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PESD5Z5.0,115

- 商品编码: BM0058398825复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: SC-79(SOD-523)复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.000032复制
- 描述: ESD二极管 PESD5Z5.0,115 N9复制
PESD5Z5.0,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 极性 | 单向 |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V |
| 钳位电压 | 18V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 10A@8/20us |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 180W@8/20us |
| 击穿电压(VBR) | 6.2V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 反向电流(Ir) | 5nA |
| 通道数 | 单路 |
| 防护等级 | IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 |
| 类型 | ESD |
| Cj-结电容 | 89pF |
PESD5Z5.0,115手册
PESD5Z5.0,115概述
PESD5Z5.0,115 产品概述
产品简介
PESD5Z5.0,115是由知名电子元器件供应商安世(Nexperia)生产的一款ESD(静电放电)保护二极管,采用SOD-523封装。这款元器件专为保护敏感电子元件免受静电放电和过电压冲击而设计,特别适用于以太网通信和其他高频应用。其卓越的性能指标和紧凑的封装使其成为各种电路保护应用的理想选择。
基本参数
PESD5Z5.0,115具有以下基本电气参数:
- 极性: 单向(Unidirectional)
- 峰值脉冲电流(10/1000µs): 10A
- 箝位电压: 13V(在不同的脉冲条件下)
- 击穿电压(最小值): 6.2V
- 反向关断电压(典型值): 5V
- 类型: 齐纳二极管(Zener diode)
- 单向通道: 1
- 电压 - 反向断态(V_R): 5V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值): 6.2V
- 功率 - 峰值脉冲: 180W
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 10A (适用于8/20µs的短脉冲)
- 工作温度范围: -65°C ~ 150°C
- 电源线路保护: 无
- 工作频率下的电容: 89pF @ 1MHz
封装与安装
PESD5Z5.0,115采用SOD-523封装,这是一种表面贴装型封装,具有小型化的特点,适合高密度电路板的应用。该封装有助于减小元器件的体积,从而提高整体电路的集成度。凭借其优良的热性能和机械强度,SOD-523封装使得PESD5Z5.0,115在严酷环境下仍能稳定工作。
应用场景
PESD5Z5.0,115特别适用于以太网等数据通讯设备的静电保护。现代电子设备普遍面临静电放电(ESD)和电涌(surge)的威胁,这些因素可能会导致设备故障、数据丢失和整体性能下降。通过将PESD5Z5.0,115集成入设计中,可以有效降低这些风险,保护关键组件如微处理器、传感器、收发器以及其他敏感电子元件。
此外,PESD5Z5.0,115还兼容各种工业及消费电子产品,如手机、便携式计算机、网络设备和汽车电子等。其广泛的工作温度范围(-65°C ~ 150°C)确保在不同气候和应用条件下均能稳定工作。
性能优势
PESD5Z5.0,115拥有较高的瞬态电流承载能力,能够在瞬间吸收大量的峰值脉冲电流(10A),以及在很短的时间内迅速响应静电放电,大幅度增强系统的抗干扰能力。此外,该元器件的低箝位电压(13V)和较高的功率处理能力(180W),确保在多种工作条件下仍能维持良好的性能表现。
结论
PESD5Z5.0,115是一款出色的ESD保护二极管,适合各种高频和高电流应用。其小型化设计和强大的电气特性使其在保护敏感电子组件方面具有明显优势。随着电子设备对抗静电破坏的需求不断增加,PESD5Z5.0,115无疑是关键应用的可靠选择,能够帮助设计工程师解决静电放电带来的挑战,确保产品的稳定性和可靠性。





