IRFR120TRPBF
IRFR120TRPBF参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 270mΩ@10V,4.6A |
| 功率(Pd) | 42W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 16nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 360pF |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 34pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFR120TRPBF手册
IRFR120TRPBF概述
产品概述：IRFR120TRPBF
概述
IRFR120TRPBF是一款由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）生产的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件具备优异的电流承载能力和低导通电阻特性，使其在高效能开关应用中表现出色。其适用于广泛的应用场合，如电源管理、有源保护电路、逆变器以及各种电机驱动方案。
基础参数
- 类型：N通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 最大连续漏极电流（Id）：7.7A（在Tc=25°C条件下）
- 驱动电压：10V（用于最大Rds On状态）
- 最大导通电阻（Rds On）：270毫欧（在Id=4.6A、Vgs=10V时）
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大4V（@250µA）
- 栅极电荷（Qg）：最大16nC（@10V）
- 最大Vgs：±20V
- 输入电容（Ciss）：最大360pF（@25V）
- 功率耗散：最大2.5W（在环境温度Ta），可达42W（在结温Tc条件下）
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ）
- 封装类型：TO-252-3（D-Pak）
封装及安装
IRFR120TRPBF采用D-Pak封装，符合TO-252-3标准，具有良好的散热性能和适合表面贴装（SMD）安装的特性。这种封装设计使得在有限的电路板空间内实现有效的电气性能和散热管理成为可能。
应用场景
IRFR120TRPBF是一款非常适合用于多种开关电源设计的器件。在以下领域中，IRFR120TRPBF展现出极大的应用潜力：
DC-DC转换器：该MOSFET的高开关频率和低导通电阻，使其成为DC-DC转换器的理想选择，能够有效地提高电源的转换效率。
电机驱动：在电机驱动电路中，IRFR120TRPBF可以作为开关元件，支持高电流控制，并且其快速开关特性有助于减少电机启动和运行时的电能损耗。
逆变器：该MOSFET能够处理较高的漏源电压，非常适合用于逆变器中，尤其是在太阳能逆变器和高效能电池供电系统中。
有源保护电路：在过流和过压保护装置中，这款MOSFET可提供快速响应能力，保护其他元器件免受损害。
性能优势
IRFR120TRPBF的导通电阻（Rds On）与漏电流特性使其在高效能电路中能够显著减少功耗，降低热管理要求，这对于现代电子产品的设计至关重要。此外，其广泛的工作温度范围和高功率耗散能力，确保了它的可靠性和稳定性，适用于各种严苛的工业环境。
总结
作为一款高性能的N通道MOSFET，IRFR120TRPBF凭借其优良的电气性能、出色的热管理特性以及强大的应用灵活性，有助于工程师和设计师在现代电源管理和高能效电路中实现他们的创新目标。无论是在电机控制、电源转换还是保护电路中，IRFR120TRPBF都能提供坚实的基础，为更高效、可靠的电子解决方案铺平道路。