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BC847B-13-F
- 商品编码： BM0000631894复制
- 品牌： DIODES(美台)复制
- 封装： SOT-23复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.03g复制
- 描述： 三极管(BJT) 310mW 45V 100mA NPN复制
BC847B-13-F参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 直流电流增益(hFE) | 450 |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 数量 | 1个NPN |
BC847B-13-F手册
BC847B-13-F概述
BC847B-13-F 产品概述
BC847B-13-F是一款高性能的NPN型双极结晶体管（BJT），为表面贴装型设计，封装类型为SOT-23。该器件由知名制造商DIODES（美台）生产，广泛用于各种电子电路中，适用于需要高增益和低功耗的应用场景。以下是对BC847B-13-F的重要参数与应用的详细分析。
核心参数
晶体管类型: NPN
- BC847B的NPN结构使其易于开关控制和放大信号，这种结构在数字和模拟电路中都极为常见。
集电极电流（Ic）: 最大100mA
- 该器件支持最大100mA的集电极电流，适合用于驱动小负载和信号放大。
集射极击穿电压（VCE(max)）: 45V
- VCE的最大值为45V，确保在大多数应用中具备良好的耐压性，适合高压环境下的应用。
饱和压降（VCE(sat)）: 600mV @ 5mA，100mA
- 对于5mA和100mA的集电极电流，最大饱和压降为600mV，意味着在工作时能有效减少功耗，提升电路的整体效率。
集电极截止电流（Ic(max)）: 15nA
- 集电极截止电流非常小，仅为15nA，表明该晶体管在关闭状态下具有良好的漏电特性，非常适合长时间保持在关闭状态的应用。
直流电流增益（hFE）: 最小450 @ 2mA，5V
- 高达450的直流电流增益，表示在相对较小的基极电流下能够有效控制较大的集电极电流，这使得它在信号放大方面表现突出。
功耗: 最大310mW
- 具有310mW的最大功耗能力，这使得BC847B在高负载条件下仍能正常工作。
频率: 跃迁频率高达300MHz
- BC847B能够在高达300MHz的频率下工作，适合高频应用，如射频放大器和开关电路。
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
- 极宽的工作温度范围确保了该器件能够在严苛的环境条件下稳定运行，适合航空航天和军用电路的需求。
封装特性
BS847B采用SOT-23封装，具有极小化和轻量化的优点，方便在紧凑的电路板上布局。SOT-23封装是表面贴装式设计，支持自动化贴片装配，显著提高了生产效率。此外，其较小的尺寸也使其在便携式设备中更具优势。
应用领域
BC847B-13-F晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于：
小信号放大: 由于其高增益特性，BC847B适合用于音频、视频信号放大以及传感器信号处理等。
开关控制: 在电源管理电路、电机驱动和其他开关电路中，可以用作开关元件，控制低功耗的负载。
射频电路: 其高频性能使BC847B非常适合RF放大器和调制解调器等应用。
汽车电子: 优越的抗温性能和可靠性使其能够在汽车电子系统中发挥重要作用。
消费电子: 适用于各种便携设备、小型家电和智能产品。
总结
BC847B-13-F作为一款高性能的NPN型晶体管，其出色的电气特性、高增益、低功耗以及广泛的工作温度范围使其在电子设计领域中备受青睐。无论在高频应用还是小信号放大、开关控制的场景中，BC847B均表现出色，是工程师们在产品设计中值得信赖的选择。