类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 30A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,18A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 140nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.8nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 250pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:IRFP250PBF
IRFP250PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO-247-3 封装,专为高电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(Vdss)达 200V,最大连续漏极电流(Id)可达到 30A,提供了在多个场合下的可靠性与稳定性。该器件典型应用于电源转换器、逆变器、电机驱动以及其他高电流和高压应用场合。
电压与电流能力:
导通电阻与效率:
栅极特性:
热性能:
封装与安装:
IRFP250PBF 被广泛应用于各种高压和高电流的场合,典型应用包括:
作为一款优秀的 N 通道 MOSFET,IRFP250PBF 出色的电气性能、可靠的散热能力以及广泛的应用适应性,使其成为高电压、高功率电子设备中的理想选择。威世(VISHAY)作为领先的半导体制造商,确保这一产品在现代电子设计中的高效能与可靠性,助力开发者实现创新设计和高效运作。