晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 60@0.1mA,1.0V | 特征频率(fT) | 250MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
SMMBT3906LT1G是一款由ON Semiconductor(安森美)公司生产的PNP型双极晶体管,其设计用于多种电子应用,特别适合于信号放大、开关电路及线性电路中。该型号在电子行业中享有良好的声誉,主要得益于其稳定的性能和宽广的工作温度范围。作为一种表面贴装型元器件,其尺寸小巧,适用于高密度的电路板设计。
SMMBT3906LT1G晶体管的应用场景非常广泛:
SMMBT3906LT1G晶体管是一款性能强大且高度可靠的PNP型双极晶体管,适合于各种电子应用。无论是在信号放大、开关控制还是电源管理中,其出色的工作参数和稳定性都使其成为电子工程师和设计师的理想选择。由于其小巧的尺寸和低功耗特性,SMMBT3906LT1G特别适合于现代消费电子产品的开发,能够有效满足市场对高性能小型元器件的需求。