BUK9Y43-60E,115

产品概述：BUK9Y43-60E,115 N通道MOSFET

BUK9Y43-60E,115 是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名品牌Nexperia（安世）制造。该器件专为高频率和高电流应用设计，广泛应用于电源转换、马达驱动和其他需要高效电流开关的电路设计中。其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，使得BUK9Y43-60E,115在各种严苛的环境条件下依然能够正常工作。

基础参数和特性

BUK9Y43-60E,115 的关键参数如下：

• 漏源电压（Vdss）：该MOSFET的最大漏源电压为60V，适用于中等电压的开关和放大应用。
• 连续漏极电流（Id）：在25°C时，该器件具有22A的高连续漏极电流能力，具备良好的输出功率性能。
• 导通电阻（Rds(on)）：在5V的驱动电压下，最大导通电阻为41毫欧。这一低导通电阻特性能够有效降低驱动损耗，提高整体系统的效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的栅极阈值电压最大值为2.1V，且在1mA电流条件下测试。这意味着只需较低的栅极电压即可启动器件，适应多种逻辑电平驱动要求。
• 输入电容（Ciss）：输入电容最大值为880pF，适用于高速开关操作。
• 栅极电荷（Qg）：在5V Vgs下的栅极电荷最大值为8.2nC，显示了该MOSFET在切换过程中需要的驱动电流相对较小，进而降低了驱动电路的复杂性和功耗。
• 功率耗散：该器件的最大功率耗散为45W，允许在较高的功率条件下使用。
• 工作温度：BUK9Y43-60E,115具有极宽的工作温度范围，从-55°C到175°C，使其特别适于高温及恶劣环境下的应用。

封装与安装

BUK9Y43-60E,115 采用先进的表面贴装封装设计，包括LFPAK56和Power-SO8，以及SC-100和SOT-669外壳。其紧凑的封装设计有助于简化电路布局，提高PCB利用率，同时也优化了热性能，适合于空间受限的应用场合。

应用领域

BUK9Y43-60E,115 的应用领域极为广泛，包含但不限于：

• 开关电源：在DC-DC转换器和AC-DC电源中，MOSFET可以实现高效的电力转换和管理，降低系统损耗。
• 电机驱动：在电动驱动系统中，如电动工具和家用电器，BUK9Y43-60E,115可以可靠控制电机的启动和停止。
• 电池管理系统：在电池充电和放电过程中，MOSFET能够高效实现电流控制，提高充放电效率。
• 汽车电子：作为电源分配和控制开关，特别适于汽车电气系统的高压和高温条件下工作。

总之，BUK9Y43-60E,115 是一款结合高性能、可靠性和灵活性的MOSFET，能够满足不同应用领域对电流开关的需求。其低导通电阻、高耐压、高电流能力及广泛的工作温度范围，使得BUK9Y43-60E,115成为现代电力电子设计中不可或缺的重要元件。Nexperia凭借其卓越的设计和制造工艺，确保了BUK9Y43-60E,115在性能和稳定性方面处理良好，为各类终端产品提供高效的电力解决方案。