DRV8801AQRMJRQ1 产品实物图片
DRV8801AQRMJRQ1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DRV8801AQRMJRQ1

商品编码: BM0058428350复制
品牌 : 
TI(德州仪器)复制
封装 : 
WQFN-16(4x4)复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
1g复制
描述 : 
双极性-电机驱动器-DMOS-并联-16-WQFN(4x4)复制
库存 :
399(起订量1,增量1)复制
批次 :
24+复制
数量 :
X
4.29
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.29
--
3000+
¥4.12
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DRV8801AQRMJRQ1参数

集成FET峰值电流2.8A
工作电压6.5V~36V导通电阻830mΩ
静态电流(Iq)10uA工作温度-40℃~+125℃

DRV8801AQRMJRQ1手册

empty-page
无数据

DRV8801AQRMJRQ1概述

DRV8801AQRMJRQ1 产品概述

一、简介

DRV8801AQRMJRQ1 是德州仪器(TI)推出的一款汽车级双极性电机驱动芯片,集成 DMOS 输出级并采用并联结构以降低导通电阻,封装为 WQFN-16(4×4)。器件适用于单通道 H 桥或双向驱动小型直流电机与致动器,支持宽工作电压并具有极低静态电流,特别适合对功耗与空间有严格要求的车载与便携系统。

二、主要参数

  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃(汽车级)
  • 工作电压:6.5V ~ 36V
  • 峰值电流:2.8A
  • 静态电流(Iq):10 μA(待机/静态时低功耗)
  • 导通电阻(RDS(on)):约 830 mΩ
  • 集成 FET:是(并联 DMOS 以降低 RDS(on))
  • 封装:WQFN-16(4×4),带底部热沉焊盘
  • 型号后缀 RQ1:满足车规/可靠性等级(请参阅 TI 数据手册以确认认证详细信息)

三、特点与优势

  • 宽电压范围(6.5–36V):适配车载 12V/24V 供电以及工业电源轨,兼容电机启动和瞬态电压情况。
  • 低静态电流(10 μA):极大降低待机能耗,适合对耗电敏感的电池供电或休眠场景。
  • 集成并联 DMOS:在小封装内实现较低的导通电阻,减小导通压降与功耗,提升效率和瞬时驱动能力。
  • 汽车级可靠性:适用于车载致动器、镜像/座椅调节、车门/窗控制等要求较高的应用(具体认证请以厂商数据手册为准)。

四、封装与热管理

WQFN-16(4×4)带底部大焊盘,有利于热量通过 PCB 散出。由于 RDS(on) 与电流平方成正比,峰值电流下的瞬时功耗较高(P ≈ I^2·R),因此:

  • 对于连续工作电流,应以数据手册给出的导热参数和热阻为准计算最大允许电流;
  • PCB 设计建议使用底部焊盘连大面积铜箔并配合若干导热通孔(thermal vias),提高散热能力;
  • 电源输入旁放置低 ESR 电容(如 10 μF Bulk + 0.1 μF 陶瓷并联),靠近 VM 引脚布置。

五、典型应用

  • 车载小功率致动器(镜像/门锁/窗升降等)
  • 小型泵、阀门、风扇控制
  • 工业自动化中的微型执行器与传送机构
  • 便携设备与机器人中对体积与待机功耗敏感的直流电机驱动

六、设计建议与注意事项

  • 在实际系统中应根据电机负载特性与散热条件限定连续电流,尽量避免长时间在峰值电流下工作;
  • 使用适当的 PCB 布局(尽量短且粗的电源/地回流路径),并在电源端做好去耦与浪涌抑制;
  • 根据驱动方式(PWM、方向控制等)考虑电磁兼容(EMC)和电机反向电动势(EMF)抑制措施,必要时增加外部 RC 或 TVS 抑制器;
  • 所有保护功能(如热关断、欠压锁定、短路保护等)与器件极限应以 TI 官方数据手册为准,设计时预留足够余量。

七、结论

DRV8801AQRMJRQ1 在紧凑 WQFN 封装中提供了宽电压范围、低待机功耗与集成并联 DMOS 的电机驱动能力,适合车载与工业等受空间与能耗约束的场景。针对具体应用(连续电流、散热与保护需求),建议结合 TI 官方数据手册进行电气与热设计校核,并在 PCB 布局与系统供电上下功夫以保证长期可靠性。