正向压降(Vf) | 620mV@1A | 直流反向耐压(Vr) | 20V |
整流电流 | 1A | 反向电流(Ir) | 1.5mA@20V |
PMEG2010AEB,115 是一款高效的肖特基二极管,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统。其主要参数特点包括直流反向耐压(Vr)为20V,平均整流电流(Io)达到1A,正向压降(Vf)为620mV(在1A时)。该二极管采用SOD-523封装,适合表面贴装类型的安装,适用于现代小型化、高效率电子产品的设计需求。
直流反向耐压(Vr): 20V
平均整流电流(Io): 1A(DC)
正向压降(Vf): 620mV @ 1A
反向电流(Ir): 1.5mA @ 20V
电容(C): 25pF @ 1V,1MHz
恢复时间: 快速恢复 =< 500ns
工作温度范围: 工作结温度最高可达150°C
PMEG2010AEB,115 在许多现代电子设备中都有广泛的应用,具体包括:
由于其高效性和优秀的温度特性,PMEG2010AEB也常被用于移动设备、计算机电源和各种消费电子产品中。
由安世(Nexperia)制造的PMEG2010AEB,115 具有优秀的性价比和市场竞争力。凭借其低正向压降、适中的反向电流和高温工作能力,使得该二极管在多种应用中具备明显的优势,尤其是在需要高效转换和小型化设计的电子产品中。
总的来说,PMEG2010AEB,115 是一款性能卓越、应用广泛的肖特基二极管。其20V的反向耐压、1A的整流电流以及620mV的低正向压降,使其成为电子设计师和工程师们优先选择的组件。针对现代电子设备对效率和小型化的要求,PMEG2010AEB将是一个理想的选择。无论是在电源管理、快速开关电路还是高温应用中,PMEG2010AEB均展现出极高的可靠性和稳定性。