类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@10V,5.5A |
功率(Pd) | 160W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 25pF@25V | 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
STP11NM60 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 通道 MOSFET,专为高性能电源管理及开关应用而设计。它的高电压和电流承载能力使其成为工业、消费电子和汽车电子等广泛应用场景中的理想选择。
STP11NM60 的设计适用于多种电力电子设备。以下是一些主要应用领域:
STP11NM60 具有多项性能优势,使其在电子应用中脱颖而出:
STP11NM60 采用 TO-220AB 封装形式,设计上利于通孔安装,大大方便了散热管理和电路板布局。优秀的内部结构及隔热性能允许其在高功率操作下保持稳定的工作温度。
STP11NM60 是一款高性能、高可靠性的 N 通道 MOSFET,适用于多种高压、高功率电源管理应用。其卓越的电气性能、耐压特性及优良的散热能力,使其在行业内获得了广泛的认可和应用。无论是开关电源、电动机驱动还是电源管理系统,STP11NM60 都展现出了其强大的适应能力和出色的电源转换效率,是现代电子设备中不可或缺的重要元器件之一。