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ZXTP749FTA

- 商品编码: BM0000178876复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-23复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.000028复制
- 描述: 三极管(BJT) 725mW 25V 3A PNP复制
ZXTP749FTA参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V |
| 耗散功率(Pd) | 725mW |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 229mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
ZXTP749FTA手册
ZXTP749FTA概述
ZXTP749FTA 产品概述
一、基本信息
ZXTP749FTA 是一款高性能 PNP 型晶体管(BJT),由 DIODES(美台)公司生产,专为各种电子应用场景而设计。其独特的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为高效电流放大和开关应用的理想选择。该元件采用 SOT-23 表面贴装型封装,使其能够轻松集成于紧凑的电路设计中,满足现代电子产品对于尺寸和性能的要求。
二、关键参数
晶体管类型:PNP
- ZXTP749FTA 为 PNP 型晶体管,能够在电路中实现有效的电流控制和信号放大,适合用于负载控制和开关电路。
最大集电极电流(Ic):3A
- 该晶体管的集电极电流最大值为 3A,适合驱动大功率负载,满足多种高电流应用需求。
最大集射极击穿电压(Vceo):25V
- 25V 的集射极击穿电压确保了 ZXTP749FTA 在低电压环境下的稳定性,适合用于多种低至中等电压的应用。
饱和压降(Vce(sat)):350mV @ Ic = 300mA,3A
- 这一特性表明,在较高的集电极电流下仍然能够保持较低的饱和压降,提高了电能转换效率,并减少了能量损耗。
集电极截止电流(ICBO):50nA(最大值)
- 极低的集电极截止电流优化了该晶体管的功耗性能,适用于低功耗应用。
直流电流增益(hFE):200 @ 100mA,2V(最小值)
- hFE 值高达 200,意味着在相对低的基极电流下能够驱动较大的集电极电流,提高了晶体管的增益特性,使其在放大信号时更加高效。
功率最大值:725mW
- 725mW 的功率容量使 ZXTP749FTA 能够适应各种功率要求的应用。
工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 宽广的工作温度范围确保了其在恶劣环境中的可靠性和耐用性,非常适合汽车电子、工业设备等领域。
三、封装与安装
ZXTP749FTA 采用 SOT-23 封装,是一种小型表面贴装型器件,适合高密度电路的设计。该封装不仅减小了电路板的占用面积,还简化了生产和安装过程。其结构设计有利于热量的散发,进一步增强了器件在实际应用中的可靠性。
四、应用领域
ZXTP749FTA 广泛应用于以下领域:
- 电源管理:能够用于开关电源和线性稳压器,提供稳定的电流和电压输出。
- 信号放大:适合用于音频信号放大、传感器信号处理等领域,以增强微弱信号。
- 开关应用:可用于驱动继电器、LED 照明和电机等负载,控制高电流的开关操作。
- 汽车电子:由于其高工作温度范围和低功耗特性,适合于汽车控制系统、仪表盘等应用。
五、总结
ZXTP749FTA 是一款性能卓越的 PNP 型晶体管,凭借其高电流输出、低饱和压降和广泛的工作温度范围,成为各类电子电路应用的理想选择。其小型化的表面贴装设计以及可靠性,使其能够满足现代电子产品设计中的严苛要求。无论在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,ZXTP749FTA 均能为设计者提供强大的支持和灵活性。
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