2SD882 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

2SD882

商品编码: BM0010116289
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
SOT-32(TO-126)
包装 : 
编带
重量 : 
1.24g
描述 : 
三极管(BJT) 12.5W 30V 3A NPN TO-126
库存 :
200(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
3.42
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.42
--
100+
¥2.85
--
1000+
¥2.59
--
2000+
¥2.47
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SD882参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)30V功率(Pd)12.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1A,2V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100uA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@1A,50mA
工作温度-65℃~+150℃

2SD882手册

2SD882概述

2SD882 产品概述

一、基本信息

2SD882 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 NPN 型晶体管,属于双极型晶体管(BJT)系列。它的设计特点使其在众多电子设备中得到了广泛应用。该器件适用于需要中等功率和高频特性的各种场合,使其成为电源管理、信号放大等应用的理想选择。

二、关键参数

  • 电流(Ic): 2SD882 最大集电极电流可达 3A,这使得它适合处理高负载的情况。
  • 电压(Vce_max): 其集射极击穿电压的最大值为 30V,能够在此电压范围内稳定工作,符合大部分小到中型电源系统的要求。
  • 饱和压降(Vce(sat)): 在 150mA 和 3A 的条件下,其 Vce 饱和压降最大为 1.1V,表现出较低的功耗和较高的效率。
  • 截止电流(Ic_cutoff): 截止电流最大为 100µA,减少了静态功耗。
  • 电流增益(hFE): 该器件在 100mA 和 2V 的条件下具有至少 100 的 DC 电流增益(hFE),说明其在放大应用中可以有效地增强信号。

三、热与功率特性

2SD882 的最大功率通过量为 12.5W,这表明它能够在一定程度上处理高功率的任务,适合于需要适当冷却的应用场景。工作温度范围高达 150°C(结温),使其在高温环境下依然可以可靠地工作,适用性广泛。

四、频率特性

该器件的最大跃迁频率为 100MHz,适合高频开关及放大应用。例如,在音频放大器和射频传输line中,可以有效抑制信号失真,提升整体性能。

五、封装与安装类型

2SD882 的封装形式为 TO-126(SOT-32),采用通孔安装技术,这种设计使得设备易于安装与更换,并能有效的散热。在某些应用中,这种封装形式能够提供更好的机械强度,同时也保留了较好的电气性能。

六、应用场景

  1. 电源开关:在电源管理和调节电路中,2SD882 能够用于 DC-DC 转换器中,充分发挥其高电流承载能力。

  2. 信号放大器:利用其良好的电流增益特性和适中的频率响应,适合用于音频放大器和射频放大器等领域。

  3. 驱动电路:可用于驱动电机或继电器的控制电路,有效提升控制系统的工作性能。

  4. 干扰抑制:由于其较低的饱和压降和出色的频率特性,适合用于高频信号处理,能够有效抑制信号干扰。

七、总结

总体而言,2SD882 作为一款 NPN 型晶体管,凭借其出色的电气性能、宽广的应用领域和较高的可靠性,成为众多电子电路设计中的一款优秀部件。无论是在高功率应用、信号放大还是其他电子接口方面,2SD882 的表现均可满足大多数设计需求,是电子工程师和设计师在构建高效能系统时的理想选择。