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DMP2045UQ-7
- 商品编码： BM0107672234复制
- 品牌： DIODES(美台)复制
- 封装： SOT-23-3复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.000031复制
- 描述： 场效应管(MOSFET) 800mW 20V 4.3A 1个P沟道复制
DMP2045UQ-7参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC |
| 输入电容(Ciss) | 634pF |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
DMP2045UQ-7手册
DMP2045UQ-7概述
DMP2045UQ-7 产品概述
产品名称：DMP2045UQ-7
制造商：Diodes Incorporated
系列：Automotive, AEC-Q101
封装：SOT-23
1. 产品概述
DMP2045UQ-7是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道MOSFET，特别设计用于汽车应用和其他要求可靠性的场合。作为一个具有AEC-Q101认证的器件，它符合汽车可靠性标准，为汽车电子设计提供了解决方案。这种MOSFET具有广泛的工作温度范围和优良的电气性能，使其适用于多种应用，比如电源管理、负载开关以及电机驱动等。
2. 主要参数
- 最大漏源电压 (Vdss): 20V
- 连续漏极电流 (Id): 4.3A（在25°C环境温度下）
- 最大功率耗散 (Pd): 800mW
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为45毫欧，测量条件为4A，4.5V Vgs下
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值1V（在250µA电流下）
- 驱动电压 (Vgs): 最大为±8V
- 工作温度范围 (TJ): -55°C至150°C
- 栅极电荷 (Qg): 最大值6.8nC（在4.5V时）
- 输入电容 (Ciss): 最大值634pF（在10V时）
3. 电气特性
DMP2045UQ-7具备较低的导通电阻，这意味着在开启状态下，其功耗很小，从而有助于提高整个系统的能效。同时，由于其较高的连续漏极电流能力，该器件能够处理较大的负载，适合在严格的电气环境中运行。
其栅极阈值电压和驱动电压范围的设计使DMP2045UQ-7能够与多种控制电路兼容。此外，实时的栅极电荷参数允许设计人员在开关频率较高的应用中实现更快的开关速度，从而整个电路的性能得以提升。
4. 安装与封装
DMP2045UQ-7采用SOT-23封装，具有较小的尺寸和较轻的重量，适合需要高密度布局的应用。表面贴装型的设计使其在现代PCB设计中更具灵活性，同时也符合高自动化水平的生产要求。
5. 应用领域
DMP2045UQ-7广泛应用于：
- 汽车电子: 由于其符合AEC-Q101标准，该器件特别适合于汽车领域，包括动力总成控制、车载设备的开关及电源管理。
- 电源管理: 能够在多个电源转换和开关应用中高效工作，减少能量损耗，提高系统效率。
- 负载开关: 由于其高耐压和低导通电阻，DMP2045UQ-7非常适合用于负载切换电路，为负载提供安全、快速的开关。
6. 总结
DMP2045UQ-7是一款高效能、可靠的P沟道MOSFET，结合了优秀的电气特性和满足汽车行业标准的加持，使其在逆变器、电源管理及负载开关等领域都具备广泛的应用潜力。随着汽车电子化程度的不断提高，适应高温和高压的MOSFET产品如DMP2045UQ-7将愈加重要，确保电子产品的稳定与可靠运行。无论是在设计新产品，还是在项目改进中，DMP2045UQ-7将成为工程师们的得力助手。