Ic)：200mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：150mW复制
描述：三极管(BJT) 150mW 40V 200mA NPN+PNP复制
库存：1609293复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次：26+
1+￥0.0655
3000+￥0.052
量大可议价
合计￥0.07
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MMBT4401LT1G 产品实物图片
自营MMBT4401LT1G复制
品牌：ON(安森美)复制
封装：SOT-23复制
类目：三极管(BJT)复制
￥12领取
数据手册复制
晶体管类型：NPN复制
集电极电流(Ic)：600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)：40V复制
耗散功率(Pd)：225mW复制
描述：三极管(BJT) 300mW 40V 600mA NPN复制
库存：1546677复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次：26+
1+￥0.0668
3000+￥0.053
量大可议价
合计￥0.07
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