
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
BSS84DWQ-7

- 商品编码: BM0033536769复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-363复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.032g复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 300mW 50V 130mA 1个P沟道复制
BSS84DWQ-7参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 45pF |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
BSS84DWQ-7手册
BSS84DWQ-7概述
产品概述:BSS84DWQ-7
产品描述: BSS84DWQ-7是一款高性能的P沟道MOSFET,封装为紧凑的SOT-363,适用于各种电子应用。该MOSFET的额定功率为300mW,最大额定电压为50V,最大漏电流为130mA。这种设计使得BSS84DWQ-7特别适合于空间有限的应用场景,同时又能保证可接受的电流和电压范围,使其成为电源开关、负载开关和信号传输等电路中的理想选择。
厂家信息: 该元器件由美台公司(DIODES)生产,DIODES是一家在全球范围内备受推崇的半导体制造商,以其高品质的产品和创新设计闻名。DIODES不仅在MOSFET领域占有一席之地,还提供各种其他电子元器件,使其能够满足广泛的市场需求。
技术规格:
- 封装类型:SOT-363
- 功率:300mW
- 最大漏源电压(V_DS):50V
- 最大漏电流(I_D):130mA
- 导通电阻(R_DS(on)):低导通电阻有助于降低功耗,提高效率。
- 门源阈值电压(V_GS(th)):适合低电压控制,提升开关性能。
应用场景: BSS84DWQ-7因其优秀的电气特性,使其在多个应用领域中极具吸引力,以下是其主要应用场景:
- 开关电源:作为开关控制元件,能够有效地控制电源的开启与关闭。
- 负载开关:用于控制低功耗设备的开关,如LED照明、传感器和小型电机等。
- 信号开关:能够在信号处理中扮演关键角色,例如音频信号路由或数据传输。
- 电流限流:在某些电路设计中,可以用作电流限制器,保护后续电路的安全。
- 电子开关:广泛用于消费电子,特别是在便携式电子设备中,确保其高效运行。
优势和特点:
- 高可靠性:作为DIODES旗下的产品,其质量得到了行业的广泛认可,具有优秀的耐用性和可靠性。
- 小巧的封装:SOT-363封装设计允许在贴片技术中使用,适合于高密度电路板设计。
- 低功耗:结合低导通电阻,确保高效的能量传输,适合于各种环保和节能的应用。
- 简单的驱动特性:相对较低的门源阈值电压使得它能够在较低的控制电压下正常工作,简化了电路设计。
总结: BSS84DWQ-7是一款功能强大的P沟道MOSFET,适合广泛的电子应用。凭借其卓越的技术规格和可靠性,BSS84DWQ-7承诺提供卓越的电气性能和长效的使用寿命。无论是在专业领域还是消费领域,该产品都为设计工程师提供了灵活的解决方案,能够满足现代电子设备对高效、可靠和小尺寸组件的需求。选择BSS84DWQ-7,将有助于提升产品的整体性能与市场竞争力。
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