DMNH6021SK3Q-13
DMNH6021SK3Q-13参数
| 数量 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,12A |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.1nC@10V | 输入电容(Ciss) | 1.143nF@25V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
DMNH6021SK3Q-13手册
DMNH6021SK3Q-13概述
DMNH6021SK3Q-13 产品概述
一、产品简介
DMNH6021SK3Q-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，专为汽车应用设计，并符合 AEC-Q101 标准。其优异的电气特性和宽广的工作温度范围，使其在各种苛刻环境下均能稳定运行，特别适合用于汽车电子、工业控制以及高效能电源管理等领域。
二、基本参数
- 制造商: Diodes Incorporated
- 系列: Automotive, AEC-Q101
- 零件状态: 有源
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
三、电气特性
电流承载能力: 在 25°C 环境下，DMNH6021SK3Q-13 能够承受高达 50A 的连续漏极电流 (Id)，使其在大功率设备中表现出色。
导通电阻: 在不同的漏极电流 (Id) 和栅极源极电压 (Vgs) 条件下，最大导通电阻 (Rds(on)) 为 23 毫欧（在 12A 和 10V 时）。这意味着在通电状态下，能有效减少功率损耗，提高能效。
阈值电压: 最大阈值电压 (Vgs(th)) 为 3V @ 250µA，确保在较低的驱动电压下就可以开始导通，提升了设备的整体反应灵敏度。
输入电容和栅极电荷: 在 25V 时，输入电容 (Ciss) 最大值为 1143pF，而在 10V 时，栅极电荷 (Qg) 最大值为 20.1nC。这些参数表明，该 MOSFET 能够快速响应，适合需要快速开关操作的应用。
最大工作电压和功率: 最大漏源电压 (Vdss) 为 60V，最大功率耗散为 2.1W（在安装温度 Ta 下）。这使其在多个电气级别的应用中表现稳定。
四、温度和封装特性
DMNH6021SK3Q-13 具有广泛的工作温度范围：-55°C 至 175°C，确保其在极端环境下的可靠性和持久性。此外，采用 TO-252-4L 表面贴装封装，具有良好的热管理性能和较小的占板面积，方便其集成至各种电路板设计当中。
五、应用领域
由于其高耐压、高电流以及广泛的工作温度范围，DMNH6021SK3Q-13 特别适合于以下应用：
- 汽车电子系统: 如电动机驱动器、电源转换器等。
- 工业领域: 可用于电源管理、马达控制、电动车辆充电系统等。
- 消费电子: 在便携式设备和供电管理中也能发挥其高效能的优势。
六、总结
总的来说，DMNH6021SK3Q-13 是市场上一个非常优秀的 N 通道 MOSFET，其在汽车和工业应用中的表现令人信赖，尤其是在高温和高电流条件下。凭借其出色的电气特性和强大的兼容性，DMNH6021SK3Q-13 将为的设计者们在实现高效、可靠电源解决方案时提供强有力的支持。