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STD6N52K3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

STD6N52K3RoHS
商品编码:
BM0058423882复制
品牌:
ST(意法半导体)复制
封装:
TO-252复制
包装:
编带复制
重量:
0.000001复制
描述:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 3A; 70W;复制
产品参数
产品手册
产品概述
STD6N52K3参数
属性
参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)525V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
耗散功率(Pd)70W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)670pF
反向传输电容(Crss)10pF
类型N沟道
输出电容(Coss)54pF
STD6N52K3手册
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无数据
STD6N52K3概述

STD6N52K3 产品概述

一、产品简介

STD6N52K3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。其采用 DPAK 封装,具有优异的电气性能和热性能,广泛应用于多种电子产品和电力电子设备中,如开关电源、逆变器、电动机驱动和其他高电压、高功率电路。

二、产品特性

  1. 基本电气参数

    • 漏源电压 (Vdss): 525V:此电压等级使得 STD6N52K3 适合应用于高电压场合,在较高电压的电路中具有良好的工作性能。
    • 连续漏极电流 (Id): 5A:提供了足够的电流承载能力,适合中等负载应用。
    • 导通电阻 (Rds(on)): 1.2Ω @ 2.5A、10V:在较高驱动电压下,导通电阻低,有助于降低开关损耗和提高导通效率。
    • 最大功率耗散 (Pd): 70W:这是在给定的结温范围内可以安全处理的功率水平,允许设备在高功率应用中发挥效果。
  2. 电压和电流规格

    • 驱动电压 (Vgs): 10V:最大 Rds(on) 的驱动电压,确保 MOSFET 进入最佳导通状态,从而提升效率。
    • Vgs(th)(阈值电压): 最大值 4.5V @ 100µA:表明该 MOSFET 在较低的栅压下即能够导通,有利于实现更低的开关损耗。
    • 最大 Vgs: ±30V:能够承受的栅源电压范围,适合多种电路设计。
  3. 环境和热性能

    • **工作温度: ** 150°C:该 MOSFET 的高工作温度使其适合在高温环境下运行,确保长期的可靠性和稳定性。
    • 封装类型: DPAK(TO-252-3):适合表面贴装(SMD)应用,便于自动化生产和较小空间的实际布局。

三、应用领域

STD6N52K3 广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源(Switching Power Supplies)
    由于其高电压和高功率性能,STD6N52K3 是高效开关电源设计的理想选择,能够实现更小体积和更高效率的电源解决方案。

  2. 电动机驱动器(Motor Drivers)
    该 MOSFET 能够有效控制电动机的启停和速度调节,适用于家电、工业自动化及新能源汽车领域。

  3. 逆变器(Inverters)
    STD6N52K3 可以在逆变器中用作主开关,占据关键角色,能够实现将直流电转换为交流电,广泛应用于可再生能源系统如太阳能发电。

  4. 高频开关电路(High Frequency Switching Circuits)
    由于其低导通电阻和快速响应特性,使其在高频开关应用中表现出色。

四、总结

STD6N52K3 N 通道 MOSFET 以其高电压、高功率和优良的导电性能在多种应用中突显出独特的优势。其高可靠性与优异的热性能使得该器件成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。这款 MOSFET 不仅适用于工业技术,更为个人电子产品提供了可靠的解决方案,被广泛应用于开关电源、电动机驱动和逆变器等多个领域。选择 STD6N52K3,您能够自信地推动技术进步,满足现代电子设计中对高效能和高可靠性的需求。

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